公开(公告)号：US20140008683A1

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：US13991408

申请日：2011-11-23

申请人： Kirstin Petersen ,  Frank Baumann ,  Dominik Eisert ,  Hailing Cui

发明人： Kirstin Petersen ,  Frank Baumann ,  Dominik Eisert ,  Hailing Cui

IPC分类号： H01L33/50

CPC分类号： H01L33/50 ,  H01L33/504 ,  H01L33/505 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00

摘要： A method is provided for producing a radiation-emitting semiconductor chip, in which a first wavelength-converting layer is applied over the radiation exit face of a semiconductor body. The application method is selected from the following group: sedimentation, electrophoresis. In addition, a second wavelength-converting layer is applied over the radiation exit face of the semiconductor body. The second wavelength-converting layer is either produced in a separate method step and then applied or the application method is sedimentation, electrophoresis or printing. Furthermore, a radiation-emitting semiconductor chip and a radiation-emitting component are provided.

摘要翻译： 提供了一种制造辐射发射半导体芯片的方法，其中将第一波长转换层施加在半导体本体的辐射出射面上。 应用方法选自下列组别：沉淀，电泳。 此外，在半导体本体的辐射出射面上施加第二波长转换层。 第二波长转换层是以单独的方法步骤生产的，然后施加或应用方法是沉降，电泳或印刷。 此外，提供了辐射发射半导体芯片和辐射发射部件。

公开(公告)号：US20110071125A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：US12599641

申请日：2008-05-09

申请人： Joachim Rudolph ,  Jaques Dumas ,  Li Yingfu ,  Daniel Auclair ,  Mario Lobell ,  Marion Hitchcock ,  Ingo Hartung ,  Marcus Koppitz ,  Dominic Brittain ,  Florian Puehler ,  Kirstin Petersen ,  Judith Guenther ,  Benjamin Bader

发明人： Joachim Rudolph ,  Jaques Dumas ,  Li Yingfu ,  Daniel Auclair ,  Mario Lobell ,  Marion Hitchcock ,  Ingo Hartung ,  Marcus Koppitz ,  Dominic Brittain ,  Florian Puehler ,  Kirstin Petersen ,  Judith Guenther ,  Benjamin Bader

IPC分类号： A61K31/4178 ,  C12N9/99 ,  A61K31/397 ,  A61K31/535 ,  A61K31/4965 ,  A61K31/445 ,  A61K31/425 ,  A61K31/385 ,  A61K31/17 ,  A61K31/165 ,  C07D295/12 ,  C07D241/04 ,  C07D211/30 ,  C07D277/04 ,  C07D403/12 ,  C07D327/04 ,  C07C273/00 ,  C07C233/00 ,  A61P35/00 ,  A61P27/12

CPC分类号： C07D233/60 ,  C07C217/92 ,  C07C237/30 ,  C07C237/44 ,  C07C243/38 ,  C07C255/58 ,  C07C255/59 ,  C07C271/16 ,  C07C271/28 ,  C07C271/44 ,  C07C275/28 ,  C07C275/36 ,  C07C307/02 ,  C07C307/10 ,  C07C309/66 ,  C07C311/08 ,  C07C311/09 ,  C07C311/17 ,  C07C311/48 ,  C07C2601/08 ,  C07C2601/10 ,  C07D205/04 ,  C07D207/08 ,  C07D207/27 ,  C07D207/48 ,  C07D209/08 ,  C07D211/22 ,  C07D211/46 ,  C07D211/96 ,  C07D213/30 ,  C07D213/34 ,  C07D213/68 ,  C07D231/18 ,  C07D233/84 ,  C07D265/30 ,  C07D277/22 ,  C07D295/088 ,  C07D295/185 ,  C07D295/26 ,  C07D317/22 ,  C07D317/64 ,  C07D327/04 ,  C07D403/12

摘要： This invention relates to novel substituted phenylamino-benzene compounds, pharmaceutical compositions containing such compounds and the use of those compounds or compositions for treating hyper-proliferative and/or angiogenesis disorders, as a sole agent or in combination with other active ingredients.

