公开(公告)号：US07056560B2

公开(公告)日：2006-06-06

申请号：US10773060

申请日：2004-02-04

申请人： Kang Sub Yim ,  Yi Zheng ,  Srinivas D. Nemani ,  Li-Qun Xia ,  Eric P. Hollar

发明人： Kang Sub Yim ,  Yi Zheng ,  Srinivas D. Nemani ,  Li-Qun Xia ,  Eric P. Hollar

IPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/48 ,  C23C16/42 ,  C23C16/40 ,  H01L21/473

CPC分类号： C23C16/401 ,  B05D1/60 ,  B05D3/068 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825

摘要： A method for depositing a low dielectric constant film is provided by reacting a gas mixture including one or more linear, oxygen-free organosilicon compounds, one or more oxygen-free hydrocarbon compounds comprising one ring and one or two carbon-carbon double bonds in the ring, and one or more oxidizing gases. Optionally, the low dielectric constant film is post-treated after it is deposited. In one aspect, the post treatment is an electron beam treatment.

摘要翻译： 一种沉积低介电常数膜的方法是通过使含有一种或多种线性无氧有机硅化合物的气体混合物，一种或多种包含一个环和一个或两个碳 - 碳双键的无氧烃化合物反应在 环和一种或多种氧化性气体。 任选地，低介电常数膜在沉积后进行后处理。 一方面，后处理是电子束处理。

公开(公告)号：US07745328B2

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：US12255644

申请日：2008-10-21

申请人： Kang Sub Yim ,  Melissa M. Tam ,  Dian Sugiarto ,  Chi-I Lang ,  Peter Wai-Man Lee ,  Li-Qun Xia

发明人： Kang Sub Yim ,  Melissa M. Tam ,  Dian Sugiarto ,  Chi-I Lang ,  Peter Wai-Man Lee ,  Li-Qun Xia

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76834 ,  C23C16/30 ,  C23C16/325 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832

摘要： Methods are provided for depositing a silicon carbide layer having significantly reduced current leakage. The silicon carbide layer may be a barrier layer or part of a barrier bilayer that also includes a barrier layer. Methods for depositing oxygen-doped silicon carbide barrier layers are also provided. The silicon carbide layer may be deposited by reacting a gas mixture comprising an organosilicon compound, an aliphatic hydrocarbon comprising a carbon-carbon double bond or a carbon-carbon triple bond, and optionally, helium in a plasma. Alternatively, the silicon carbide layer may be deposited by reacting a gas mixture comprising hydrogen or argon and an organosilicon compound in a plasma.

摘要翻译： 提供了用于沉积具有显着降低的电流泄漏的碳化硅层的方法。 碳化硅层可以是还包括阻挡层的阻挡层或阻挡层双层的一部分。 还提供了沉积氧掺杂的碳化硅阻挡层的方法。 可以通过使包含有机硅化合物，包含碳 - 碳双键或碳 - 碳三键的脂族烃和任选地在等离子体中的氦气的气体混合物反应来沉积碳化硅层。 或者，可以通过在等离子体中使包含氢或氩的气体混合物和有机硅化合物反应来沉积碳化硅层。

公开(公告)号：US07253123B2

公开(公告)日：2007-08-07

申请号：US11032859

申请日：2005-01-10

申请人： Reza Arghavani ,  Michael Chiu Kwan ,  Li-Qun Xia ,  Kang Sub Yim

发明人： Reza Arghavani ,  Michael Chiu Kwan ,  Li-Qun Xia ,  Kang Sub Yim

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L29/4983 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/6659

摘要： A method for forming sidewall spacers on a gate stack by depositing one or more layers of silicon containing materials using PECVD process(es) on a gate structure to produce a spacer having an overall k value of about 3.0 to about 5.0. The silicon containing materials may be silicon carbide, oxygen doped silicon carbide, nitrogen doped silicon carbide, carbon doped silicon nitride, nitrogen doped silicon oxycarbide, or combinations thereof. The deposition is performed in a plasma enhanced chemical vapor deposition chamber and the deposition temperature is less than 450° C. The sidewall spacers so produced provide good capacity resistance, as well as excellent structural stability and hermeticity.

