公开(公告)号：US06841857B2

公开(公告)日：2005-01-11

申请号：US10197790

申请日：2002-07-18

申请人： Gottfried Beer ,  Robert Bergmann ,  Heng Wan Jenny Hong

发明人： Gottfried Beer ,  Robert Bergmann ,  Heng Wan Jenny Hong

IPC分类号： H01L23/433 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L24/48 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49568 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0567 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

摘要： An electronic component and a system carrier having a heat conduction block, on which overlapping inner flat conductor ends are fixed mechanically and insulated electrically by an organoceramic layer (6). In addition, methods of producing the system carrier and the electronic component are encompassed.

摘要翻译： 具有导热块的电子部件和系统载体，其上重叠的内部平坦的导体端机械地固定并由有机陶瓷层（6）电绝缘。 此外，包括制造系统载体和电子部件的方法。

公开(公告)号：US08603864B2

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：US12208862

申请日：2008-09-11

申请人： Edmund Riedl ,  Ivan Nikitin ,  Johannes Lodermeyer ,  Robert Bergmann ,  Karsten Guth

发明人： Edmund Riedl ,  Ivan Nikitin ,  Johannes Lodermeyer ,  Robert Bergmann ,  Karsten Guth

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L24/83 ,  C25D7/123 ,  H01L23/142 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： A method of fabricating a semiconductor device. One embodiment provides a metal carrier. A semiconductor chip is provided. A porous layer is produced at a surface of at least one of the carrier and the semiconductor chip. The semiconductor chip is placed on the carrier. The resulting structure is heated until the semiconductor chip is attached to the carrier.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法。 一个实施例提供一种金属载体。 提供半导体芯片。 在载体和半导体芯片中的至少一个的表面上产生多孔层。 将半导体芯片放置在载体上。 将所得到的结构加热直到半导体芯片附着到载体上。

公开(公告)号：US07479691B2

公开(公告)日：2009-01-20

申请号：US11376871

申请日：2006-03-16

申请人： Henrik Ewe ,  Stefan Landau ,  Klaus Schiess ,  Robert Bergmann

发明人： Henrik Ewe ,  Stefan Landau ,  Klaus Schiess ,  Robert Bergmann

IPC分类号： H01L23/495

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

摘要： A power semiconductor module having surface-mountable flat external contact areas and a method for producing the same is disclosed. In one embodiment, the top sides of the external contacts form an inner housing plane, on which at least one power semiconductor chip is fixed by its rear side on a drain external contact. An insulation layer covers the top side over the edge sides of the semiconductor chip as far as the inner housing plane whilst leaving free the source and gate contact areas on the top side of the semiconductor chip and also whilst partly leaving free the top sides of the corresponding external contacts. Arranged on the insulation layer is a connecting conductive layer between the source contact areas on the top side of the semiconductor chip and the top sides of the source external contacts, and also a gate connecting layer from the gate contact areas to the top side of the gate external contact.

摘要翻译： 公开了一种具有表面安装平坦的外部接触区域的功率半导体模块及其制造方法。 在一个实施例中，外部接触件的顶侧形成内部壳体平面，其上至少一个功率半导体芯片由其后侧固定在排水外部接触件上。 绝缘层覆盖半导体芯片的边缘侧的顶侧至内部壳体平面，同时在半导体芯片的顶侧上释放源极和栅极接触区域，并且同时部分地释放半导体芯片的顶侧 相应的外部联系人。 在绝缘层上排列的是在半导体芯片的上侧的源极接触区域和源极外部接触件的顶侧之间的连接导电层，以及从栅极接触区域到顶部侧的栅极连接层 门外部接触。

公开(公告)号：US07476981B2

公开(公告)日：2009-01-13

申请号：US10505066

申请日：2003-02-14

申请人： Robert Bergmann ,  Joachim Mahler

发明人： Robert Bergmann ,  Joachim Mahler

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L25/074 ,  C09J5/06 ,  C09J9/02 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/351 ,  Y10S977/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： The present invention relates to an electronic module having a layer of adhesive between metallic surfaces of components of the module. The metallic surfaces are arranged facing one another. The adhesive of the layer of adhesive includes agglomerates of nanoparticles, which form paths, surrounded by an adhesive base composition, in the adhesive base composition. Furthermore, the invention relates to a process for producing the module.

