利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

46 条记录 (耗时 0.016 秒)

    Amorphous dielectric thin film and manufacturing method thereof
    11.
    发明授权
    Amorphous dielectric thin film and manufacturing method thereof 失效
    非晶介质薄膜及其制造方法

    公开(公告)号：US07501191B2

    公开(公告)日：2009-03-10

    申请号：US10953267

    申请日：2004-09-30

    申请人： Yo-sep Min ,  Young-jin Cho

    发明人： Yo-sep Min ,  Young-jin Cho

    IPC分类号： B32B9/00

    CPC分类号： H01L21/02156 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02153 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31691 ,  Y10T428/12597 ,  Y10T428/12611

    摘要： An amorphous dielectric film for use in a semiconductor device, such as a DRAM, and a method of manufacturing the amorphous dielectric film, includes bismuth (Bi), titanium (Ti), silicon (Si), and oxide (O). The amorphous dielectric film may have a dielectric constant of approximately 60 or higher. The amorphous dielectric film may be expressed by the chemical formula Bi1-x-yTixSiyOz, where 0.2

    摘要翻译： 用于诸如DRAM的半导体器件中的非晶体介电膜以及制造非晶体介质膜的方法包括铋（Bi），钛（Ti），硅（Si）和氧化物（O）。 非晶介质膜可以具有大约60或更高的介电常数。 非晶介质膜可以由化学式Bi1-x-yTixSiyOz表示，其中0.2

    Thin film including multi components and method of forming the same
    15.
    发明申请
    Thin film including multi components and method of forming the same 有权
    薄膜包括多组分及其形成方法

    公开(公告)号：US20050260348A1

    公开(公告)日：2005-11-24

    申请号：US11176657

    申请日：2005-07-08

    申请人： Jung-hyun Lee ,  Dae-sig Kim ,  Yo-sep Min ,  Young-jin Cho

    发明人： Jung-hyun Lee ,  Dae-sig Kim ,  Yo-sep Min ,  Young-jin Cho

    IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L21/316 ,  C23C16/00 ,  B32B19/00 ,  H01L21/31

    CPC分类号： C23C16/409 ,  C23C16/308 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542

    摘要： A thin film including multi components and a method of forming the thin film are provided, wherein a method according to an embodiment of the present invention, a substrate is loaded into a reaction chamber. A unit material layer is formed on the substrate. The unit material layer is a mosaic atomic layer composed of two kinds of precursors containing components constituting the thin film. The inside of the reaction chamber is purged, and the MAL is chemically changed. The method of forming the thin film of the present invention requires fewer steps than a conventional method while retaining the advantages of the conventional method, thereby allowing a superior thin film yield in the present invention than previously obtainable.

    摘要翻译： 提供了包括多组分的薄膜和形成薄膜的方法，其中根据本发明的实施方案的方法将基底装载到反应室中。 在基板上形成单位材料层。 单元材料层是由包含构成薄膜的成分的两种前体构成的马赛克原子层。 反应室的内部被清除，并且MAL被化学地改变。 与传统方法相比，形成本发明的薄膜的方法需要更少的步骤，同时保持了常规方法的优点，从而使本发明的薄膜产率优于先前可获得的。

    Amorphous high-k thin film and manufacturing method thereof
    17.
    发明授权
    Amorphous high-k thin film and manufacturing method thereof 失效
    非晶高k薄膜及其制造方法

    公开(公告)号：US07379322B2

    公开(公告)日：2008-05-27

    申请号：US11354013

    申请日：2006-02-15

    申请人： Yo-sep Min ,  Young-jin Cho

    发明人： Yo-sep Min ,  Young-jin Cho

    IPC分类号： G11C11/22

    CPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

    摘要： An amorphous high-k thin film for a semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided. The amorphous high-k thin film includes Bi, Ti, Al, and O. Since a BTAO based amorphous dielectric thin film is used as a dielectric material of a DRAM capacitor, a dielectric constant is more than 25, and an increase of a leakage current caused in reducing a physical thickness of the dielectric thin film can be prevented. Accordingly, it is very useful for the integration of the semiconductor device.

    摘要翻译： 提供了一种用于半导体器件的非晶高k薄膜及其制造方法。 无定形高k薄膜包括Bi，Ti，Al和O.由于使用基于BTAO的非晶介质薄膜作为DRAM电容器的介电材料，介电常数大于25，并且泄漏增加 可以防止在减小电介质薄膜的物理厚度时引起的电流。 因此，对于半导体器件的集成是非常有用的。

    Capacitor for semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device employing the same
    19.
    发明授权
    Capacitor for semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device employing the same 失效
    半导体装置用电容器及其制造方法以及使用该半导体装置的电子装置

    公开(公告)号：US07105401B2

    公开(公告)日：2006-09-12

    申请号：US10930953

    申请日：2004-09-01

    申请人： Jung-hyun Lee ,  Yo-sep Min ,  Young-jin Cho

    发明人： Jung-hyun Lee ,  Yo-sep Min ,  Young-jin Cho

    IPC分类号： H01L21/8242

    CPC分类号： H01L28/56 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/321 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

    摘要： A capacitor for use in a semiconductor device, a method of fabricating the capacitor, and an electronic device adopting the capacitor, wherein the capacitor includes upper and lower electrodes, each formed of a platinum group metal; a thin dielectric layer disposed between the upper and lower electrodes; and a buffer layer disposed between the lower electrode and the thin dielectric layer, the buffer layer including a metal oxide of Group 3, 4, or 13. In an embodiment, the method of fabricating includes absorbing CO on a surface of a lower electrode of a platinum group metal, placing the lower electrode under a reducing atmosphere to produce a lattice oxygen, using the lattice oxygen to form a thin dielectric layer by performing an ALD process using a precursor for the thin dielectric layer, and forming an upper electrode of a platinum group metal on the thin dielectric layer.

    摘要翻译： 一种用于半导体器件的电容器，制造该电容器的方法以及采用该电容器的电子器件，其中该电容器包括由铂族金属形成的上下电极; 设置在上电极和下电极之间的薄介电层; 以及设置在下电极和薄电介质层之间的缓冲层，缓冲层包括第3,4或13族的金属氧化物。在一个实施方案中，制造方法包括在下电极的表面上吸收CO 铂族金属，将下电极置于还原气氛下以产生晶格氧，使用晶格氧通过使用用于薄介电层的前体进行ALD工艺形成薄介电层，并形成上电极 铂族金属在薄介电层上。