公开(公告)号：USD394705S

公开(公告)日：1998-05-26

申请号：US70200

申请日：1997-05-02

申请人： Subhash Gupta

设计人： Subhash Gupta

公开(公告)号：USD377417S

公开(公告)日：1997-01-21

申请号：US52832

申请日：1996-04-08

申请人： Subhash Gupta

设计人： Subhash Gupta

公开(公告)号：US5348615A

公开(公告)日：1994-09-20

申请号：US119903

申请日：1993-09-10

申请人： Subhash Gupta

发明人： Subhash Gupta

IPC分类号： B24B37/04 ,  H01L21/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

CPC分类号： H01L21/32115 ,  B24B37/042 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/67075

摘要： Technique and apparatus for planarizing microsteps on a substrate by compressing the surface to be smoothed against a frozen layer of an etchant, where the compressive force is sufficient to melt the etchant at the contact edges between said microsteps and said etchant.

摘要翻译： 通过将待平滑的表面压靠在蚀刻剂的冷冻层上来平坦化基底上的微步的技术和装置，其中压缩力足以熔化所述微步和蚀刻剂之间的接触边缘处的蚀刻剂。

公开(公告)号：US5265006A

公开(公告)日：1993-11-23

申请号：US633960

申请日：1990-12-26

申请人： Ajay K. Asthana ,  Subhash Gupta ,  Ravi Mehrotra ,  Sharad Singhal

发明人： Ajay K. Asthana ,  Subhash Gupta ,  Ravi Mehrotra ,  Sharad Singhal

IPC分类号： G06Q10/06 ,  G06Q10/08 ,  G06F15/20

CPC分类号： G06Q10/06 ,  G06Q10/06312 ,  G06Q10/06316 ,  G06Q10/08

摘要： Method and apparatus for a demand scheduled partial carrier load planning system for the transportation industry, designed to distribute planned and random orders, each order having a source point and a destination point in the territory served, and for distributing products and materials in a predetermined geographic territory, primarily intended for use in connection with wheeled vehicles traveling over public highways.

摘要翻译： 用于运输行业的需求调度部分载体负荷计划系统的方法和装置，旨在分发计划和随机订单，每个订单在所服务的领域具有源点和目的地点，以及在预定地理区域中分发产品和材料 领土，主要用于与在公共高速公路上行驶的轮式车辆相关联。

公开(公告)号：US5037506A

公开(公告)日：1991-08-06

申请号：US579064

申请日：1990-09-06

申请人： Subhash Gupta ,  Bhanwar Singh ,  Ahmad Waleh

发明人： Subhash Gupta ,  Bhanwar Singh ,  Ahmad Waleh

IPC分类号： G03F7/42 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H05K3/26

CPC分类号： H01L21/02046 ,  G03F7/42 ,  H01L21/31138 ,  H05K3/26 ,  Y10S134/902 ,  Y10S438/906

摘要： Gaseous sulfur trioxide is used to remove various organic coatings, polymerized photoresist, and especially implant and deep-UV hardened photoresist layers, during the manufacture of semiconductor or ceramic devices.

摘要翻译： 在制造半导体或陶瓷器件期间，使用气态三氧化硫去除各种有机涂层，聚合光致抗蚀剂，特别是植入物和深UV固化的光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：US06683002B1

公开(公告)日：2004-01-27

申请号：US09636580

申请日：2000-08-10

申请人： Simon Chooi ,  Yakub Aliyu ,  Mei Sheng Zhou ,  John Leonard Sudijono ,  Subhash Gupta ,  Sudipto Ranendra Roy ,  Paul Kwok Keung Ho ,  Yi Xu

发明人： Simon Chooi ,  Yakub Aliyu ,  Mei Sheng Zhou ,  John Leonard Sudijono ,  Subhash Gupta ,  Sudipto Ranendra Roy ,  Paul Kwok Keung Ho ,  Yi Xu

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L21/76844 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/314 ,  H01L21/76807

摘要： Method and product for forming a dual damascene interconnect structure, wherein depositing a copper sulfide interface layer as sidewalls to the opening deters migration or diffusing of copper ions into the dielectric material.

公开(公告)号：US06566260B2

公开(公告)日：2003-05-20

申请号：US09925822

申请日：2001-08-10

申请人： Simon Chooi ,  Subhash Gupta ,  Mei-Sheng Zhou ,  Sangki Hong

发明人： Simon Chooi ,  Subhash Gupta ,  Mei-Sheng Zhou ,  Sangki Hong

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L21/76832 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

摘要： A method for forming dual-damascene type conducting interconnects with non-metallic barriers that protect said interconnects from fluorine out-diffusion from surrounding low-k, fluorinated dielectric materials. One embodiment of the method is particularly suited for forming such interconnects in microelectronics fabrications of the sub 0.15 micron generation.