摘要翻译： 本发明涉及一种在模块的部件的金属表面之间具有粘合剂层的电子模块。 金属表面被布置成彼此面对。 粘合剂层的粘合剂包括在粘合剂基础组合物中形成由粘合剂基础组合物包围的路径的纳米颗粒的附聚物。 此外，本发明涉及一种用于生产该模块的方法。

公开(公告)号：US20090093090A1

公开(公告)日：2009-04-09

申请号：US11867329

申请日：2007-10-04

申请人： Henrik Ewe ,  Stefan Landau ,  Klaus Schiess ,  Robert Bergmann ,  Alvin Wee Beng Tatt ,  Soon Lock Goh ,  Joachim Mahler ,  Boris Plikat ,  Reimund Engl

发明人： Henrik Ewe ,  Stefan Landau ,  Klaus Schiess ,  Robert Bergmann ,  Alvin Wee Beng Tatt ,  Soon Lock Goh ,  Joachim Mahler ,  Boris Plikat ,  Reimund Engl

IPC分类号： H01L21/56

CPC分类号： H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/24 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/24998 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82007 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

摘要： A method for producing a power semiconductor module having surface mountable flat external contact areas is disclosed. At least one power semiconductor chip is fixed by its rear side on a drain external contact. An insulation layer covers the top side over the side edges of the semiconductor chip as far as the inner housing plane was a leaving free the source and gate contact areas on the top side of the semiconductor chip and also was partly leaving free the top sides of the corresponding external contacts.

摘要翻译： 公开了一种具有表面安装平坦的外部接触区域的功率半导体模块的制造方法。 至少一个功率半导体芯片由其后侧固定在漏极外部触点上。 绝缘层覆盖半导体芯片的侧边缘上方的顶侧，只要内壳平面离开半导体芯片的顶侧上的源极和栅极接触区域，并且还部分地释放出半导体芯片的顶侧 相应的外部联系人。

公开(公告)号：US07389903B2

公开(公告)日：2008-06-24

申请号：US10812830

申请日：2004-03-29

申请人： Robert Bergmann ,  Holger Hubner

发明人： Robert Bergmann ,  Holger Hubner

IPC分类号： B23K1/00

CPC分类号： H01L24/80 ,  B23K1/0056 ,  B23K2101/40 ,  H01L24/26 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

摘要： A device for soldering contacts on semiconductor chips. A chip is held on a chip mount by a chuck and is heated from a side facing away from the wafer by means of a radiation source, so that a solder applied to a side facing the wafer is melted. A flushing device, having a plate with a window, a gas channel, and a gas outlet opening for a forming gas, is arranged at the window, is fitted parallel to the wafer. The chip is moved vertically in relation to the wafer, pressed onto the wafer through the window, and soldered on by means of isothermal solidification.

摘要翻译： 用于焊接半导体芯片上的触点的装置。 通过卡盘将芯片保持在芯片安装件上，并且通过辐射源从背离晶片的一侧加热，使得施加到面向晶片的一侧的焊料熔化。 在窗口处布置有具有窗口的板，气体通道和用于成形气体的气体出口的冲洗装置，平行于晶片。 芯片相对于晶片垂直移动，通过窗口压在晶片上，并通过等温凝固进行焊接。

公开(公告)号：US20100059857A1

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：US12208862

申请日：2008-09-11

申请人： Edmund Riedl ,  Ivan Nikitin ,  Johannes Lodermeyer ,  Robert Bergmann ,  Karsten Guth

发明人： Edmund Riedl ,  Ivan Nikitin ,  Johannes Lodermeyer ,  Robert Bergmann ,  Karsten Guth

IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

CPC分类号： H01L24/83 ,  C25D7/123 ,  H01L23/142 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： A method of fabricating a semiconductor device. One embodiment provides a metal carrier. A semiconductor chip is provided. A porous layer is produced at a surface of at least one of the carrier and the semiconductor chip. The semiconductor chip is placed on the carrier. The resulting structure is heated until the semiconductor chip is attached to the carrier.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法。 一个实施例提供一种金属载体。 提供半导体芯片。 在载体和半导体芯片中的至少一个的表面上产生多孔层。 将半导体芯片放置在载体上。 将所得到的结构加热直到半导体芯片附着到载体上。

公开(公告)号：US20060017069A1

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：US10505066

申请日：2003-02-14

申请人： Robert Bergmann ,  Joachim Mahler

发明人： Robert Bergmann ,  Joachim Mahler

IPC分类号： H01L23/58 ,  C04B37/00

CPC分类号： H01L25/074 ,  C09J5/06 ,  C09J9/02 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/351 ,  Y10S977/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： The present invention relates to an electronic module having a layer of adhesive between metallic surfaces of components of the module. The metallic surfaces are arranged facing one another. The adhesive of the layer of adhesive includes agglomerates of nanoparticles, which form paths, surrounded by an adhesive base composition, in the adhesive base composition. Furthermore, the invention relates to a process for producing the module.

