公开(公告)号：US5719985A

公开(公告)日：1998-02-17

申请号：US500955

申请日：1995-08-23

申请人： Norikazu Ito ,  Satoshi Yutani ,  Satoshi Yoneya

发明人： Norikazu Ito ,  Satoshi Yutani ,  Satoshi Yoneya

IPC分类号： G11B20/00 ,  G11B20/10 ,  G11B20/18 ,  G11B27/024 ,  G11B27/031 ,  G11B27/032 ,  G11B27/034 ,  H04N7/173 ,  H04N5/781 ,  H04N5/92

CPC分类号： G11B20/00007 ,  G11B20/10527 ,  G11B20/1833 ,  G11B27/034 ,  H04N7/17336 ,  G11B20/18 ,  G11B2220/2525 ,  G11B2220/41 ,  G11B2220/90 ,  G11B27/024 ,  G11B27/031 ,  G11B27/032

摘要： A data compressing unit compresses information data inputted from an input unit. An input buffer unit temporarily stores the compressed data obtained by the data compressing unit. A recording/reproducing unit records the compressed data read out from the input buffer unit onto a recording medium, and reproduces the compressed data recorded on the recording medium. An output buffer unit temporarily stores the compressed data reproduced by the recording/reproducing unit. A data expanding unit expands the compressed data read out from the output buffer unit. An output unit outputs data expanded by the expanding unit. For this reason, when one set or cluster of information data is assumed to be information data file, it is possible to reproduce, without necessity of interruption of recording of the entirety of the information data file, the portion recorded earlier, e.g., by several minutes to several tens minutes within the same information data file.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP94 / 02195 Sec。 371日期1995年8月23日 102（e）日期1995年8月23日PCT 1994年12月22日PCT PCT。 公开号WO95 / 18447 日期：1995年6月7日数据压缩单元压缩从输入单元输入的信息数据。 输入缓冲器单元临时存储由数据压缩单元获得的压缩数据。 记录/再现单元将从输入缓冲器单元读出的压缩数据记录到记录介质上，并再现记录在记录介质上的压缩数据。 输出缓冲器单元临时存储由记录/再现单元再现的压缩数据。 数据扩展单元扩展从输出缓冲器单元读出的压缩数据。 输出单元输出扩展单元扩展的数据。 因此，当将一组或多组信息数据假设为信息数据文件时，可以不必中断记录整个信息数据文件，例如几个 在同一信息数据文件中几分钟到几十分钟。

公开(公告)号：US09206513B2

公开(公告)日：2015-12-08

申请号：US13510914

申请日：2010-11-22

申请人： Norikazu Ito ,  Koichiro Niira ,  Shinichiro Inaba

发明人： Norikazu Ito ,  Koichiro Niira ,  Shinichiro Inaba

IPC分类号： C23C14/26 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32 ,  C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  C23C16/452 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

CPC分类号： C23C16/45574 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/505 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

摘要： First and second electrodes are apart from each other in a chamber. Plates are disposed on a substrate in the second electrode. Each of the plates comprises first and second parts for supplying first and second gas to a space between the first and second electrodes, respectively, a first supply path for first gas connected to the first part, and a second supply path for second gas connected to the second part. The substrate comprises a heater for the first gas, a first introducing path for introducing the first gas to the first supply path, and a second introducing path for introducing the second gas to the second supply path. The second supply path comprises a mainstream part without the second part and branch parts with the second part. A connecting portion of the second introducing path and the mainstream part is positioned in an adjacent portion of the plates.

摘要翻译： 第一和第二电极在腔室中彼此分开。 板被设置在第二电极中的基板上。 每个板包括用于将第一和第二气体分别供应到第一和第二电极之间的空间的第一和第二部分，用于连接到第一部分的第一气体的第一供应路径和用于连接到第一部分的第二气体的第二供应路径 第二部分。 基板包括用于第一气体的加热器，用于将第一气体引入第一供应路径的第一引入路径和用于将第二气体引入第二供应路径的第二引入路径。 第二供应路径包括没有第二部分的主流部分和具有第二部分的分支部分。 第二引入路径和主流部分的连接部分位于板的相邻部分中。

公开(公告)号：US20140130860A1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：US14129518

