公开(公告)号：US5930596A

公开(公告)日：1999-07-27

申请号：US721980

申请日：1996-09-27

申请人： Helmut Klose ,  Werner Weber ,  Emmerich Bertagnolli ,  Siegmar Koppe ,  Holger Hubner

发明人： Helmut Klose ,  Werner Weber ,  Emmerich Bertagnolli ,  Siegmar Koppe ,  Holger Hubner

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L27/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L24/72 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/14

摘要： A terminal metallization (8) is applied onto and structured on a layer structure on the upper side of the component, the terminal metallization is applied on the upper side of an insulating layer (7) with an opening on a metallization (6) provided for electrical connection. By filling a hole produced in a covering dielectric with metal, a contact rod (12) seated on this terminal metallization (8) is formed. This contact rod is resiliently movable in a surrounding opening (14) of the component on the free part of the terminal metallization (8) anchored in the layer structure. This enables the reversible contacting of the component to a further component arranged vertically thereto, whereby the planar upper sides lying opposite one another can be brought into intimate contact because the contact rod (12) pressed against a contact (15) of the other component is pressed back into the opening (14) and an adequately firm connection of the contacts is achieved by the spring power of the terminal metallization (8).

摘要翻译： PCT No.PCT / DE95 / 00313 Sec。 371日期1996年9月27日第 102（e）1996年9月27日PCT 1995年3月7日PCT PCT。 公开号WO96 / 26568 PCT 日期1995年10月5日端子金属化（8）被施加到构件的上侧上的层结构上并在其上构造，端子金属化被施加在绝缘层（7）的上侧，金属化开口 （6）用于电连接。 通过用金属填充在覆盖电介质中产生的孔，形成了位于该端子金属化（8）上的接触棒（12）。 该接触杆可以在锚定在层结构中的端子金属化（8）的自由部分上的部件的周围开口（14）中弹性移动。 这使得部件与其垂直方向布置的另一部件可逆地接触，由此，压接在另一部件的接触件（15）上的接触杆（12）是彼此相对的平面上侧面 压入到开口（14）中，通过端子金属化（8）的弹簧功率实现触点的充分牢固的连接。

公开(公告)号：US5969534A

公开(公告)日：1999-10-19

申请号：US666491

申请日：1996-07-11

申请人： Holger Hubner ,  Werner Weber ,  Siegmar Koppe ,  Helmut Klose

发明人： Holger Hubner ,  Werner Weber ,  Siegmar Koppe ,  Helmut Klose

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R1/06 ,  G01R1/067 ,  G01R1/073 ,  H01L21/66 ,  G01R31/02

CPC分类号： G01R1/06783

摘要： A method and apparatus for the reversible contacting of a semiconductor circuit level to assist in performing a function test. The apparatus includes a testing head having test points arranged at a test side lying opposite the contact surfaces of a semiconductor circuit level. The test points are formed of liquid contacts in recesses in the test side of the testing head wherein the liquid contacts form menisci that project beyond the surface of the testing head. The recesses, in turn, are provided for metallizations which are connected to electrically-conductive leads. In addition, the surface may be provided with a roughening or with etched trenches.

摘要翻译： PCT No.PCT / DE95 / 00013 Sec。 371日期：1996年7月11日 102（e）日期1996年7月11日PCT 1995年1月9日PCT PCT。 公开号WO95 / 18975 日期1995年7月13日用于半导体电路级的可逆接触以辅助执行功能测试的方法和装置。 该装置包括具有布置在与半导体电路电平的接触表面相对的测试侧的测试点的测试头。 测试点由测试头测试侧的凹槽中的液体触点形成，其中液体触点形成突出超出测试头表面的半月板。 这些凹槽又被提供用于连接到导电引线的金属化。 此外，表面可以设置有粗糙化或具有蚀刻的沟槽。

公开(公告)号：US5610531A

公开(公告)日：1997-03-11

申请号：US369391

申请日：1995-01-06

申请人： Werner Weber ,  Siegmar Koeppe ,  Helmut Klose ,  Holger Huebner

发明人： Werner Weber ,  Siegmar Koeppe ,  Helmut Klose ,  Holger Huebner

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R31/28 ,  H01L21/66 ,  H01L21/70 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L22/34 ,  H01L2924/0002

摘要： A function test is implemented for an individual circuit level (1) that is provided for vertical integration in a semiconductor component. Stacks of circuit levels respectively provided over or under this circuit level in the finished component are simulated as test heads (2, 3). These test heads are provided with terminal contacts for reversible contacting. The circuit level (1) under test is connected to these test heads (2, 3) during the function test, and the test heads are removed after the test.