摘要翻译： 本发明涉及新的取代的苯基氨基苯化合物，含有这些化合物的药物组合物，以及这些化合物或组合物用于治疗高增殖和/或血管生成障碍，作为唯一试剂或与其它活性成分组合的用途。

公开(公告)号：US09406853B2

公开(公告)日：2016-08-02

申请号：US13982225

申请日：2011-12-21

申请人： Tobias Gebuhr ,  Hans-Christoph Gallmeier ,  Herbert Brunner ,  Kirstin Petersen

发明人： Tobias Gebuhr ,  Hans-Christoph Gallmeier ,  Herbert Brunner ,  Kirstin Petersen

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62

CPC分类号： H01L33/60 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/24 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066

摘要： A method for manufacturing at least one optoelectronic semiconductor device includes providing a substrate and applying a number of optoelectronic semiconductor chips, which are arranged spaced apart from one another in a lateral direction, on an upper face of the substrate. At least one reflective coating is applied to the exposed areas of the substrate and the lateral surfaces of the optoelectronic semiconductor chips. Openings are introduced into the reflective coating, which completely penetrate the reflective coating. Electrically conductive material is arranged on the reflective coating and at least on some parts of the openings. Radiation penetration surfaces of the optoelectronic semiconductor chips are free of the reflective coating and the reflective coating does not laterally extend beyond the optoelectronic semiconductor chips.

摘要翻译： 一种用于制造至少一个光电子半导体器件的方法包括：在衬底的上表面上提供衬底和施加多个在横向彼此间隔开的光电子半导体芯片。 至少一个反射涂层施加到基板的暴露区域和光电子半导体芯片的侧表面。 开口被引入到完全穿透反射涂层的反射涂层中。 导电材料布置在反射涂层上并且至少在开口的某些部分上。 光电子半导体芯片的辐射穿透表面没有反射涂层，反射涂层不横向延伸超过光电子半导体芯片。

公开(公告)号：US08962361B2

公开(公告)日：2015-02-24

申请号：US13991408

申请日：2011-11-23

申请人： Kirstin Petersen ,  Frank Baumann ,  Dominik Eisert ,  Hailing Cui

发明人： Kirstin Petersen ,  Frank Baumann ,  Dominik Eisert ,  Hailing Cui

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L33/50

CPC分类号： H01L33/50 ,  H01L33/504 ,  H01L33/505 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00

摘要： A method is provided for producing a radiation-emitting semiconductor chip, in which a first wavelength-converting layer is applied over the radiation exit face of a semiconductor body. The application method is selected from the following group: sedimentation, electrophoresis. In addition, a second wavelength-converting layer is applied over the radiation exit face of the semiconductor body. The second wavelength-converting layer is either produced in a separate method step and then applied or the application method is sedimentation, electrophoresis or printing. Furthermore, a radiation-emitting semiconductor chip and a radiation-emitting component are provided.

摘要翻译： 提供了一种制造辐射发射半导体芯片的方法，其中将第一波长转换层施加在半导体本体的辐射出射面上。 应用方法选自下列组别：沉淀，电泳。 此外，在半导体本体的辐射出射面上施加第二波长转换层。 第二波长转换层是以单独的方法步骤生产的，然后施加或应用方法是沉降，电泳或印刷。 此外，提供了发射辐射的半导体芯片和发射辐射的部件。

公开(公告)号：US20150022762A1

公开(公告)日：2015-01-22

申请号：US14345645

申请日：2012-08-16

申请人： Ion Stoll ,  Kirstin Petersen

发明人： Ion Stoll ,  Kirstin Petersen

IPC分类号： H01L31/16 ,  F21V8/00 ,  G02F1/1335

CPC分类号： H01L31/16 ,  C09K11/7774 ,  G02B6/0026 ,  G02B6/0073 ,  G02F1/1336 ,  G02F1/133617 ,  H01L33/504 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The invention relates to a semi-conductor component, comprising a semi-conductor chip (1) which has an active layer (1a) suitable for generating radiation and suitable for emitting radiation in the blue wavelength range. A first converter (3a) comprising a Ce doping is arranged downstream of the semiconductor chip (1) in the emission direction. In addition, a second converter (3b) comprising a minimum Ce doping of 1.5% is arranged downstream of the semiconductor chip (1) in the emission direction. The invention further relates to a module with a plurality of such components.

