公开(公告)号：US20060065905A1

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：US10529673

申请日：2003-09-05

申请人： Dominik Eisert ,  Stefan Illek ,  Wolfgang Schmid

发明人： Dominik Eisert ,  Stefan Illek ,  Wolfgang Schmid

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L23/3677 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L2224/29014 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor component having a light-emitting semiconductor layer or a light-emitting semiconductor element, two contact locations and a vertically or horizontally patterned carrier substrate, and a method for producing a semiconductor component are disclosed for the purpose of reducing or compensating for the thermal stresses in the component. The thermal stresses arise as a result of temperature changes during processing and during operation and on account of the different expansion coefficients of the semiconductor and carrier substrate. The carrier substrate is patterned in such a way that the thermal stresses are reduced or compensated for sufficiently to ensure that the component does not fail.

摘要翻译： 公开了具有发光半导体层或发光半导体元件，两个接触位置和垂直或水平图案化载体衬底的半导体部件以及用于制造半导体部件的方法，用于减少或补偿热 组件中的压力。 热应力由于处理过程中和工作期间的温度变化以及由于半导体和载体衬底的不同膨胀系数而产生。 载体基板被图案化，使得热应力被减少或补偿以充分确保部件不失败。

公开(公告)号：US09076941B2

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：US14004442

申请日：2012-03-12

申请人： Siegfried Herrmann ,  Stefan Illek

发明人： Siegfried Herrmann ,  Stefan Illek

IPC分类号： H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L33/58 ,  H01L33/44 ,  H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46 ,  H01S5/02 ,  H01S5/022 ,  H01S5/323

CPC分类号： H01L33/60 ,  H01L24/19 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00

摘要： A method of producing at least one optoelectronic semiconductor chip includes providing at least one optoelectronic structure, including a growth support and a semiconductor layer sequence with an active region, the semiconductor layer sequence being deposited epitaxially on the growth support, providing a carrier, applying the at least one optoelectronic structure onto the carrier with its side remote from the growth support, coating the at least one optoelectronic structure with a protective material, the protective material covering the outer face, remote from the carrier, of the growth support and side faces of the growth support and of the semiconductor layer sequence, and detaching the growth support from the semiconductor layer sequence of the at least one optoelectronic structure.

摘要翻译： 一种制造至少一个光电子半导体芯片的方法包括：提供至少一个光电结构，包括生长支持体和具有有源区域的半导体层序列，半导体层序列外延地沉积在生长支持体上，提供载体， 至少一个光电结构到其载体上，其侧面远离生长载体，用保护材料涂覆至少一个光电结构，该保护材料覆盖远离载体的生长载体和侧面的外表面 生长支持物和半导体层序列，以及从至少一个光电子结构的半导体层序列分离生长支持物。

公开(公告)号：US08965148B2

公开(公告)日：2015-02-24

申请号：US13643934

申请日：2011-03-28

申请人： Stefan Illek ,  Alexander Linkov ,  Matthias Sabathil

发明人： Stefan Illek ,  Alexander Linkov ,  Matthias Sabathil

IPC分类号： G02B6/12 ,  F21V8/00 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56 ,  H01L33/00 ,  H01L33/60

CPC分类号： G02B6/0023 ,  G02B6/0073 ,  H01L33/501 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00014

摘要： An optoelectronic component (1) comprises a carrier (2) and at least one semiconductor chip (3). The semiconductor chip (3) is arranged on the carrier (2) and designed for emitting a primary radiation (6). The semiconductor chip (3) is at least partly enclosed by an at least partly transparent medium (7) having a height (8) above the carrier (2) and a width (9) along the carrier (2). Particles (10, 11) are introduced into the medium (7) and interact with the primary radiation (6). The medium (7) has a ratio of the height (8) to the width (9) of greater than 1.

摘要翻译： 光电子元件（1）包括载体（2）和至少一个半导体芯片（3）。 半导体芯片（3）布置在载体（2）上并被设计用于发射初级辐射（6）。 半导体芯片（3）至少部分地被具有在载体（2）上方的高度（8）和沿载体（2）的宽度（9）的至少部分透明的介质（7）包围。 颗粒（10,11）被引入到介质（7）中并与主辐射（6）相互作用。 介质（7）的高度（8）与宽度（9）之比大于1。

公开(公告)号：US08835937B2

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：US10588167

申请日：2005-02-18

申请人： Ralph Wirth ,  Herbert Brunner ,  Stefan Illek ,  Dieter Eissler

发明人： Ralph Wirth ,  Herbert Brunner ,  Stefan Illek ,  Dieter Eissler

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/38

CPC分类号： H01L31/022408 ,  H01L31/022416 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/382 ,  H01L2224/16225

摘要： Disclosed is an optoelectronic component (1) comprising a semiconductor function region (2) with an active zone (400) and a lateral main direction of extension, said semiconductor function region including at least one opening (9, 27, 29) through the active zone, and there being disposed in the region of the opening a connecting conductor material (8) that is electrically isolated (10) from the active zone in at least in a subregion of the opening. Further disclosed are a method for producing such an optoelectronic component and a device comprising a plurality of optoelectronic components. The component and the device can be produced entirely on-wafer.