摘要翻译： 对于为半导体部件中的垂直集成提供的单独电路电平（1）实现功能测试。 在完成的部件中分别设置在该电路电平以下或以下的电路电平的堆叠被模拟为测试头（2,3）。 这些测试头设置有用于可逆接触的端子触点。 在功能测试期间，被测线路电平（1）连接到这些测试头（2,3），并在测试之后移除测试头。

公开(公告)号：US5273934A

公开(公告)日：1993-12-28

申请号：US881166

申请日：1992-05-11

申请人： Karl Ehinger ,  Michael Bianco ,  Helmut Klose

发明人： Karl Ehinger ,  Michael Bianco ,  Helmut Klose

IPC分类号： H01L21/225 ,  H01L21/331 ,  H01L29/73 ,  H01L29/732

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L21/2255 ,  H01L29/732 ,  Y10S148/034 ,  Y10S438/923

摘要： A doped region (14) is produced in a substrate (11) of silicon by diffusion of dopant from a doped glass layer (13) that is arranged on an intermediate layer (12) situated on the substrate (11) . The dopant concentration in the doped region (14) is thereby limited by the intermediate layer (12). The doped glass layer (13) is particularly produced by chemical vapor deposition of (B(OSi(CH.sub.3).sub.3).sub.3).

摘要翻译： 通过掺杂剂从布置在位于衬底（11）上的中间层（12）上的掺杂玻璃层（13）的扩散而在硅的衬底（11）中产生掺杂区域（14）。 因此，掺杂区域（14）中的掺杂剂浓度被中间层（12）限制。 掺杂的玻璃层（13）特别是通过（B（OSi（CH3）3）3）的化学气相沉积来制备。

公开(公告)号：US5177582A

公开(公告)日：1993-01-05

申请号：US754377

申请日：1991-08-30

申请人： Thomas Meister ,  Hans-Willi Meul ,  Helmut Klose ,  Hermann Wendt

发明人： Thomas Meister ,  Hans-Willi Meul ,  Helmut Klose ,  Hermann Wendt

IPC分类号： H01L21/8249 ,  H01L27/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/732

CPC分类号： H01L29/0826 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/732

摘要： A bipolar transistor with a collector, a base and an emitter disposed in vertical succession includes a semiconductor substrate, insulating oxide zones disposed in the substrate for separating adjacent transistors, and a buried collector terminal layer at least partly disposed on the insulating oxide zones. An insulator structure laterally surrounding a collector. A subcollector is surrounded by the insulating oxide zones, has the same conductivity type with a lower impedance than the collector, is disposed under the collector and under the insulator structure, and is electrically connected to the collector. The insulator structure covers the buried collector terminal layer, laterally insulates the collector from the buried collector terminal layer, and has lateral surfaces extending inside the insulating oxide regions up to the subcollector. The buried collector terminal layer is in direct contact with the subcollector. The collector is electrically connected to the buried collector terminal layer only through the subcollector. The insulator structure has a contact hole extending to the buried collector terminal layer laterally of the active transistor zone, and a metallization filling the contact hole. A process for producing the bipolar transistor includes producing an insulator structure on a substrate for determining a location for a collector; and producing the collector by selective epitaxy only inside the insulator structure, for laterally insulating the collector with the insulator structure. An integrated circuit and method include such bipolar transistors and CMOS transistors.

摘要翻译： 具有垂直相继布置的集电极，基极和发射极的双极晶体管包括半导体衬底，设置在衬底中用于分离相邻晶体管的绝缘氧化物区域和至少部分地设置在绝缘氧化物区域上的埋地集电极端子层。 横向围绕收集器的绝缘体结构。 子集电极被绝缘氧化物区围绕，具有与集电体相比具有较低阻抗的相同的导电类型，设置在集电器下方和绝缘体结构下方，并且与集电极电连接。 绝缘体结构覆盖埋地集电极端子层，使集电体与埋地集电极端子层横向绝缘，并且具有在绝缘氧化物区域内延伸直到子集电极的侧表面。 埋地集电极端子层与子集电极直接接触。 集电极仅通过子集电极电连接到埋地集电极端子层。 绝缘体结构具有在有源晶体管区域侧向延伸到集电极端子层的接触孔，以及填充接触孔的金属化。 制造双极晶体管的方法包括：在基板上制造用于确定集电体位置的绝缘体结构; 并且仅通过绝缘体结构内的选择性外延生产集电体，用于使绝缘体结构的集电体横向绝缘。 集成电路和方法包括这样的双极晶体管和CMOS晶体管。

公开(公告)号：US5714397A

公开(公告)日：1998-02-03

申请号：US666101

申请日：1996-06-19

申请人： Helmut Klose

发明人： Helmut Klose

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/73 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/66265 ,  H01L29/7317

摘要： In a lateral bipolar transistor and a method for producing the same, an emitter layer and a collector layer are disposed on a structured dielectric layer. The structured dielectric layer is located in a plane of a base layer and is interrupted by the base layer in such a way that between the base layer and portions of the structured dielectric layer, the base layer is contacted on one side by the emitter layer and on the opposite side by the collector layer.

