公开(公告)号：US08039958B2

公开(公告)日：2011-10-18

申请号：US12575618

申请日：2009-10-08

申请人： Alexander Platz ,  Matthias Lehr ,  Frank Kuechenmeister

发明人： Alexander Platz ,  Matthias Lehr ,  Frank Kuechenmeister

IPC分类号： H01L29/40

CPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： In a metallization system of a sophisticated semiconductor device, metal pillars may be provided so as to exhibit an increased efficiency in distributing any mechanical stress exerted thereon. This may be accomplished by significantly increasing the surface area of the final passivation layer that is in tight mechanical contact with the metal pillar.

摘要翻译： 在精密半导体器件的金属化系统中，可以提供金属柱，以便分布施加在其上的任何机械应力的分布效率提高。 这可以通过显着增加与金属柱紧密机械接触的最终钝化层的表面积来实现。

公开(公告)号：US20100164098A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12648517

申请日：2009-12-29

申请人： Frank Kuechenmeister ,  Matthias Lehr ,  Alexander Platz

发明人： Frank Kuechenmeister ,  Matthias Lehr ,  Alexander Platz

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/812 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

摘要： In sophisticated semiconductor devices, a chip-package interconnect structure may be established on the basis of a metal pillar without using a solder bump material in the package. In this case, the complexity of the manufacturing process for forming the wiring system of the package may be significantly reduced, while also providing the possibility of increasing packing density of the pillar structure.

摘要翻译： 在复杂的半导体器件中，可以在金属柱的基础上建立芯片封装互连结构，而不在封装中使用焊料凸块材料。 在这种情况下，可以显着降低用于形成封装的布线系统的制造工艺的复杂性，同时还提供增加柱结构的堆积密度的可能性。

公开(公告)号：US20100109158A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12575618

申请日：2009-10-08

申请人： Alexander Platz ,  Matthias Lehr ,  Frank Kuechenmeister

发明人： Alexander Platz ,  Matthias Lehr ,  Frank Kuechenmeister

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： In a metallization system of a sophisticated semiconductor device, metal pillars may be provided so as to exhibit an increased efficiency in distributing any mechanical stress exerted thereon. This may be accomplished by significantly increasing the surface area of the final passivation layer that is in tight mechanical contact with the metal pillar.

摘要翻译： 在精密半导体器件的金属化系统中，可以提供金属柱，以便分布施加在其上的任何机械应力的分布效率提高。 这可以通过显着增加与金属柱紧密机械接触的最终钝化层的表面积来实现。

公开(公告)号：US20080099913A1

公开(公告)日：2008-05-01

申请号：US11752519

申请日：2007-05-23

申请人： Matthias Lehr ,  Frank Kuechenmeister ,  Lothar Lehmann ,  Marcel Wieland ,  Alexander Platz ,  Axel Walter ,  Gotthard Jungnickel

发明人： Matthias Lehr ,  Frank Kuechenmeister ,  Lothar Lehmann ,  Marcel Wieland ,  Alexander Platz ,  Axel Walter ,  Gotthard Jungnickel

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： By directly forming an underbump metallization layer on a contact region of the last metallization layer, the formation of any other terminal metals, such as aluminum and corresponding adhesion/barrier layers, may be avoided. Consequently, the thermal and electrical behavior of the resulting bump structure may be improved, while process complexity may be significantly reduced.