摘要翻译： 本发明涉及一种半导体部件，其包括半导体芯片（1），该半导体芯片（1）具有适于产生辐射的适合于发射蓝色波长范围的辐射的有源层（1a）。 包括Ce掺杂的第一转换器（3a）在发射方向上布置在半导体芯片（1）的下游。 此外，包括1.5％的最小Ce掺杂的第二转换器（3b）在发射方向上布置在半导体芯片（1）的下游。 本发明还涉及具有多个这样的组件的模块。

公开(公告)号：US08585246B2

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：US12863717

申请日：2009-01-26

申请人： Kirstin Petersen ,  Stefan Grötsch ,  Stephan Miller ,  Günter Spath ,  Norbert Linder ,  Dominik Eisert ,  Matthias Peter

发明人： Kirstin Petersen ,  Stefan Grötsch ,  Stephan Miller ,  Günter Spath ,  Norbert Linder ,  Dominik Eisert ,  Matthias Peter

IPC分类号： F21V9/06 ,  F21V9/16

CPC分类号： H04N9/3164 ,  F21K9/00 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An optoelectronic module for emitting monochromatic radiation in the visible wavelength range is specified. The module has a plurality of light emitting diode chips which generate UV radiation. The UV radiation is converted into light in the visible range, for example, into green light, by a wavelength converter. The coupling-out of light from the module is optimized by the use of two selectively reflecting and transmitting filters. This module can be used as a light source in a projection apparatus.

摘要翻译： 规定用于发出可见波长范围的单色辐射的光电子模块。 该模块具有产生紫外线辐射的多个发光二极管芯片。 通过波长转换器将紫外线辐射转换成可见光范围内的光，例如绿光。 通过使用两个选择性反射和发射滤波器来优化来自模块的光耦合。 该模块可以用作投影设备中的光源。

公开(公告)号：US20130267051A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：US13877296

申请日：2011-12-13

申请人： Kirstin Petersen

发明人： Kirstin Petersen

IPC分类号： H01L33/50

CPC分类号： H01L33/502 ,  C09K11/02 ,  C09K11/08 ,  H01L33/50 ,  H01L33/501 ,  H01L33/507 ,  H01L33/508 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00

摘要： One embodiment of the invention describes a method for producing a luminescence conversion substance layer on a substrate with a semiconductor element that emits a primary radiation during operation. A composition includes a luminescence conversion substance, a matrix material and a solvent. The composition is applied to a substrate. At least part of the solvent is removed, with the result that the luminescence conversion substance layer is formed on the substrate.

摘要翻译： 本发明的一个实施例描述了一种用于在基板上制造发光转换物质层的方法，其中半导体元件在操作期间发射初级辐射。 组合物包括发光转换物质，基质材料和溶剂。 将组合物施加到基材上。 除去溶剂的至少一部分，结果在基板上形成发光转换物质层。

公开(公告)号：US08378366B2

公开(公告)日：2013-02-19

申请号：US12594185

申请日：2008-03-26

申请人： Karlheinz Arndt ,  Kirstin Petersen

发明人： Karlheinz Arndt ,  Kirstin Petersen

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L29/18 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/486 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： An optoelectronic component is specified that emits a useful radiation. It comprises a housing having a housing base body with a housing cavity, and a light-emitting diode chip arranged in the housing cavity. At least one base body material of the housing base body has radiation-absorbing particles admixed in a targeted manner to reduce its reflectivity. According to another embodiment of the component, the housing additionally or alternatively has a housing material transmissive for the useful radiation that has radiation-absorbing particles admixed in a targeted manner to reduce its reflectivity. In addition, a method for manufacturing such a component is specified.

摘要翻译： 规定了发出有用辐射的光电子部件。 它包括壳体，壳体具有壳体腔体和布置在壳体空腔中的发光二极管芯片。 壳体基体的至少一个基体材料具有以目标方式混合的辐射吸收颗粒以降低其反射率。 根据该部件的另一个实施例，壳体另外或替代地具有透射用于有用辐射的壳体材料，其具有以目标方式混合的辐射吸收颗粒以降低其反射率。 此外，规定了制造这种部件的方法。