申请日：2012-06-27

申请人： Norikazu Ito ,  Akira Murao ,  Makoto Onodera ,  Takeshi Ito

发明人： Norikazu Ito ,  Akira Murao ,  Makoto Onodera ,  Takeshi Ito

IPC分类号： H01L31/0232

CPC分类号： H01L31/02327 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45553 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/056 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/52 ,  Y02P70/521

摘要： A solar cell element and a method for forming an alumina film are disclosed. The method comprises: preparing a substrate; supplying sources of an aluminum source material that contains aluminum atoms and an oxygen source material that contains oxygen atoms comprising H2O and O3 to the substrate; and forming an alumina film on the substrate.

摘要翻译： 公开了太阳能电池元件和氧化铝膜的形成方法。 该方法包括：制备基材; 将含有铝原子的铝源材料源和含有包含H 2 O和O 3的氧原子的氧源材料供给到所述衬底; 在基板上形成氧化铝膜。

公开(公告)号：US20120228129A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：US13510914

申请日：2010-11-22

申请人： Norikazu Ito ,  Koichiro Niira ,  Shinichiro Inaba

发明人： Norikazu Ito ,  Koichiro Niira ,  Shinichiro Inaba

IPC分类号： C23C16/50 ,  C23C14/34 ,  C23C16/24

CPC分类号： C23C16/45574 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/505 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

摘要： First and second electrodes are apart from each other in a chamber. Plates are disposed on a substrate in the second electrode. Each of the plates comprises first and second parts for supplying first and second gas to a space between the first and second electrodes, respectively, a first supply path for first gas connected to the first part, and a second supply path for second gas connected to the second part. The substrate comprises a heater for the first gas, a first introducing path for introducing the first gas to the first supply path, and a second introducing path for introducing the second gas to the second supply path. The second supply path comprises a mainstream part without the second part and branch parts with the second part. A connecting portion of the second introducing path and the mainstream part is positioned in an adjacent portion of the plates.

摘要翻译： 第一和第二电极在腔室中彼此分开。 板被设置在第二电极中的基板上。 每个板包括用于将第一和第二气体分别供应到第一和第二电极之间的空间的第一和第二部分，用于连接到第一部分的第一气体的第一供应路径和用于连接到第一部分的第二气体的第二供应路径 第二部分。 基板包括用于第一气体的加热器，用于将第一气体引入第一供应路径的第一引入路径和用于将第二气体引入第二供应路径的第二引入路径。 第二供应路径包括没有第二部分的主流部分和具有第二部分的分支部分。 第二引入路径和主流部分的连接部分位于板的相邻部分中。

公开(公告)号：US20110135843A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：US13056112

申请日：2009-07-29

申请人： Koichiro Niira ,  Norikazu Ito ,  Sinichiro Inaba ,  Hiroshi Matsui

发明人： Koichiro Niira ,  Norikazu Ito ,  Sinichiro Inaba ,  Hiroshi Matsui

IPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L31/075 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： In order to form a high-quality Si-based film at high speed, for example, a deposited film forming device according to one aspect of the present invention includes: a chamber; a first electrode arranged in the chamber; and a second electrode arranged in the chamber and spaced a certain distance from the first electrode. The second electrode includes first and second supplying parts. The first supplying part supplies a first material gas and generates hollow cathode discharge. The second supplying part supplies a second material gas higher in decomposition rate than the first material gas.

摘要翻译： 为了高速形成高质量的Si系膜，例如，本发明的一方面的沉积膜形成装置包括：室; 布置在所述腔室中的第一电极; 以及布置在所述室中并与所述第一电极隔开一定距离的第二电极。 第二电极包括第一和第二供电部分。 第一供应部件供应第一原料气体并产生空心阴极放电。 第二供应部件提供比第一原料气体更高分解率的第二材料气体。

公开(公告)号：US20090278144A1

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：US12085564

申请日：2006-11-28

申请人： Masayuki Sonobe ,  Norikazu Ito ,  Mitsuhiko Sakai

发明人： Masayuki Sonobe ,  Norikazu Ito ,  Mitsuhiko Sakai

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01S5/18358 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/105 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