摘要翻译： 公开了一种光电子部件（1），其包括具有有源区（400）和横向主延伸方向的半导体功能区（2），所述半导体功能区包括至少一个开口（9,27,29） 并且在所述开口的区域中设置有至少在所述开口的一个子区域中与所述活性区电隔离（10）的连接导体材料（8）。 进一步公开的是制造这种光电子部件的方法和包括多个光电子部件的器件。 组件和设备可以完全在晶片上生产。

公开(公告)号：US08428094B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US12865841

申请日：2008-12-18

申请人： Hans Lindberg ,  Stefan Illek

发明人： Hans Lindberg ,  Stefan Illek

IPC分类号： H01S3/091 ,  H01S5/00 ,  H01S3/09

CPC分类号： H01S5/18375 ,  H01S3/109 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/0654 ,  H01S5/1021 ,  H01S5/141 ,  H01S5/4031

摘要： A surface-emitting semiconductor laser is described, with a semiconductor chip (1), which has a substrate (2), a DBR-mirror (3) applied to the substrate (2) and an epitaxial layer sequence (4) applied to the DBR mirror (3), said layer sequence comprising a radiation-emitting active layer (5), and with an external resonator mirror (9) arranged outside the semiconductor chip (1). The DBR mirror (3) and the substrate (2) are partially transmissive for the radiation (6) emitted by the active layer (5) and the back (14) of the substrate (2) remote from the active layer (5) is reflective to the emitted radiation (6).

摘要翻译： 使用半导体芯片（1）来描述表面发射半导体激光器，该半导体芯片（1）具有衬底（2），施加到衬底（2）的DBR镜（3）和施加到衬底的外延层序列（4） DBR镜（3），所述层序列包括辐射发射有源层（5），以及布置在半导体芯片（1）外部的外部谐振器反射镜（9）。 对于由有源层（5）发射的辐射（6）和远离有源层（5）的衬底（2）的背面（14），DBR反射镜（3）和衬底（2）是部分透射的 反射到发射的辐射（6）。

公开(公告)号：US20130039617A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：US13643934

申请日：2011-03-28

申请人： Stefan Illek ,  Alexander Linkov ,  Matthias Sabathil

发明人： Stefan Illek ,  Alexander Linkov ,  Matthias Sabathil

IPC分类号： H01L33/50 ,  G02B6/12 ,  H01L33/58 ,  H01L33/08

CPC分类号： G02B6/0023 ,  G02B6/0073 ,  H01L33/501 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00014

摘要： An optoelectronic component (1) comprises a carrier (2) and at least one semiconductor chip (3). The semiconductor chip (3) is arranged on the carrier (2) and designed for emitting a primary radiation (6). The semiconductor chip (3) is at least partly enclosed by an at least partly transparent medium (7) having a height (8) above the carrier (2) and a width (9) along the carrier (2). Particles (10, 11) are introduced into the medium (7) and interact with the primary radiation (6). The medium (7) has a ratio of the height (8) to the width (9) of greater than 1.

摘要翻译： 光电子元件（1）包括载体（2）和至少一个半导体芯片（3）。 半导体芯片（3）布置在载体（2）上并被设计用于发射初级辐射（6）。 半导体芯片（3）至少部分地被具有在载体（2）上方的高度（8）和沿载体（2）的宽度（9）的至少部分透明的介质（7）包围。 颗粒（10,11）被引入到介质（7）中并与主辐射（6）相互作用。 介质（7）的高度（8）与宽度（9）之比大于1。

公开(公告)号：US20110235664A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US13123779

申请日：2009-10-12

申请人： Stefan Illek ,  Uwe Strauss

发明人： Stefan Illek ,  Uwe Strauss

IPC分类号： H01S5/20 ,  H01L33/58

CPC分类号： H01S5/12 ,  H01L33/14 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/06256 ,  H01S5/1228 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/209 ,  H01L2924/00

摘要： An optoelectronic semiconductor chip having a semiconductor layer sequence with a plurality of layers arranged over one another includes an active layer with an active region which emits electromagnetic radiation in an emission direction when in operation, a first grating layer on the active layer which, in an emission direction, has a plurality of stripes in the form of grating lines extending perpendicularly to the emission direction with spaces arranged therebetween, and a second grating layer on the first grating layer which covers the stripes of the first grating layer and the spaces and which comprises a transparent material applied by non-epitaxial application.

