公开(公告)号：US08404878B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12981872

申请日：2010-12-30

申请人： Venkateswara R. Pallem ,  Christian Dussarrat

发明人： Venkateswara R. Pallem ,  Christian Dussarrat

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/22 ,  C23C16/16 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02205 ,  C07F7/003 ,  C07F7/28 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28229

摘要： Disclosed are titanium-containing precursors and methods of synthesizing the same. The compounds may be used to deposit titanium, titanium oxide, strontium-titanium oxide, and barium strontium titanate containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.

摘要翻译： 公开了含钛前体及其合成方法。 该化合物可用于使用诸如化学气相沉积或原子层沉积的气相沉积方法沉积钛，氧化钛，锶 - 氧化钛和含钛酸钡锶层。

公开(公告)号：US08304021B2

公开(公告)日：2012-11-06

申请号：US12561836

申请日：2009-09-17

申请人： Tomoe Yamamoto ,  Tomohisa Iino

发明人： Tomoe Yamamoto ,  Tomohisa Iino

IPC分类号： C23C16/16 ,  C23C16/18 ,  C23C16/52 ,  C23F1/00 ,  H01L21/36 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C16/4485 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67248

摘要： A vapor phase deposition apparatus 100 for forming a thin film comprising a chamber 1060, a piping unit 120 for supplying a source material of the thin film into the chamber 1060 in a gaseous condition, a vaporizer 202 for vaporizing the source material in a source material container 112 and supplying the vaporized gas in the piping unit 120 and a temperature control unit 180, is presented. The temperature control unit 180 comprises: a first temperature control unit 174, which is composed of a heater controller unit 172 and a tape heater 170 and is capable of controlling the temperature of the first piping 116 in the piping unit 120 that is directly connected to the chamber 1060; a second temperature control unit 176, which is composed of a heater controller unit 168 and a tape heater 166 and is capable of controlling the temperature of the second piping 114 that is connected to the vaporizer; and a third temperature control unit 178, which is composed of a heater controller unit 167 and a thermostatic chamber 153 and is capable of controlling the temperature of the valve 159.

摘要翻译： 用于形成薄膜的气相沉积装置100包括：室1060;用于以气态将薄膜源材料供应到室1060中的管道单元120;蒸发器202，用于蒸发源材料中的源材料 提供容器112并将管道单元120和温度控制单元180中的蒸发气体供应。 温度控制单元180包括：第一温度控制单元174，其由加热器控制器单元172和带式加热器170组成，并且能够控制直接连接到管道单元120的管道单元120中的第一管道116的温度 室1060; 第二温度控制单元176，其由加热器控制器单元168和带加热器166组成，并且能够控制连接到蒸发器的第二管道114的温度; 以及第三温度控制单元178，其由加热器控制器单元167和恒温室153组成，并且能够控制阀159的温度。

公开(公告)号：US20110092070A1

公开(公告)日：2011-04-21

申请号：US12933979

申请日：2009-01-23

申请人： Masamichi Hara ,  Yasushi Mizusawa ,  Satoshi Taga ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano

发明人： Masamichi Hara ,  Yasushi Mizusawa ,  Satoshi Taga ,  Atsushi Gomi ,  Tatsuo Hatano

IPC分类号： H01L21/3205 ,  C23C16/16

CPC分类号： C23C16/45559 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28562

摘要： Disclosed is a method for film formation, characterized by comprising allowing a treatment gas stream containing a metal carbonyl-containing treatment gas and a carbon monoxide-containing carrier gas to flow into a region on the upper outside of the outer periphery of a substrate to be treated in a diameter direction of the substrate while avoiding the surface of the substrate and diffusing the metal carbonyl from the treatment gas stream into the surface of the substrate to form a metal film on the surface of the substrate.

摘要翻译： 本发明公开了一种成膜方法，其特征在于，含有含有含羰基金属的处理气体和一氧化碳的载气的处理气体流进入基板的外周的上侧的区域内，为 在衬底的直径方向处理，同时避免衬底的表面并将金属羰基从处理气流扩散到衬底的表面中，以在衬底的表面上形成金属膜。

公开(公告)号：US20090297709A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12128735

申请日：2008-05-29

申请人： ALEXANDRE YOURI ZAITSEV ,  FRANCISCO ROBINSON ,  NAM HOAI NGUYEN ,  VLADMIR PASERIN ,  CUONG VAN LUONG

发明人： ALEXANDRE YOURI ZAITSEV ,  FRANCISCO ROBINSON ,  NAM HOAI NGUYEN ,  VLADMIR PASERIN ,  CUONG VAN LUONG

IPC分类号： C23C16/16 ,  B32B5/16

CPC分类号： C23C16/26 ,  B22F1/0018 ,  B22F1/02 ,  B22F9/305 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/4417 ,  Y10T428/2991

摘要： A method of manufacturing commercial grade, carbon-coated or core-shell type metal powders with highly thermostable characteristics utilizes high-temperature carbonyl decomposition in the presence of carbon monoxide under normal atmospheric conditions.

