公开(公告)号：US20140042492A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：US13835704

申请日：2013-03-15

申请人： Young-jo TAK ,  Jae-kyun KIM ,  Joo-sung KIM ,  Jun-youn KIM ,  Jae-won LEE ,  Hyo-ji CHOI

发明人： Young-jo TAK ,  Jae-kyun KIM ,  Joo-sung KIM ,  Jun-youn KIM ,  Jae-won LEE ,  Hyo-ji CHOI

IPC分类号： H01L29/267 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/267 ,  G11C11/161 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003

摘要： A semiconductor buffer structure may include a silicon substrate and a buffer layer that is formed on the silicon substrate. The buffer layer may include a first layer, a second layer formed on the first layer, and a third layer formed on the second layer. The first layer may include AlxInyGa1-x-yN (0≦x≦1, 0≦y≦1, 0≦x+y≦1) and have a lattice constant LP1 that is smaller than a lattice constant LP0 of the silicon substrate. The second layer may include AlxInyGa1-x-yN (0≦x

摘要翻译： 半导体缓冲结构可以包括硅衬底和形成在硅衬底上的缓冲层。 缓冲层可以包括第一层，形成在第一层上的第二层和形成在第二层上的第三层。 第一层可以包括Al x In y Ga 1-x-y N（0 @ x @ 1，0 @ y @ 1，x @ x + y @ 1），并且具有小于硅衬底的晶格常数LP0的晶格常数LP1。 第二层可以包括Al x In y Ga 1-x-y N（0 @ x <1,0

公开(公告)号：US20090181484A1

公开(公告)日：2009-07-16

申请号：US12407361

申请日：2009-03-19

申请人： Jeong-wook LEE ,  Youn-joon SUNG ,  Ho-sun PAEK ,  Hyun-soo KIM ,  Joo-sung KIM ,  Suk-ho YOON

发明人： Jeong-wook LEE ,  Youn-joon SUNG ,  Ho-sun PAEK ,  Hyun-soo KIM ,  Joo-sung KIM ,  Suk-ho YOON

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22

摘要： Provided are a semiconductor light emitting device having a nano pattern and a method of manufacturing the semiconductor light emitting device. The semiconductor light emitting device includes: a semiconductor layer comprising a plurality of nano patterns, wherein the plurality of nano patterns are formed inside the semiconductor layer; and an active layer formed on the semiconductor layer. The optical output efficiency is increased and inner defects of the semiconductor light emitting device are reduced.

摘要翻译： 提供了具有纳米图案的半导体发光器件和制造半导体发光器件的方法。 半导体发光器件包括：包含多个纳米图案的半导体层，其中所述多个纳米图案形成在所述半导体层的内部; 以及形成在半导体层上的有源层。 光输出效率增加，半导体发光器件的内部缺陷减小。

公开(公告)号：US20070145386A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：US11705736

申请日：2007-02-14

申请人： Jeong-wook Lee ,  Youn-joon Sung ,  Ho-sun Paek ,  Hyun-soo Kim ,  Joo-sung Kim ,  Suk-ho Yoon

发明人： Jeong-wook Lee ,  Youn-joon Sung ,  Ho-sun Paek ,  Hyun-soo Kim ,  Joo-sung Kim ,  Suk-ho Yoon

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22

摘要： Provided are a semiconductor light emitting device having a nano pattern and a method of manufacturing the semiconductor light emitting device. The semiconductor light emitting device includes: a semiconductor layer comprising a plurality of nano patterns, wherein the plurality of nano patterns are formed inside the semiconductor layer; and an active layer formed on the semiconductor layer. The optical output efficiency is increased and inner defects of the semiconductor light emitting device are reduced.

摘要翻译： 提供了具有纳米图案的半导体发光器件和制造半导体发光器件的方法。 半导体发光器件包括：包含多个纳米图案的半导体层，其中所述多个纳米图案形成在所述半导体层的内部; 以及形成在半导体层上的有源层。 光输出效率增加，半导体发光器件的内部缺陷减小。

公开(公告)号：US09337381B2

公开(公告)日：2016-05-10

申请号：US14484456

申请日：2014-09-12

申请人： Jun-youn Kim ,  Young-jo Tak ,  Jae-kyun Kim ,  Joo-sung Kim ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae

发明人： Jun-youn Kim ,  Young-jo Tak ,  Jae-kyun Kim ,  Joo-sung Kim ,  Young-soo Park ,  Su-hee Chae

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L21/02 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/0025 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

摘要： A semiconductor buffer structure includes a silicon substrate, a nucleation layer formed on the silicon substrate, and a buffer layer formed on the nucleation layer. The buffer layer includes a first layer formed of a nitride semiconductor material having a uniform composition rate, a second layer formed of the same material as the nucleation layer on the first layer, and a third layer formed of the same material with the same composition ratio as the first layer on the second layer.