摘要翻译： 一种用于在栅极堆叠上形成侧壁间隔物的方法，其通过在栅极结构上使用PECVD工艺沉积一层或多层含硅材料以产生具有约3.0至约5.0的总k值的间隔物。 含硅材料可以是碳化硅，氧掺杂碳化硅，氮掺杂碳化硅，碳掺杂氮化硅，氮掺杂碳氧化碳或其组合。 沉积在等离子体增强化学气相沉积室中进行，并且沉积温度低于450℃。如此制备的侧壁间隔物提供了良好的容量阻力以及良好的结构稳定性和气密性。

公开(公告)号：US07157384B2

公开(公告)日：2007-01-02

申请号：US11021319

申请日：2004-12-22

申请人： Kang Sub Yim ,  Melissa M. Tam ,  Dian Sugiarto ,  Chi-I Lang ,  Peter Wai-Man Lee ,  Li-Qun Xia

发明人： Kang Sub Yim ,  Melissa M. Tam ,  Dian Sugiarto ,  Chi-I Lang ,  Peter Wai-Man Lee ,  Li-Qun Xia

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/76834 ,  C23C16/30 ,  C23C16/325 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832

摘要： Methods are provided for depositing a silicon carbide layer having significantly reduced current leakage. The silicon carbide layer may be a barrier layer or part of a barrier bilayer that also includes a barrier layer. Methods for depositing oxygen-doped silicon carbide barrier layers are also provided. The silicon carbide layer may be deposited by reacting a gas mixture comprising an organosilicon compound, an aliphatic hydrocarbon comprising a carbon-carbon double bond or a carbon-carbon triple bond, and optionally, helium in a plasma. Alternatively, the silicon carbide layer may be deposited by reacting a gas mixture comprising hydrogen or argon and an organosilicon compound in a plasma.

摘要翻译： 提供了用于沉积具有显着降低的电流泄漏的碳化硅层的方法。 碳化硅层可以是还包括阻挡层的阻挡层或阻挡层双层的一部分。 还提供了沉积氧掺杂的碳化硅阻挡层的方法。 可以通过使包含有机硅化合物，包含碳 - 碳双键或碳 - 碳三键的脂族烃和任选地在等离子体中的氦气的气体混合物反应来沉积碳化硅层。 或者，可以通过在等离子体中使包含氢或氩的气体混合物和有机硅化合物反应来沉积碳化硅层。

公开(公告)号：US20090053902A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US12255644

申请日：2008-10-21

申请人： Kang Sub Yim ,  Melissa M. Tam ,  Dian Sugiarto ,  Chi-I Lang ,  Peter Wai-Man Lee ,  Li-Qun Xia

发明人： Kang Sub Yim ,  Melissa M. Tam ,  Dian Sugiarto ,  Chi-I Lang ,  Peter Wai-Man Lee ,  Li-Qun Xia

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76834 ,  C23C16/30 ,  C23C16/325 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832

摘要： Methods are provided for depositing a silicon carbide layer having significantly reduced current leakage. The silicon carbide layer may be a barrier layer or part of a barrier bilayer that also includes a barrier layer. Methods for depositing oxygen-doped silicon carbide barrier layers are also provided. The silicon carbide layer may be deposited by reacting a gas mixture comprising an organosilicon compound, an aliphatic hydrocarbon comprising a carbon-carbon double bond or a carbon-carbon triple bond, and optionally, helium in a plasma. Alternatively, the silicon carbide layer may be deposited by reacting a gas mixture comprising hydrogen or argon and an organosilicon compound in a plasma.