摘要翻译： 具有彼此排列的多个层的半导体层序列的光电子半导体芯片包括：有源层，具有在工作时发射方向上发射电磁辐射的有源区;活性层上的第一光栅层， 发射方向具有垂直于发射方向延伸的格栅线的形式的多个条纹，并且其间具有间隔布置的第一光栅层和覆盖第一光栅层和空间的条纹的第二光栅层，并且包括 通过非外延应用施加的透明材料。

公开(公告)号：US20110122911A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US12865841

申请日：2008-12-18

申请人： Hans Lindberg ,  Stefan Illek

发明人： Hans Lindberg ,  Stefan Illek

IPC分类号： H01S5/187

CPC分类号： H01S5/18375 ,  H01S3/109 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/0654 ,  H01S5/1021 ,  H01S5/141 ,  H01S5/4031

摘要： A surface-emitting semiconductor laser is described, with a semiconductor chip (1), which has a substrate (2), a DBR-mirror (3) applied to the substrate (2) and an epitaxial layer sequence (4) applied to the DBR mirror (3), said layer sequence comprising a radiation-emitting active layer (5), and with an external resonator mirror (9) arranged outside the semiconductor chip (1). The DBR mirror (3) and the substrate (2) are partially transmissive for the radiation (6) emitted by the active layer (5) and the back (14) of the substrate (2) remote from the active layer (5) is reflective to the emitted radiation (6).

摘要翻译： 使用半导体芯片（1）来描述表面发射半导体激光器，该半导体芯片（1）具有衬底（2），施加到衬底（2）的DBR镜（3）和施加到衬底的外延层序列（4） DBR镜（3），所述层序列包括辐射发射有源层（5），以及布置在半导体芯片（1）外部的外部谐振器反射镜（9）。 对于由有源层（5）发射的辐射（6）和远离有源层（5）的衬底（2）的背面（14），DBR反射镜（3）和衬底（2）是部分透射的 反射到发射的辐射（6）。

公开(公告)号：US07756188B2

公开(公告)日：2010-07-13

申请号：US12208814

申请日：2008-09-11

申请人： Hans Lindberg ,  Stefan Illek

发明人： Hans Lindberg ,  Stefan Illek

IPC分类号： H01S3/08

CPC分类号： H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/1071 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/183 ,  H01S5/4025 ,  H01S5/4056

摘要： A semiconductor laser device (5) comprising at least one semiconductor laser chip (7) is provided, wherein the semiconductor laser chip (7) contains an active layer that emits electromagnetic radiation. Further, at least one corner reflector (1) is formed in the semiconductor laser chip (7). The corner reflector (1) has a first and a second reflective surface (14, 15), wherein the first and the second reflective surface (14, 15) are arranged at an angle of less than 90 degrees with respect to one another. This results in an improved emission characteristic of the radiation emitted by the semiconductor laser device (5).

摘要翻译： 提供了包括至少一个半导体激光器芯片（7）的半导体激光器件（5），其中半导体激光器芯片（7）包含发射电磁辐射的有源层。 此外，在半导体激光芯片（7）中形成至少一个角部反射器（1）。 角部反射器（1）具有第一和第二反射表面（14,15），其中第一和第二反射表面（14,15）相对于彼此以小于90度的角度布置。 这导致半导体激光装置（5）发射的辐射的发射特性得到改善。

公开(公告)号：US20080303038A1

公开(公告)日：2008-12-11

申请号：US11885204

申请日：2006-02-10

申请人： Stefan Grotsch ,  Berthold Hahn ,  Stefan Illek ,  Wolfgang Schnabel

发明人： Stefan Grotsch ,  Berthold Hahn ,  Stefan Illek ,  Wolfgang Schnabel

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L25/0753 ,  F21K9/00 ,  H01L33/20 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041

摘要： A module comprising a regular arrangement of individual radiation-emitting semiconductor bodies (1) which are applied on a mounting area (6) of a carrier (2), wherein a wire connection is fitted between two adjacent radiation-emitting semiconductor bodies (1) on a top side, opposite to the mounting area (6), of the two radiation-emitting semiconductor bodies (1).

摘要翻译： 一种模块，包括施加在载体（2）的安装区域（6）上的各个辐射发射半导体体（1）的规则排列，其中，线连接装配在两个相邻的发射辐射半导体体（1）之间， 在两个辐射发射半导体本体（1）的顶侧上与安装区域（6）相对。