摘要翻译： 半导体缓冲结构包括硅衬底，形成在硅衬底上的成核层和形成在成核层上的缓冲层。 缓冲层包括由具有均匀组成比的氮化物半导体材料形成的第一层，由与第一层上的成核层相同的材料形成的第二层和由相同组成比的相同材料形成的第三层 作为第二层的第一层。

公开(公告)号：US09257599B2

公开(公告)日：2016-02-09

申请号：US14288824

申请日：2014-05-28

申请人： Jae-kyun Kim ,  Joo-sung Kim ,  Jun-youn Kim ,  Young-soo Park ,  Young-jo Tak

发明人： Jae-kyun Kim ,  Joo-sung Kim ,  Jun-youn Kim ,  Young-soo Park ,  Young-jo Tak

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/06 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/12

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

摘要： According to example embodiments, a semiconductor light emitting device includes a first semiconductor layer, a pit enlarging layer on the first semiconductor layer, an active layer on the pit enlarging layer, a hole injection layer, and a second semiconductor layer on the hole injection layer. The first semiconductor layer is doped a first conductive type. An upper surface of the pit enlarging layer and side surfaces of the active layer define pits having sloped surfaces on the dislocations. The pits are reverse pyramidal spaces. The hole injection layer is on a top surface of the active layer and the sloped surfaces of the pits. The second semiconductor layer doped a second conductive type that is different than the first conductive type.

摘要翻译： 根据示例性实施例，半导体发光器件包括第一半导体层，第一半导体层上的凹坑放大层，凹坑放大层上的有源层，空穴注入层和空穴注入层上的第二半导体层 。 第一半导体层掺杂有第一导电类型。 凹坑扩大层的上表面和活性层的侧表面限定了在位错上具有倾斜表面的凹坑。 凹坑是反锥形空间。 空穴注入层位于有源层的顶表面和凹坑的倾斜表面上。 第二半导体层掺杂与第一导电类型不同的第二导电类型。

公开(公告)号：US09136430B2

公开(公告)日：2015-09-15

申请号：US13963476

申请日：2013-08-09

申请人： Young-jo Tak ,  Jae-kyun Kim ,  Joo-sung Kim ,  Jun-youn Kim ,  Jae-won Lee ,  Hyo-ji Choi

发明人： Young-jo Tak ,  Jae-kyun Kim ,  Joo-sung Kim ,  Jun-youn Kim ,  Jae-won Lee ,  Hyo-ji Choi

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0079

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes forming a silicon substrate, forming a buffer layer on the silicon substrate, and forming a nitride semiconductor layer on the buffer layer. The buffer layer includes a first layer, a second layer, and a third layer. The first layer includes AlxInyGa1-x-yN (0≦x≦1, 0≦y≦1, 0≦x+y≦1) and has a lattice constant LP1 that is smaller than a lattice constant LP0 of the silicon substrate. The second layer is formed on the first layer, includes AlxInyGa1-x-yN (0≦x

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括形成硅衬底，在硅衬底上形成缓冲层，并在缓冲层上形成氮化物半导体层。 缓冲层包括第一层，第二层和第三层。 第一层包括Al x In y Ga 1-x-y N（0＆nlE; x＆nlE; 1,0＆amp; nlE; y＆ 第二层形成在第一层上，包括Al x In y Ga 1-x-y N（0＆nlE; x <1,0＆lt; nlE; y <1,0

公开(公告)号：US08835902B2

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：US13156854

申请日：2011-06-09

申请人： Joo-sung Kim ,  Taek Kim

发明人： Joo-sung Kim ,  Taek Kim

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/24 ,  H01L33/18 ,  H01L33/08