摘要翻译： 制造具有高度耐热特性的商业级，碳涂层或核 - 壳型金属粉末的方法在正常大气条件下在一氧化碳存在下使用高温羰基分解。

公开(公告)号：US07527693B2

公开(公告)日：2009-05-05

申请号：US10715628

申请日：2003-11-17

申请人： Garo J. Derderian ,  Gurtej S. Sandhu

发明人： Garo J. Derderian ,  Gurtej S. Sandhu

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  C23C16/08 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18

CPC分类号： C23C16/452 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45544 ,  H01L21/0228

摘要： The invention includes a deposition system having a reservoir for containment of a metastable specie connected to a deposition chamber. The system includes a metastable specie generating catalyst within the reservoir. The invention also includes an atomic layer deposition apparatus having a deposition chamber that contains a substrate platform, first and second inlets and a dispersion head positioned between the inlets and the substrate platform. The ALD apparatus includes first and second metastable specie containment reservoirs in fluid communication with the deposition chamber through the inlets. One or more sources of carrier gas are configured to deliver carrier gas through at least one of the inlets. The invention also includes an atomic layer deposition method.

摘要翻译： 本发明包括具有用于容纳连接到沉积室的亚稳态物质的储存器的沉积系统。 该系统在储存器内包括产生亚稳态物质的催化剂。 本发明还包括具有沉积室的原子层沉积设备，其包含基板平台，第一和第二入口以及位于入口和基板平台之间的分散头。 ALD装置包括通过入口与沉积室流体连通的第一和第二亚稳定容器储存器。 载气的一个或多个来源被配置成通过至少一个入口输送载气。 本发明还包括原子层沉积方法。

公开(公告)号：US20050264090A1

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：US10943518

申请日：2004-09-17

申请人： David Kaczynski ,  Jimmy Chan ,  Martin Day

发明人： David Kaczynski ,  Jimmy Chan ,  Martin Day

IPC分类号： C23C4/06 ,  C23C16/16 ,  C23C28/00 ,  C23C28/04 ,  C23C30/00 ,  B60B19/00

CPC分类号： C23C30/00 ,  C23C4/06 ,  C23C28/027 ,  C23C28/044 ,  F16D65/00 ,  F16D2065/1368

摘要： A steel member (10) having wear and corrosion resistance through a combination of coatings is disclosed, the steel member (10) being a hardened and tempered steel member having a high tensile strength, at least one selected portion (18) of the steel member (10) coated by thermal spraying with a tungsten carbide-cobalt composition (22) to provide wear and corrosion resistance, the tungsten carbide-cobalt composition (22) being approximately 78-90% tungsten carbide and approximately 10-19% cobalt, and a sacrificial ceramic-metallic coating (24) on the steel member (10) to provide corrosion resistance for the steel member (10). A method of coating a steel member (10) is also disclosed.

摘要翻译： 公开了一种通过涂层组合具有耐磨和耐腐蚀性的钢构件（10），钢构件（10）是具有高拉伸强度的硬化和回火钢构件，钢构件的至少一个选定部分（18） （10）通过用碳化钨 - 钴组合物（22）的热喷涂涂覆以提供耐磨和耐腐蚀性，所述碳化钨 - 钴组合物（22）为约78-90％的碳化钨和约10-19％的钴，以及 在钢构件（10）上的牺牲陶瓷金属涂层（24），以提供钢构件（10）的耐腐蚀性。 还公开了一种涂覆钢构件（10）的方法。

公开(公告)号：US20050249888A1

公开(公告)日：2005-11-10

申请号：US10840859

申请日：2004-05-07

申请人： Alexander Makhotkin ,  Igor Malashenko ,  Igor Belousov

发明人： Alexander Makhotkin ,  Igor Malashenko ,  Igor Belousov

IPC分类号： F01D5/28 ,  C23C14/00 ,  C23C14/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C14/16 ,  C23C14/22 ,  C23C14/24 ,  C23C14/54 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  F02C7/00 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C14/16 ,  C23C14/042 ,  C23C14/22 ,  C23C14/24 ,  C23C14/54 ,  C23C16/44

摘要： Physical vapor deposition is augmented by chemical vapor deposition from one or more organometallic compounds to deposit multi-component materials. The organometallic compounds may be carbonyls. The process may be used to deposit coatings and repair material on superalloy turbine engine parts.

