公开(公告)号：US07964174B2

公开(公告)日：2011-06-21

申请号：US12198053

申请日：2008-08-25

申请人： Valery M. Dubin ,  Juan E. Dominguez ,  Chin-Chang Cheng

发明人： Valery M. Dubin ,  Juan E. Dominguez ,  Chin-Chang Cheng

IPC分类号： C01B31/02

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  C01B2202/06 ,  C23C18/1646 ,  C23C18/1666 ,  C23C18/1669 ,  C23C18/1882 ,  Y10S977/742 ,  Y10T428/2982

摘要： An apparatus and method for forming catalyst particles to grow nanotubes is disclosed. In addition, an apparatus and method for forming nanotubes using the catalytic particles is also disclosed. The particles formed may have different diameters depending upon how they are formed. Once formed, the particles are deposited on a substrate. Once deposited, the mobility of the particles is restricted and nanotubes and/or nanotube portions are grown on the particles. Nanotube portions having different diameters may be formed and the portions may be connected to form nanotubes with different diameters along the length of the nanotube.

摘要翻译： 公开了一种用于形成催化剂颗粒以生长纳米管的装置和方法。 此外，还公开了使用催化剂颗粒形成纳米管的装置和方法。 形成的颗粒可以具有不同的直径，这取决于它们的形成方式。 一旦形成，颗粒沉积在基底上。 一旦沉积，颗粒的迁移率受到限制，纳米管和/或纳米管部分在颗粒上生长。 可以形成具有不同直径的纳米管部分，并且可以将部分连接以形成沿着纳米管的长度具有不同直径的纳米管。

公开(公告)号：US20090278257A1

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：US11525984

申请日：2006-09-22

申请人： Valery M. Dubin

发明人： Valery M. Dubin

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L51/0049 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0019 ,  G11C13/025 ,  H01L51/0093 ,  Y10S977/788

摘要： Numerous embodiments of a method to assemble nano-materials on a platform are described. In one embodiment, a nano-material is functionalized with a first bondable group. The functionalized nano-material is disposed on an assembly platform having an electrode to form a first layer. Additional layers of the nano-material may be formed above the first layer to form a semiconductor device. In one embodiment, the nano-material may be a carbon nanotube.

摘要翻译： 描述了在平台上组装纳米材料的方法的许多实施例。 在一个实施方案中，纳米材料用第一可结合基团官能化。 功能化纳米材料设置在具有电极的组装平台上以形成第一层。 可以在第一层上方形成纳米材料的附加层以形成半导体器件。 在一个实施方案中，纳米材料可以是碳纳米管。

公开(公告)号：US20090224422A1

公开(公告)日：2009-09-10

申请号：US12319626

申请日：2009-01-09

申请人： Valery M. Dubin

发明人： Valery M. Dubin

IPC分类号： B05D3/06 ,  C25D3/02 ,  C25D3/30 ,  C25D3/46 ,  C25D3/38 ,  C25D3/12 ,  C25D3/26 ,  C25D3/04 ,  C25D3/50 ,  C25D3/54 ,  C25D3/48 ,  C25D3/22 ,  C25D3/10 ,  C25D3/32 ,  B05D1/18 ,  B29C41/42 ,  B29C45/14

CPC分类号： H01L24/31 ,  B01J23/74 ,  B01J37/0217 ,  B01J37/0226 ,  B01J37/348 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/373 ,  H01L23/433 ,  H01L24/28 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： Embodiments of a composite carbon nanotube structure comprising a number of carbon nanotubes disposed in a matrix comprised of a metal or a metal oxide. The composite carbon nanotube structures may be used as a thermal interface device in a packaged integrated circuit device.

摘要翻译： 复合碳纳米管结构的实施例包括设置在由金属或金属氧化物构成的基体中的多个碳纳米管。 复合碳纳米管结构可以用作封装集成电路器件中的热界面器件。

公开(公告)号：US07476967B2

公开(公告)日：2009-01-13

申请号：US11360096

申请日：2006-02-22

申请人： Valery M. Dubin

发明人： Valery M. Dubin

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/10 ,  H01L23/28 ,  H01L23/495 ,  H01L29/06 ,  H01L29/80 ,  H01L23/48 ,  H01L29/47

CPC分类号： H01L24/31 ,  B01J23/74 ,  B01J37/0217 ,  B01J37/0226 ,  B01J37/348 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/373 ,  H01L23/433 ,  H01L24/28 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： Embodiments of a composite carbon nanotube structure comprising a number of carbon nanotubes disposed in a matrix comprised of a metal or a metal oxide. The composite carbon nanotube structures may be used as a thermal interface device in a packaged integrated circuit device.

摘要翻译： 复合碳纳米管结构的实施例包括设置在由金属或金属氧化物构成的基体中的多个碳纳米管。 复合碳纳米管结构可以用作封装集成电路器件中的热界面器件。

公开(公告)号：US07365011B2

公开(公告)日：2008-04-29

申请号：US11269402

申请日：2005-11-07

申请人： Adrien R. Lavoie ,  Arnel Fajardo ,  Valery M. Dubin

发明人： Adrien R. Lavoie ,  Arnel Fajardo ,  Valery M. Dubin

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76876

摘要： A method of forming a copper interconnect on a substrate comprises providing a substrate that includes a dielectric layer and a trench etched into the dielectric layer, depositing a barrier layer within the trench, using a palladium immobilization process to form a metal catalyst layer on the barrier layer, activating the metal catalyst layer, and using a vapor deposition process to deposit a copper seed layer onto the metal catalyst layer. The vapor deposition process may include PVD, CVD, or ALD. An electroplating process or an electroless plating process may then be used to deposit a bulk copper layer onto the copper seed layer to fill the trench. A planarization process may follow to form the final interconnect structure.