摘要翻译： 本发明涉及一种在模块的部件的金属表面之间具有粘合剂层的电子模块。 金属表面被布置成彼此面对。 粘合剂层的粘合剂包括在粘合剂基础组合物中形成由粘合剂基础组合物包围的路径的纳米颗粒的附聚物。 此外，本发明涉及一种用于生产该模块的方法。

公开(公告)号：US07955901B2

公开(公告)日：2011-06-07

申请号：US11867329

申请日：2007-10-04

申请人： Henrik Ewe ,  Stefan Landau ,  Klaus Schiess ,  Robert Bergmann ,  Alvin Wee Beng Tatt ,  Soon Lock Goh ,  Joachim Mahler ,  Boris Plikat ,  Reimund Engl

发明人： Henrik Ewe ,  Stefan Landau ,  Klaus Schiess ,  Robert Bergmann ,  Alvin Wee Beng Tatt ,  Soon Lock Goh ,  Joachim Mahler ,  Boris Plikat ,  Reimund Engl

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/24 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24246 ,  H01L2224/24998 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82007 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

摘要： A method for producing a power semiconductor module having surface mountable flat external contact areas is disclosed. At least one power semiconductor chip is fixed by its rear side on a drain external contact. An insulation layer covers the top side over the side edges of the semiconductor chip as far as the inner housing plane was a leaving free the source and gate contact areas on the top side of the semiconductor chip and also was partly leaving free the top sides of the corresponding external contacts.

摘要翻译： 公开了一种具有表面安装平坦的外部接触区域的功率半导体模块的制造方法。 至少一个功率半导体芯片由其后侧固定在漏极外部触点上。 绝缘层覆盖半导体芯片的侧边缘上方的顶侧，只要内壳平面离开半导体芯片的顶侧上的源极和栅极接触区域，并且还部分地释放出半导体芯片的顶侧 相应的外部联系人。

公开(公告)号：US20070246808A1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：US11376871

申请日：2006-03-16

申请人： Henrik Ewe ,  Stefan Landau ,  Klaus Schiess ,  Robert Bergmann

发明人： Henrik Ewe ,  Stefan Landau ,  Klaus Schiess ,  Robert Bergmann

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L23/49562 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

摘要： Power semiconductor module comprising surface-mountable flat external contact areas and method for producing the same The invention relates to a power semiconductor module (1) comprising surface-mountable flat external contact areas (3) and a method for producing the same. The top sides (10) of the external contacts (3) form an inner housing plane (11), on which at least one power semiconductor chip (6) is fixed by its rear side (8) on a drain external contact (13). An insulation layer (14) covers the top side (7) over the edge sides (15 to 18) of the semiconductor chip (6) as far as the inner housing plane (11) whilst leaving free the source and gate contact areas on the top side (7) of the semiconductor chip (6) and also whilst partly leaving free the top sides (10) of the corresponding external contacts (19 and 20). Arranged on said insulation layer (14) is a connecting conductive layer between the source contact areas on the top side (7) of the semiconductor chip (6) and the top sides (10) of the source external contacts (19), and also a gate connecting layer (22) from the gate contact areas (24) to the top side (10) of the gate external contact (20).

摘要翻译： 包括可表面安装的平坦外部接触区域的功率半导体模块及其制造方法技术领域本发明涉及一种功率半导体模块（1），其包括可表面安装的平坦的外部接触区域（3）及其制造方法。 外部触点（3）的顶面（10）形成内部壳体平面（11），至少一个功率半导体芯片（6）通过其后侧（8）固定在漏极外部触点（13）上， 。 绝缘层（14）将半导体芯片（6）的边缘侧（15至18）上的顶侧（7）覆盖到内部壳体平面（11），同时释放源极和栅极接触区域 半导体芯片（6）的顶侧（7）并且同时部分地释放对应的外部触点（19和20）的顶侧（10）。 布置在所述绝缘层（14）上的是在半导体芯片（6）的顶侧（7）和源极外部触点（19）的顶侧（10）之间的源极接触区域之间的连接导电层，以及 从栅极接触区域（24）到栅极外部接触件（20）的顶侧（10）的栅极连接层（22）。