公开(公告)号：US06515342B1

公开(公告)日：2003-02-04

申请号：US09557680

申请日：2000-04-25

申请人： Subhash Gupta ,  Bhanwar Singh ,  Carmen Morales

发明人： Subhash Gupta ,  Bhanwar Singh ,  Carmen Morales

IPC分类号： H01L2900

CPC分类号： G03F7/16 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3124

摘要： A system and method for forming a plurality of structures in a low dielectric constant layer is disclosed. The low dielectric constant layer is disposed on a semiconductor. The method and system include exposing the low dielectric constant layer to an agent that improves adhesion of a photoresist, providing a layer of the photoresist on the low dielectric constant layer, patterning the photoresist, and etching the low dielectric constant layer to form the plurality of structures.

摘要翻译： 公开了一种用于在低介电常数层中形成多个结构的系统和方法。 低介电常数层设置在半导体上。 所述方法和系统包括将低介电常数层暴露于改善光致抗蚀剂的粘附性的试剂，在低介电常数层上提供光致抗蚀剂层，图案化光致抗蚀剂，以及蚀刻低介电常数层以形成多个 结构。

公开(公告)号：US06417088B1

公开(公告)日：2002-07-09

申请号：US09624019

申请日：2000-07-24

申请人： Kwok Keung Paul Ho ,  Yi Xu ,  Simon Chooi ,  Yakub Aliyu ,  Mei Sheng Zhou ,  John Leonard Sudijono ,  Subhash Gupta ,  Sudipto Ranendra Roy

发明人： Kwok Keung Paul Ho ,  Yi Xu ,  Simon Chooi ,  Yakub Aliyu ,  Mei Sheng Zhou ,  John Leonard Sudijono ,  Subhash Gupta ,  Sudipto Ranendra Roy

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L24/48 ,  H01L21/288 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744

摘要： A method of forming a conductive cap layer over a metal bonding pad comprises the following steps. A semiconductor structure is provided having an exposed, recessed metal bonding pad within a layer opening. The layer has an upper surface. The exposed metal bonding pad is treated with a solution containing soluble metal ions to form a conductive cap over the metal bonding pad. The conductive cap layer is comprised of the solution metal and has a predetermined thickness. An external bonding element may then be bonded to the conductive cap, forming an electrical connection with the metal bonding pad.

摘要翻译： 在金属焊盘上形成导电盖层的方法包括以下步骤。 提供了一种半导体结构，其在层开口内具有暴露的凹陷的金属接合焊盘。 该层具有上表面。 暴露的金属焊盘用含有可溶性金属离子的溶液处理，以在金属焊盘上形成导电盖。 导电盖层由溶液金属构成并具有预定的厚度。 然后可以将外部接合元件接合到导电盖，与金属接合焊盘形成电连接。

公开(公告)号：US06394114B1

公开(公告)日：2002-05-28

申请号：US09442312

申请日：1999-11-22

申请人： Subhash Gupta ,  Simon Chooi ,  Paul Ho ,  Mei Sheng Zhou

发明人： Subhash Gupta ,  Simon Chooi ,  Paul Ho ,  Mei Sheng Zhou

IPC分类号： C23G114

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C23F1/34 ,  H01L21/7684 ,  Y10S134/902

摘要： An inexpensive and safe copper removal method in the fabrication of integrated circuits is described. Copper is stripped or removed by a chemical mixture comprising an ammonium salt, an amine, and water. The rate of copper stripping can be controlled by varying the concentration of the ammonium salt component and the amount of water in the mixture. Also a novel chemical mixture for stripping copper and removing copper contamination is provided. The novel chemical mixture for removing or stripping copper comprises an ammonium salt, an amine, and water. For example, the novel chemical mixture may comprise ammonium fluoride, water, and ethylenediamine in a ratio of 1:1:1.

摘要翻译： 描述了在制造集成电路中的便宜且安全的铜去除方法。 通过包含铵盐，胺和水的化学混合物将铜剥离或除去。 可以通过改变铵盐组分的浓度和混合物中的水量来控制铜汽提速率。 还提供了一种用于剥离铜并除去铜污染物的新型化学混合物。 用于除去或剥离铜的新型化学混合物包括铵盐，胺和水。 例如，新型化学混合物可以包含比例为1:1:1的氟化铵，水和乙二胺。