摘要： There is provided a nitride semiconductor light emitting device having a light reflection layer capable of preventing reflectivity from lowering and luminance from lowering due to deterioration of quality of an active layer. A nitride semiconductor laser includes at least a light emitting layer forming portion (3) provided on a first light reflection layer (2) provided on a substrate (1). The first light reflection layer (2) is formed with laminating a low refractivity layer (21) and a high refractivity layer (22) which have a different refractivity from each other, and the low refractivity layer (21) of the first light reflection layer is formed with a single layer structure of an AlxGa1-xN layer (0≦x≦1), and the high refractivity layer (22) of the first light reflection layer is formed with a multi layer structure formed by laminating alternately an AlyGa1-yN layer (0≦y≦0.5 and y

摘要翻译： 提供一种氮化物半导体发光器件，其具有能够防止由于有源层的质量劣化而引起的反射率降低和降低亮度的光反射层。 氮化物半导体激光器至少包括设置在设置在基板（1）上的第一光反射层（2）上的发光层形成部（3）。 第一光反射层（2）形成为具有彼此不同的折射率的低折射率层（21）和高折射率层（22），并且第一光反射层的低折射率层（21） 形成有Al x Ga 1-x N层（0 <= x <= 1）的单层结构，并且第一光反射层的高折射率层（22）形成有多层结构，其通过交替层叠AlyGa1 -yN层（0 <= y <= 0.5和y

公开(公告)号：US20090206357A1

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：US11884456

申请日：2006-02-15

申请人： Norikazu Ito ,  Kazuaki Tsutsumi ,  Toshio Nishida ,  Masayuki Sonobe ,  Mitsuhiko Sakai ,  Atsushi Yamaguchi

发明人： Norikazu Ito ,  Kazuaki Tsutsumi ,  Toshio Nishida ,  Masayuki Sonobe ,  Mitsuhiko Sakai ,  Atsushi Yamaguchi

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/20

摘要： There is provided a nitride semiconductor light emitting device in which a semiconductor layer is not broken easily even when a reverse voltage is applied or even in long time operation, and excellent reliability is obtained, by preventing semiconductor layers from deterioration when manufacturing a device. On a surface of a substrate (1), a semiconductor lamination portion (6) made of nitride semiconductor, including a first conductivity type layer (p-type layer (5)) and a second conductivity type layer (n-type layer (3)), is formed, a p-side electrode (8) is provided through a light transmitting conductive layer (7) thereon electrically connected to the p-type layer (5), and an n-side electrode (9) is provided electrically connected to the n-type layer (3) of the lower layer side of the semiconductor lamination portion(6). A mesa-like semiconductor lamination portion (6a) is formed by removing a part of the semiconductor lamination portion (6) around a chip by etching, and the mesa-like semiconductor lamination portion (6a) is formed such that a corner part having an angle of 90 degrees or less is rounded and has a curved line in a plan shape, thereby not to have an angle of 90 degrees or less on corner parts.

摘要翻译： 提供了一种氮化物半导体发光器件，其中即使当施加反向电压或者甚至长时间操作时，半导体层也不容易损坏，并且通过在制造器件时防止半导体层劣化，可以获得优异的可靠性。 在基板（1）的表面上，由氮化物半导体构成的包括第一导电型层（p型层（5））和第二导电型层（n型层（3））的半导体层叠部（6） ）），通过其上与p型层（5）电连接的透光导电层（7）设置p侧电极（8），并且n侧电极（9）电气地 连接到半导体层叠部分（6）的下层侧的n型层（3）。 通过蚀刻去除芯片周围的半导体层叠部分（6）的一部分形成台面状半导体层叠部（6a），并且形成台面状半导体层叠部（6a），使得具有 90度以下的角度是圆形的，并且具有平面形状的曲线，从而在角部不具有90度或更小的角度。

公开(公告)号：US20090121240A1

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：US12083836

申请日：2006-10-19

申请人： Yukio Shakuda ,  Masayuki Sonobe ,  Norikazu Ito

发明人： Yukio Shakuda ,  Masayuki Sonobe ,  Norikazu Ito

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L29/205 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L33/12 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： There is provided a nitride semiconductor device with low leakage current and high efficiency in which, while a zinc oxide based compound such as MgxZn1-xO (0≦x≦0.5) is used for a substrate, crystallinity of nitride semiconductor grown thereon is improved and film separation or cracks are prevented. The nitride semiconductor device is formed by laminating nitride semiconductor layers on a substrate (1) made of a zinc oxide based compound such as MgxZn1-xO (0≦x≦0.5). The nitride semiconductor layers include a first nitride semiconductor layer (2) made of AlyGa1-yN (0.05≦y≦0.2) which is provided in contact with the substrate (1), and nitride semiconductor layers (3) to (5) laminated on the first nitride semiconductor layer (2) so as to form a semiconductor element.

