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    METHODS FOR CONTROLLING DEFECTS FOR EXTREME ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY (EUVL) PHOTOMASK SUBSTRATE
    42.
    发明申请
    METHODS FOR CONTROLLING DEFECTS FOR EXTREME ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY (EUVL) PHOTOMASK SUBSTRATE 有权
    控制超极紫外光刻（EUVL）光电子基板缺陷的方法

    公开(公告)号：US20140045103A1

    公开(公告)日：2014-02-13

    申请号：US13774010

    申请日：2013-02-22

    申请人： Banqiu Wu ,  Ajay Kumar ,  Omkaram Nalamasu

    发明人： Banqiu Wu ,  Ajay Kumar ,  Omkaram Nalamasu

    IPC分类号： G03F1/00

    CPC分类号： G03F1/00 ,  G03F1/22 ,  G03F1/60

    摘要： Methods for providing a silicon layer on a photomask substrate surface with minimum defeats for fabricating film stack thereon for EUVL applications are provided. In one embodiment, a method for forming a silicon layer on a photomask substrate includes performing an oxidation process to form a silicon oxide layer on a surface of a first substrate wherein the first substrate comprises a crystalline silicon material, performing an ion implantation process to define a cleavage plane in the first substrate, and bonding the silicon oxide layer to a surface of a second substrate, wherein the second substrate is a quartz photomask.

    摘要翻译： 提供了用于在光掩模衬底表面上提供硅层的方法，其中用于在EUVL应用中制造膜堆叠的最小失败。 在一个实施例中，在光掩模衬底上形成硅层的方法包括在第一衬底的表面上执行氧化处理以形成氧化硅层，其中第一衬底包括结晶硅材料，执行离子注入工艺以界定 在第一衬底中的解理面，并将氧化硅层接合到第二衬底的表面，其中第二衬底是石英光掩模。

    METHODS AND APPARATUS FOR CONTROLLING PHOTORESIST LINE WIDTH ROUGHNESS WITH ENHANCED ELECTRON SPIN CONTROL
    46.
    发明申请
    METHODS AND APPARATUS FOR CONTROLLING PHOTORESIST LINE WIDTH ROUGHNESS WITH ENHANCED ELECTRON SPIN CONTROL 审中-公开
    用于控制光电子束宽度粗糙度的方法和装置，具有增强的电子旋转控制

    公开(公告)号：US20120318773A1

    公开(公告)日：2012-12-20

    申请号：US13455753

    申请日：2012-04-25

    申请人： Banqiu Wu ,  Ajay Kumar ,  Kartik Ramaswamy ,  Omkaram Nalamasu

    发明人： Banqiu Wu ,  Ajay Kumar ,  Kartik Ramaswamy ,  Omkaram Nalamasu

    IPC分类号： B44C1/22 ,  B05C13/00

    CPC分类号： H01J37/32669 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31144

    摘要： The present invention provides methods and an apparatus for controlling and modifying line width roughness (LWR) of a photoresist layer with enhanced electron spinning control. In one embodiment, an apparatus for controlling a line width roughness of a photoresist layer disposed on a substrate includes a processing chamber having a chamber body having a top wall, side wall and a bottom wall defining an interior processing region, a support pedestal disposed in the interior processing region of the processing chamber, and a plasma generator source disposed in the processing chamber operable to provide predominantly an electron beam source to the interior processing region.

    摘要翻译： 本发明提供了通过增强的电子纺丝控制来控制和修改光致抗蚀剂层的线宽粗糙度（LWR）的方法和装置。 在一个实施例中，用于控制设置在基板上的光致抗蚀剂层的线宽粗糙度的装置包括处理室，该处理室具有室主体，该室主体具有限定内部处理区域的顶壁，侧壁和底壁， 处理室的内部处理区域和设置在处理室中的等离子体发生器源，其可操作以主要向内部处理区域提供电子束源。