CPC分类号： H01L33/24 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18

摘要： A nano-structured light-emitting device (LED) includes: a plurality of nanostructures on a first type semiconductor layer. Each of the plurality of nanostructures includes: a first type semiconductor nanocore on a portion of the first type semiconductor layer; a current spreading layer formed to cover a surface of the first type semiconductor nanocore and formed of an AlxGa1-xN(0

摘要翻译： 纳米结构发光器件（LED）包括：第一类型半导体层上的多个纳米结构。 多个纳米结构中的每一个包括：在第一类型半导体层的一部分上的第一类型半导体纳米孔; 形成为覆盖第一类型半导体纳米孔的表面并由Al x Ga 1-x N（0

公开(公告)号：US20130334495A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：US13837992

申请日：2013-03-15

申请人： Dae-ho LIM ,  Joo-sung KIM ,  Jae-kyun KIM ,  Young-jo TAK

发明人： Dae-ho LIM ,  Joo-sung KIM ,  Jae-kyun KIM ,  Young-jo TAK

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/122 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003

摘要： A superlattice structure, and a semiconductor device including the same, include a plurality of pairs of layers are in a pattern repeated at least two times, in which a first layer and a second layer constitute a pair, the first layer is formed of AlxInyGa1-x-yN (where 0≦x and y≦1), the second layer is formed of AlaInbGa1-a-bN (where 0≦a, b≦1 and x≠a), the first and second layers have the same thickness, and a total thickness of each of the plurality of pairs of layers is different than each other.

摘要翻译： 超晶格结构以及包括该超晶格结构的半导体器件包括多层重叠至少两次的图案，其中第一层和第二层构成一对，第一层由Al x In y Ga 1- x-yN（其中0 @ x和y @ 1），第二层由AlaInbGa1-a-bN（其中0 @ a，b @ 1和x

公开(公告)号：US20130015477A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：US13370996

申请日：2012-02-10

申请人： Joo-sung KIM ,  Taek KIM ,  Moon-seung YANG

发明人： Joo-sung KIM ,  Taek KIM ,  Moon-seung YANG

IPC分类号： H01L33/40 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L33/24 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/32

摘要： A nanostructured light-emitting device including: a first type semiconductor layer; a plurality of nanostructures each including a first type semiconductor nano-core grown in a three-dimensional (3D) shape on the first type semiconductor layer, an active layer formed to surround a surface of the first type semiconductor nano-core, and a second type semiconductor layer formed to surround a surface of the active layer and including indium (In); and at least one flat structure layer including a flat-active layer and a flat-second type semiconductor layer that are sequentially formed on the first type semiconductor layer parallel to the first type semiconductor layer.

摘要翻译： 一种纳米结构发光器件，包括：第一类型半导体层; 多个纳米结构，每个纳米结构包括在第一类型半导体层上以三维（3D）形状生长的第一类型半导体纳米芯，形成为围绕第一类型半导体纳米芯的表面的有源层，以及第二 形成为包围有源层的表面并包括铟（In）的半导体层; 以及至少一个扁平结构层，其包括依次形成在与第一类型半导体层平行的第一类型半导体层上的平面有源层和平坦 - 二
极型半导体层。

公开(公告)号：US08183068B2

公开(公告)日：2012-05-22

申请号：US12721063

申请日：2010-03-10

申请人： Jeong-wook Lee ,  Heon-su Jeon ,  Suk-ho Yoon ,  Joo-sung Kim

发明人： Jeong-wook Lee ,  Heon-su Jeon ,  Suk-ho Yoon ,  Joo-sung Kim

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0083

摘要： A nitride-based semiconductor light emitting device having an improved structure in which light extraction efficiency is improved and a method of manufacturing the same are provided. The nitride-based semiconductor light emitting device comprises an n-clad layer, an active layer, and a p-clad layer, which are sequentially stacked on a substrate, wherein the n-clad layer comprises a first clad layer, a second clad layer, and a light extraction layer interposed between the first clad layer and the second clad layer and composed of an array of a plurality of nano-posts, the light extraction layer diffracting or/and scattering light generated in the active layer.

摘要翻译： 具有提高光提取效率的改进结构的氮化物系半导体发光器件及其制造方法。 氮化物系半导体发光元件包括依次层叠在基板上的n包覆层，有源层和p覆盖层，其中n包覆层包括第一覆盖层，第二覆盖层 以及插入在第一覆盖层和第二覆盖层之间并由多个纳米柱的阵列构成的光提取层，在有源层中产生的光提取层衍射或/和散射光。