摘要翻译： 提供了用于沉积具有显着降低的电流泄漏的碳化硅层的方法。 碳化硅层可以是还包括阻挡层的阻挡层或阻挡层双层的一部分。 还提供了沉积氧掺杂的碳化硅阻挡层的方法。 可以通过使包含有机硅化合物，包含碳 - 碳双键或碳 - 碳三键的脂族烃和任选地在等离子体中的氦气的气体混合物反应来沉积碳化硅层。 或者，可以通过在等离子体中使包含氢或氩的气体混合物和有机硅化合物反应来沉积碳化硅层。

公开(公告)号：US07422776B2

公开(公告)日：2008-09-09

申请号：US11149826

申请日：2005-06-10

申请人： Kang Sub Yim ,  Lihua Li Huang ,  Francimar Schmitt ,  Li-Qun Xia

发明人： Kang Sub Yim ,  Lihua Li Huang ,  Francimar Schmitt ,  Li-Qun Xia

IPC分类号： H05H1/24

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76835

摘要： Low K dielectric films exhibiting low mechanical stress may be formed utilizing various techniques in accordance with the present invention. In one embodiment, carbon-containing silicon oxide films are formed by plasma-assisted chemical vapor deposition at low temperatures (300° C. or less). In accordance with another embodiment, as-deposited carbon containing silicon oxide films incorporate a porogen whose subsequent liberation reduces film stress.

摘要翻译： 可以使用根据本发明的各种技术来形成表现出低机械应力的低K电介质膜。 在一个实施方案中，通过在低温（300℃或更低）下的等离子体辅助化学气相沉积形成含碳氧化硅膜。 根据另一个实施方案，沉积的含碳氧化硅膜含有致孔剂，其随后的释放降低膜应力。

公开(公告)号：US07465659B2

公开(公告)日：2008-12-16

申请号：US11426141

申请日：2006-06-23

申请人： Kang Sub Yim ,  Melissa M. Tam ,  Dian Sugiarto ,  Chi-I Lang ,  Peter Wai-Man Lee ,  Li-Qun Xia

发明人： Kang Sub Yim ,  Melissa M. Tam ,  Dian Sugiarto ,  Chi-I Lang ,  Peter Wai-Man Lee ,  Li-Qun Xia

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76834 ,  C23C16/30 ,  C23C16/325 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832

摘要： Methods are provided for depositing a silicon carbide layer having significantly reduced current leakage. The silicon carbide layer may be a barrier layer or part of a barrier bilayer that also includes a barrier layer. Methods for depositing oxygen-doped silicon carbide barrier layers are also provided. The silicon carbide layer may be deposited by reacting a gas mixture comprising an organosilicon compound, an aliphatic hydrocarbon comprising a carbon-carbon double bond or a carbon-carbon triple bond, and optionally, helium in a plasma. Alternatively, the silicon carbide layer may be deposited by reacting a gas mixture comprising hydrogen or argon and an organosilicon compound in a plasma.

摘要翻译： 提供了用于沉积具有显着降低的电流泄漏的碳化硅层的方法。 碳化硅层可以是还包括阻挡层的阻挡层或阻挡层双层的一部分。 还提供了沉积氧掺杂的碳化硅阻挡层的方法。 可以通过使包含有机硅化合物，包含碳 - 碳双键或碳 - 碳三键的脂族烃和任选地在等离子体中的氦气的气体混合物反应来沉积碳化硅层。 或者，可以通过在等离子体中使包含氢或氩的气体混合物和有机硅化合物反应来沉积碳化硅层。

公开(公告)号：US07422774B2

公开(公告)日：2008-09-09

申请号：US11076181

申请日：2005-03-09

申请人： Yi Zheng ,  Srinivas D. Nemani ,  Li-Qun Xia ,  Eric Hollar ,  Kang Sub Yim

发明人： Yi Zheng ,  Srinivas D. Nemani ,  Li-Qun Xia ,  Eric Hollar ,  Kang Sub Yim

IPC分类号： B05D3/06 ,  B05D5/12 ,  C23C16/56 ,  C23C16/40 ,  C23C16/42 ,  C23C16/48 ,  C23C16/50

CPC分类号： C23C16/401 ,  B05D1/60 ,  B05D3/068 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/7681