摘要翻译： 在衬底上形成铜互连的方法包括提供衬底，该衬底包括介电层和蚀刻到电介质层中的沟槽，使用钯固定法在阻挡层中沉积势垒层，以在阻挡层上形成金属催化剂层 层，激活金属催化剂层，并使用气相沉积工艺将铜籽晶层沉积到金属催化剂层上。 气相沉积工艺可以包括PVD，CVD或ALD。 然后可以使用电镀工艺或无电电镀工艺将块状铜层沉积到铜种子层上以填充沟槽。 可以进行平面化处理以形成最终的互连结构。

公开(公告)号：US07312155B2

公开(公告)日：2007-12-25

申请号：US10819790

申请日：2004-04-07

申请人： Valery M. Dubin ,  Swaminathan Sivakumar ,  Andrew A. Berlin ,  Mark Bohr

发明人： Valery M. Dubin ,  Swaminathan Sivakumar ,  Andrew A. Berlin ,  Mark Bohr

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/00 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/76838 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/76852 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L2221/1094 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/936

摘要： A nano-electrode or nano-wire may be etched centrally to form a gap between nano-electrode portions. The portions may ultimately constitute a single electron transistor. The source and drain formed from the electrode portions are self-aligned with one another. Using spacer technology, the gap between the electrodes may be made very small.

摘要翻译： 可以将纳米电极或纳米线中心蚀刻以形成纳米电极部分之间的间隙。 这些部分可以最终构成单个电子晶体管。 由电极部分形成的源极和漏极彼此自对准。 使用间隔技术，可以使电极之间的间隙非常小。

公开(公告)号：US20070281476A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11446339

申请日：2006-06-02

申请人： Adrien R. Lavoie ,  Juan E. Dominguez ,  John J. Plombon ,  Valery M. Dubin ,  Harsono S. Simka ,  Joseph H. Han ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Jeffrey F. Roeder ,  Tiannu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum

发明人： Adrien R. Lavoie ,  Juan E. Dominguez ,  John J. Plombon ,  Valery M. Dubin ,  Harsono S. Simka ,  Joseph H. Han ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Jeffrey F. Roeder ,  Tiannu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/56

摘要： Methods and associated structures of forming a microelectronic structure are described. Those methods may comprise forming a thin conformal copper layer on a surface by utilizing a formation temperature below about 125 degrees Celsius.

摘要翻译： 描述了形成微电子结构的方法和相关结构。 那些方法可以包括通过利用低于约125摄氏度的地层温度在表面上形成薄的共形铜层。

公开(公告)号：US07279423B2

公开(公告)日：2007-10-09

申请号：US10284576

申请日：2002-10-31

申请人： Steven W. Johnston ,  Valery M. Dubin ,  Michael L. McSwiney ,  Peter Moon

发明人： Steven W. Johnston ,  Valery M. Dubin ,  Michael L. McSwiney ,  Peter Moon

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Noble metal may be used as a non-oxidizing diffusion barrier to prevent diffusion from copper lines. A diffusion barrier may be formed of a noble metal formed over an adhesion promoting layer or by a noble metal cap over an oxidizable diffusion barrier. The copper lines may also be covered with a noble metal.

摘要翻译： 贵金属可用作非氧化扩散阻挡层，以防止铜线扩散。 扩散阻挡层可以由在可氧化扩散阻挡层上形成在粘附促进层上或由贵金属盖形成的贵金属形成。 铜线也可以用贵金属覆盖。

公开(公告)号：US07262504B2

公开(公告)日：2007-08-28

申请号：US11192761

申请日：2005-07-29

申请人： Chin-Chang Cheng ,  Valery M. Dubin

发明人： Chin-Chang Cheng ,  Valery M. Dubin

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/76846 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/34 ,  C23C18/36 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76849 ,  H05K3/244 ,  H05K2203/072 ,  H05K2203/1476 ,  Y10T428/12576 ,  Y10T428/12861

摘要： A multiple stage method of electrolessly depositing a metal layer is presented. This method may have the two main stages of first forming a thin metal layer on a metal surface using an electroless plating solution containing activating agents that are highly reactive reducing agents, and second, forming a bulk metal layer over the thin metal layer by using an electroless plating solution containing mildly reactive reducing agents. Through this two stage method, the use of highly reactive reducing agents that may cause the formation of contaminant particles may be minimized. By minimizing the formation of contaminant particles in the electroless plating solution, the lifetime of the solution may be extended and the current leakage between metal interconnect lines may be reduced.

公开(公告)号：US07229922B2

公开(公告)日：2007-06-12

申请号：US10695249

申请日：2003-10-27

申请人： Valery M. Dubin ,  Ramanan V. Chebiam

发明人： Valery M. Dubin ,  Ramanan V. Chebiam

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method and apparatus for a semiconductor device having a semiconductor device having increased conductive material reliability is described. That method and apparatus comprises forming a conductive path on a substrate. The conductive path made of a first material. A second material is then deposited on the conductive path. Once the second material is deposited on the conductive path, the diffusion of the second material into the conductive path is facilitated. The second material has a predetermined solubility to substantially diffuse to grain boundaries within the first material.

摘要翻译： 描述了具有导电材料可靠性增加的半导体器件的半导体器件的方法和装置。 该方法和装置包括在衬底上形成导电路径。 由第一材料制成的导电路径。 然后将第二材料沉积在导电路径上。 一旦第二材料沉积在导电路径上，则促进了第二材料进入导电路径的扩散。 第二材料具有预定的溶解度以基本上扩散到第一材料内的晶界。