摘要翻译： 提供了一种具有低漏电流和高效率的氮化物半导体器件，其中，当将基于氧化锌的化合物如Mg x Zn 1-x O（0 <= x <= 0.5）用于衬底时，其上生长的氮化物半导体的结晶度为 防止了改进的膜分离或裂纹。 氮化物半导体器件通过在由诸如Mg x Zn 1-x O（0 <= x <= 0.5）的氧化锌基化合物制成的衬底（1）上层叠氮化物半导体层而形成。 氮化物半导体层包括与基板（1）接触地设置的Al y Ga 1-y N（0.05≤y≤0.2）和氮化物半导体层（3）〜（5）构成的第一氮化物半导体层（2） 层压在第一氮化物半导体层（2）上以形成半导体元件。

公开(公告)号：US20070278474A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11789035

申请日：2007-04-23

申请人： Kazuaki Tsutsumi ,  Norikazu Ito ,  Masayuki Sonobe ,  Hiroaki Ohta

发明人： Kazuaki Tsutsumi ,  Norikazu Ito ,  Masayuki Sonobe ,  Hiroaki Ohta

IPC分类号： H01L31/0312

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06

摘要： A semiconductor light emitting element includes an active layer of a quantum well structure, and an n-type semiconductor layer and a p-type semiconductor layer, formed to hold the active layer therebetween. The active layer includes at least a well layer containing InGaN, and at least two barrier layers formed to hold the well layer therebetween, and containing one of InGaN and GaN. The well layer is entirely doped with one of a group IV element and a group VI element. The respective barrier layer includes a first portion closer to the p-type semiconductor layer and a second portion closer to the n-type semiconductor layer. The first portion is doped with one of the group IV element and the group VI element. The second portion is undoped.

摘要翻译： 半导体发光元件包括量子阱结构的有源层，以及形成为将活性层保持在其间的n型半导体层和p型半导体层。 有源层至少包括含有InGaN的阱层，以及形成为将阱层保持在其间并且包含InGaN和GaN中的一个的至少两个势垒层。 阱层完全掺杂有IV族元素和VI族元素之一。 各个阻挡层包括靠近p型半导体层的第一部分和靠近n型半导体层的第二部分。 第一部分掺杂有IV族元素和VI族元素之一。 第二部分是未掺杂的。

公开(公告)号：US07047903B2

公开(公告)日：2006-05-23

申请号：US10466853

申请日：2002-01-21

申请人： Norikazu Ito

发明人： Norikazu Ito

IPC分类号： H01L21/306 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01J37/321 ,  C23C16/509

摘要： A plasma CVD apparatus is used to form thin films of excellent uniform thickness on both surfaces of a substrate without the step of turning a substrate over, and includes two connected vacuum chambers, each of which is equipped with a plurality of electrode array layers therein, whereby at least a pair of substrate holders are transported between adjacent electrode array layers in a first vacuum chamber to form a first thin film on the one surface of substrates facing the electrode array layers, and then transported into a second vacuum chamber so that the other surface of the substrates faces to an electrode array layer to form a second thin film on the other surface.

摘要翻译： 使用等离子体CVD装置在基板的两个表面上形成具有优异均匀厚度的薄膜，而不需要使基板转动的步骤，并且包括两个连接的真空室，每个在其中装备有多个电极阵列层， 由此在第一真空室中至少一对基板保持器在相邻的电极阵列层之间传送，以在面向电极阵列层的基板的一个表面上形成第一薄膜，然后输送到第二真空室，使得另一个 基板的表面面向电极阵列层，以在另一表面上形成第二薄膜。