摘要翻译： 通过化学气相沉积从一种或多种有机金属化合物增加物理气相沉积以沉积多组分材料。 有机金属化合物可以是羰基。 该方法可用于在超级合金涡轮发动机部件上沉积涂层和修复材料。

公开(公告)号：US20050233079A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：US11155575

申请日：2005-06-20

申请人： Hideaki Yamasaki ,  Tatsuo Hatano ,  Yumiko Kawano

发明人： Hideaki Yamasaki ,  Tatsuo Hatano ,  Yumiko Kawano

IPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/02 ,  C23C16/16 ,  C23C16/455 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C23C16/00 ,  H05H1/24

CPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28556

摘要： A method of forming a metal film using a metal carbonyl compound as a material is disclosed that includes the steps of: (a) introducing a reactive gas into a space near a surface of a substrate to be processed; and (b) introducing a gaseous phase material including the metal carbonyl compound into the space on the surface of the substrate to be processed, and depositing the metal film on the surface of the substrate to be processed after step (a). Step (a) is executed in such a manner as to prevent substantial deposition of the metal film on the substrate to be processed.

摘要翻译： 公开了使用羰基金属化合物作为材料形成金属膜的方法，其包括以下步骤：（a）将反应性气体引入待处理的基板的表面附近的空间; 和（b）将包含羰基金属化合物的气相材料引入到待处理基板的表面上的空间中，并且在步骤（a）之后将金属膜沉积在待处理基板的表面上。 执行步骤（a），以防止金属膜在待处理的基板上的大量沉积。

公开(公告)号：US20050186341A1

公开(公告)日：2005-08-25

申请号：US10803750

申请日：2004-03-18

申请人： Bryan Hendrix ,  James Welch ,  Steven Bilodeau ,  Jeffrey Roeder ,  Chongying Xu ,  Thomas Baum

发明人： Bryan Hendrix ,  James Welch ,  Steven Bilodeau ,  Jeffrey Roeder ,  Chongying Xu ,  Thomas Baum

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/02 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/45557 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18

摘要： A multi-step method for depositing ruthenium thin films having high conductivity and superior adherence to the substrate is described. The method includes the deposition of a ruthenium nucleation layer followed by the deposition of a highly conductive ruthenium upper layer. Both layers are deposited using chemical vapor deposition (CVD) employing low deposition rates.

摘要翻译： 描述了一种用于沉积具有高导电性和优异的基底附着性的钌薄膜的多步法。 该方法包括沉积钌成核层，随后沉积高度导电的钌上层。 使用低沉积速率的化学气相沉积（CVD）沉积两层。

公开(公告)号：US20050014365A1

公开(公告)日：2005-01-20

申请号：US10881231

申请日：2004-06-30

申请人： Kwang-Jin Moon ,  Gil-Heyun Choi ,  Sang-Bom Kang ,  Hyun-Su Kim

发明人： Kwang-Jin Moon ,  Gil-Heyun Choi ,  Sang-Bom Kang ,  Hyun-Su Kim

IPC分类号： H01L21/24 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18 ,  C23C16/56 ,  H01L21/285 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768

CPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855

摘要： The present invention provides methods of forming cobalt layers on a structure comprising forming a preliminary cobalt layer on a semiconductor substrate by introducing an organic metal precursor onto the semiconductor substrate and treating a surface of the preliminary cobalt layer under an atmosphere of a hydrogen-containing gas to remove impurities contained in the preliminary cobalt layer. Compositions of cobalt layers are also provided. Further provided are semiconductor devices comprising cobalt layers provided herein.

摘要翻译： 本发明提供了在包括在半导体衬底上形成初步钴层的结构上形成钴层的方法，该方法是在有机金属前体引入到半导体衬底上并在含氢气体气氛下处理预钴层的表面 以除去预备钴层中所含的杂质。 还提供了钴层的组成。 还提供了包括本文提供的钴层的半导体器件。