摘要： The present invention generally provides a method for depositing a low dielectric constant film using an e-beam treatment. In one aspect, the method includes delivering a gas mixture comprising one or more organosilicon compounds and one or more hydrocarbon compounds having at least one cyclic group to a substrate surface at deposition conditions sufficient to deposit a non-cured film comprising the at least one cyclic group on the substrate surface. The method further includes substantially removing the at least one cyclic group from the non-cured film using an electron beam at curing conditions sufficient to provide a dielectric constant less than 2.5 and a hardness greater than 0.5 GPa.

摘要翻译： 本发明通常提供使用电子束处理沉积低介电常数膜的方法。 在一个方面，该方法包括在足以沉积包含至少一个环状基团的非固化膜的沉积条件下将包含一种或多种有机硅化合物和一种或多种具有至少一个环状基团的烃化合物的气体混合物递送到基底表面 组在基板表面上。 该方法还包括在足以提供小于2.5的介电常数和大于0.5GPa的硬度的固化条件下使用电子束从非固化膜中基本上除去至少一个环状基团。

公开(公告)号：US06838393B2

公开(公告)日：2005-01-04

申请号：US10247404

申请日：2002-09-19

申请人： Kang Sub Yim ,  Melissa M. Tam ,  Dian Sugiarto ,  Chi-I Lang ,  Peter Wai-Man Lee ,  Li-Qun Xia

发明人： Kang Sub Yim ,  Melissa M. Tam ,  Dian Sugiarto ,  Chi-I Lang ,  Peter Wai-Man Lee ,  Li-Qun Xia

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/311 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L21/469 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/76834 ,  C23C16/30 ,  C23C16/325 ,  C23C16/401 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832

摘要： Methods are provided for depositing a silicon carbide layer having significantly reduced current leakage. The silicon carbide layer may be a barrier layer or part of a barrier bilayer that also includes a barrier layer. Methods for depositing oxygen-doped silicon carbide barrier layers are also provided. The silicon carbide layer may be deposited by reacting a gas mixture comprising an organosilicon compound, an aliphatic hydrocarbon comprising a carbon-carbon double bond or a carbon-carbon triple bond, and optionally, helium in a plasma. Alternatively, the silicon carbide layer may be deposited by reacting a gas mixture comprising hydrogen or argon and an organosilicon compound in a plasma.

摘要翻译： 提供了用于沉积具有显着降低的电流泄漏的碳化硅层的方法。 碳化硅层可以是还包括阻挡层的阻挡层或阻挡层双层的一部分。 还提供了沉积氧掺杂的碳化硅阻挡层的方法。 可以通过使包含有机硅化合物，包含碳 - 碳双键或碳 - 碳三键的脂族烃和任选地在等离子体中的氦气的气体混合物反应来沉积碳化硅层。 或者，可以通过在等离子体中使包含氢或氩的气体混合物和有机硅化合物反应来沉积碳化硅层。

公开(公告)号：US09984868B2

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：US14211024

申请日：2014-03-14

申请人： Victor Nguyen ,  Woong Jae Lee ,  Mihaela Balseanu ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty

发明人： Victor Nguyen ,  Woong Jae Lee ,  Mihaela Balseanu ,  Li-Qun Xia ,  Derek R. Witty

IPC分类号： H01L21/469 ,  H01L21/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348

摘要： Provided are methods of for deposition of SiN films via PEALD processes. Certain methods pertain to exposing a substrate surface to a silicon precursor to provide a silicon precursor at the substrate surface; purging excess silicon precursor; exposing the substrate surface to an ionized reducing agent; and purging excess ionized reducing agent to provide a film comprising SiN, wherein the substrate has a temperature of 23° C. to about 550° C.