摘要翻译： 通过在最后一个金属化层的接触区域上直接形成底部填充金属化层，可以避免任何其它终端金属如铝和相应的粘附/阻挡层的形成。 因此，可以提高所得到的凸块结构的热和电行为，同时可以显着地减少工艺复杂性。

公开(公告)号：US20130099372A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：US13280881

申请日：2011-10-25

申请人： Frank Kuechenmeister ,  Lothar Lehmann ,  Alexander Platz ,  Gotthard Jungnickel ,  Sven Kosgalwies

发明人： Frank Kuechenmeister ,  Lothar Lehmann ,  Alexander Platz ,  Gotthard Jungnickel ,  Sven Kosgalwies

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/05552

摘要： One illustrative method disclosed herein includes forming a conductive pad in a layer of insulating material, forming a passivation layer above the conductive pad, performing at least one etching process on the passivation layer to define an opening in the passivation layer that exposes at least a portion of the conductive pad, forming a protective layer on the passivation layer, in the opening and on the exposed portion of the conductive pad, forming a heat-curable material layer above the protective layer, performing an etching process to define a patterned heat-curable material layer having an opening that exposes a portion of the protective layer, performing an etching process on the protective layer to thereby expose at least a portion of the conductive pad and forming a conductive bump that is conductively coupled to the conductive pad.

摘要翻译： 本文公开的一种说明性方法包括在绝缘材料层中形成导电焊盘，在导电焊盘上形成钝化层，在钝化层上执行至少一个蚀刻工艺，以限定钝化层中的至少一部分 的导电焊盘，在导电焊盘的开口和暴露部分上在钝化层上形成保护层，在保护层上方形成可热固化的材料层，执行蚀刻工艺以限定图案化的可热固化 材料层具有露出所述保护层的一部分的开口，对所述保护层进行蚀刻处理，从而暴露所述导电焊盘的至少一部分，并形成与所述导电焊盘导电耦合的导电凸块。

公开(公告)号：US20070023928A1

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：US11382135

申请日：2006-05-08

申请人： FRANK KUECHENMEISTER ,  Alexander Platz ,  Gotthard Jungnickel ,  Kerstin Siury

发明人： FRANK KUECHENMEISTER ,  Alexander Platz ,  Gotthard Jungnickel ,  Kerstin Siury

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/32134 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： By patterning the underbump metallization layer stack on the basis of a dry etch process, significant advantages may be achieved compared to conventional techniques involving a highly complex wet chemical etch process. In particular embodiments, a titanium tungsten layer or any other appropriate last layer of an underbump metallization layer stack may be etched on the basis of a plasma etch process using a fluorine-based chemistry and oxygen as a physical component. Moreover, appropriate cleaning processes may be performed for removing particles and residues prior to and after the plasma-based patterning process.

摘要翻译： 通过在干法蚀刻工艺的基础上构图底部金属化层叠层，与涉及高度复杂的湿化学蚀刻工艺的常规技术相比，可以实现显着的优点。 在具体实施方案中，可以在使用氟基化学和氧作为物理组分的等离子体蚀刻工艺的基础上蚀刻钛钨层或下掺杂金属化层堆叠的任何其它合适的最后一层。 此外，可以在等离子体图案化工艺之前和之后进行适当的清洁工艺以除去颗粒和残留物。

公开(公告)号：US08580672B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US13280881

申请日：2011-10-25

申请人： Frank Kuechenmeister ,  Lothar Lehmann ,  Alexander Platz ,  Gotthard Jungnickel ,  Sven Kosgalwies

发明人： Frank Kuechenmeister ,  Lothar Lehmann ,  Alexander Platz ,  Gotthard Jungnickel ,  Sven Kosgalwies

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/05552

摘要： One illustrative method disclosed herein includes forming a conductive pad in a layer of insulating material, forming a passivation layer above the conductive pad, performing at least one etching process on the passivation layer to define an opening in the passivation layer that exposes at least a portion of the conductive pad, forming a protective layer on the passivation layer, in the opening and on the exposed portion of the conductive pad, forming a heat-curable material layer above the protective layer, performing an etching process to define a patterned heat-curable material layer having an opening that exposes a portion of the protective layer, performing an etching process on the protective layer to thereby expose at least a portion of the conductive pad and forming a conductive bump that is conductively coupled to the conductive pad.