摘要翻译： 在横向双极晶体管及其制造方法中，发射极层和集电极层设置在结构化电介质层上。 结构化介电层位于基底层的平面中，并被基底层间隔开，使得在基底层和结构化介电层的部分之间，基底层在一侧被发射极层接触，并且 在集电体层的相对侧。

公开(公告)号：US5447067A

公开(公告)日：1995-09-05

申请号：US207080

申请日：1994-03-08

申请人： Markus Biebl ,  Thomas Scheiter ,  Helmut Klose

发明人： Markus Biebl ,  Thomas Scheiter ,  Helmut Klose

IPC分类号： G01P15/09 ,  G01P15/08 ,  G01P15/12 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84 ,  G01P1/02

CPC分类号： G01P15/125 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/0814

摘要： An acceleration sensor has a proof mass attached by resilient elements, in the form of micromechanical components, in a monocrystalline silicon layer of an SOI (silicon-on-insulator) substrate, the insulator layer of the substrate being removed under the structure which is susceptible to acceleration, in order to enable free mobility of the micromechanical components. Piezoresistors are provided for detecting movement of the proof mass, the piezoresistors supplying electrical signals to an evaluation circuit.

摘要翻译： 加速度传感器具有通过在MEMS（绝缘体上硅）衬底的单晶硅层中以微机械部件的形式的弹性元件附着的校验物质，该衬底的绝缘体层在易感的结构下被去除 以加速，以便实现微机械部件的自由移动。 提供压阻器用于检测检测质量块的运动，压电电阻器将电信号提供给评估电路。

公开(公告)号：US5431051A

公开(公告)日：1995-07-11

申请号：US219538

申请日：1994-03-29

申请人： Markus Biebl ,  Thomas Scheiter ,  Helmut Klose

发明人： Markus Biebl ,  Thomas Scheiter ,  Helmut Klose

IPC分类号： G01P15/08 ,  H01L29/88 ,  G01P15/13

CPC分类号： G01P15/0894

摘要： An acceleration sensor is produced on a silicon substrate by etching to leave a cantilevered beam of polysilicon with a tip on the substrate projecting toward this beam. Acceleration of the sensor causes the beam to bend, thereby changing the spacing between the tip and the beam, and thereby also changing the tunnel current, which is measured. Electrodes are provided that, given application of a potential thereto, effect an electrostatic compensation of the bending of the beam.

摘要翻译： 通过蚀刻在硅衬底上产生加速度传感器，以留下多晶硅的悬臂梁，衬底上的尖端朝向该梁突出。 传感器的加速度导致光束弯曲，从而改变尖端和光束之间的间距，从而也改变测量的隧道电流。 提供电极，其给予施加电位以对光束的弯曲进行静电补偿。

公开(公告)号：US5358882A

公开(公告)日：1994-10-25

申请号：US030901

申请日：1993-03-15

申请人： Emmerich Bertagnolli ,  Helmut Klose

发明人： Emmerich Bertagnolli ,  Helmut Klose

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/331 ,  H01L21/74 ,  H01L29/732 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/66272 ,  H01L21/743 ,  H01L29/7325 ,  Y10S148/011

摘要： A method for producing a bipolar transistor completely surrounded by an insulating trench in a substrate. Insulating regions at the surface of the substrate can be produced by depositing an SiO.sub.2 layer on the basis of thermal decomposition of TEOS and subsequent structuring of the SiO.sub.2 layer. The insulating regions can be employed as a self-aligning mask for the production of a collector terminal and of a substrate terminal.

摘要翻译： 一种完全由基板中的绝缘沟槽围绕的双极晶体管的制造方法。 可以通过在TEOS的热分解和SiO 2层的结构化的基础上沉积SiO 2层来制造衬底表面的绝缘区域。 绝缘区域可以用作用于生产集电极端子和衬底端子的自对准掩模。

公开(公告)号：US5326718A

公开(公告)日：1994-07-05

申请号：US950068

申请日：1992-09-23

申请人： Helmut Klose ,  Thomas Meister ,  Hans-Willi Meul ,  Reinhard Stengl

发明人： Helmut Klose ,  Thomas Meister ,  Hans-Willi Meul ,  Reinhard Stengl

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/73 ,  H01L29/732 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66287 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/66651 ,  Y10S148/011

摘要： A method for the manufacture of a laterally limited single crystal region that is suitable for use as an active part of a transistor.

摘要翻译： 一种用于制造适合用作晶体管的有源部分的横向受限的单晶区域的方法。