摘要翻译： 本文公开的一种说明性方法包括在绝缘材料层中形成导电焊盘，在导电焊盘上形成钝化层，在钝化层上执行至少一个蚀刻工艺，以限定钝化层中的至少一部分 的导电焊盘，在导电焊盘的开口和暴露部分上在钝化层上形成保护层，在保护层上方形成可热固化的材料层，执行蚀刻工艺以限定图案化的可热固化 材料层具有露出所述保护层的一部分的开口，对所述保护层进行蚀刻处理，从而暴露所述导电焊盘的至少一部分，并形成与所述导电焊盘导电耦合的导电凸块。

公开(公告)号：US20110291285A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US12964882

申请日：2010-12-10

申请人： Guido Ueberreiter ,  Matthias Lehr ,  Alexander Platz

发明人： Guido Ueberreiter ,  Matthias Lehr ,  Alexander Platz

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A die seal of a semiconductor device may be provided with a varying pattern density such that a gradient between the die region and the die seal may be reduced. Consequently, for a given width of the die seal, a required mechanical stability may be achieved, while at the same time differences in topography between the die region and the die seal may be reduced, thereby contributing to superior process conditions for sophisticated lithography processes.

摘要翻译： 可以提供半导体器件的管芯密封件，其具有变化的图案密度，使得可以减小管芯区域和管芯密封件之间的梯度。 因此，对于模具密封件的给定宽度，可以实现所需的机械稳定性，同时可以减小模具区域和模具密封件之间的形貌差异，从而有助于复杂光刻工艺的优良工艺条件。

公开(公告)号：US07829453B2

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：US11531437

申请日：2006-09-13

申请人： Gotthard Jungnickel ,  Alexander Platz ,  Frank Kuechenmeister

发明人： Gotthard Jungnickel ,  Alexander Platz ,  Frank Kuechenmeister

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/742 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/118 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H05K3/3457 ,  H05K3/3494 ,  H05K2203/0315 ,  H05K2203/043 ,  H05K2203/086 ,  H01L2924/00014

摘要： By controlling the cooling rate during the oxidation process for forming an oxide layer on solder balls and by selecting an elevated temperature as an initial temperature of the oxidation process, a reliable yet easily removable oxide layer may be obtained. Consequently, yield losses during the flip chip assembly process may be significantly reduced.

摘要翻译： 通过控制用于在焊球上形成氧化物层的氧化过程中的冷却速度，并且通过选择升高的温度作为氧化工艺的初始温度，可以获得可靠且容易移除的氧化物层。 因此，倒装芯片组装过程中的屈服损失可能会显着降低。

公开(公告)号：US07585759B2

公开(公告)日：2009-09-08

申请号：US11382135

申请日：2006-05-08

申请人： Frank Kuechenmeister ,  Alexander Platz ,  Gotthard Jungnickel ,  Kerstin Siury

发明人： Frank Kuechenmeister ,  Alexander Platz ,  Gotthard Jungnickel ,  Kerstin Siury

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/32134 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03901 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： By patterning the underbump metallization layer stack on the basis of a dry etch process, significant advantages may be achieved compared to conventional techniques involving a highly complex wet chemical etch process. In particular embodiments, a titanium tungsten layer or any other appropriate last layer of an underbump metallization layer stack may be etched on the basis of a plasma etch process using a fluorine-based chemistry and oxygen as a physical component. Moreover, appropriate cleaning processes may be performed for removing particles and residues prior to and after the plasma-based patterning process.

摘要翻译： 通过在干法蚀刻工艺的基础上构图底部金属化层叠层，与涉及高度复杂的湿化学蚀刻工艺的常规技术相比，可以实现显着的优点。 在具体实施方案中，可以在使用氟基化学和氧作为物理组分的等离子体蚀刻工艺的基础上蚀刻钛钨层或下掺杂金属化层堆叠的任何其它合适的最后一层。 此外，可以在等离子体图案化工艺之前和之后进行适当的清洁工艺以除去颗粒和残留物。