公开(公告)号：US08514624B2

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：US13165416

申请日：2011-06-21

申请人： Krishna K. Parat ,  Akira Goda ,  Koichi Kawai ,  Brian J. Soderling ,  Jeremy Binfet ,  Arnaud A. Furnemont ,  Tejas Krishnamohan ,  Tyson M. Stichka ,  Giuseppina Puzzilli

发明人： Krishna K. Parat ,  Akira Goda ,  Koichi Kawai ,  Brian J. Soderling ,  Jeremy Binfet ,  Arnaud A. Furnemont ,  Tejas Krishnamohan ,  Tyson M. Stichka ,  Giuseppina Puzzilli

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C29/765 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/16 ,  G11C16/349 ,  G11C29/789

摘要： Memory devices and methods are disclosed, including a method involving erasing a block of memory cells. After erasing the block, and before subsequent programming of the block, a number of bad strings in the block are determined based on charge accumulation on select gate transistors. The block is retired from use if the number of bad strings exceeds a threshold. Additional embodiments are disclosed.

摘要翻译： 公开了存储器件和方法，包括涉及擦除存储器单元块的方法。 在擦除块之后，并且在块的后续编程之前，基于选择栅晶体管上的电荷积累来确定块中的多个不良串。 如果坏字符串的数量超过阈值，则该块将从使用中退出。 公开了另外的实施例。

公开(公告)号：US20120327713A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：US13165416

申请日：2011-06-21

申请人： Krishna K. Parat ,  Akira Goda ,  Koichi Kawai ,  Brian J. Soderling ,  Jeremy Binfet ,  Arnaud A. Furnemont ,  Tejas Krishnamohan ,  Tyson M. Stichka ,  Giuseppina Puzzilli

发明人： Krishna K. Parat ,  Akira Goda ,  Koichi Kawai ,  Brian J. Soderling ,  Jeremy Binfet ,  Arnaud A. Furnemont ,  Tejas Krishnamohan ,  Tyson M. Stichka ,  Giuseppina Puzzilli

IPC分类号： G11C16/16 ,  G11C16/04

CPC分类号： G11C29/765 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/16 ,  G11C16/349 ,  G11C29/789

摘要： Memory devices and methods are disclosed, including a method involving erasing a block of memory cells. After erasing the block, and before subsequent programming of the block, a number of bad strings in the block are determined based on charge accumulation on select gate transistors. The block is retired from use if the number of bad strings exceeds a threshold. Additional embodiments are disclosed.

摘要翻译： 公开了存储器件和方法，包括涉及擦除存储器单元块的方法。 在擦除块之后，并且在块的后续编程之前，基于选择栅晶体管上的电荷积累来确定块中的多个不良串。 如果坏字符串的数量超过阈值，则该块将从使用中退出。 公开了另外的实施例。

公开(公告)号：US20140169093A1

公开(公告)日：2014-06-19

申请号：US13719558

申请日：2012-12-19

申请人： Krishna K. Parat ,  Pranav Kalavade ,  Koichi Kawai ,  Akira Goda

发明人： Krishna K. Parat ,  Pranav Kalavade ,  Koichi Kawai ,  Akira Goda

IPC分类号： G11C16/16

CPC分类号： G11C16/16 ,  G11C8/12 ,  G11C16/04 ,  G11C16/3409 ,  G11C16/3445

摘要： Methods, and apparatuses to erase and or soft program a block of NAND memory may include performing an erase cycle on a block of NAND memory comprising two or more sub-blocks, verifying the two or more sub-blocks until a sub-block fails to verify, stopping the verification in response to the failed verify, performing another erase cycle on the block of NAND memory, and re-starting to verify the two or more sub-blocks at the sub-block that failed to verify

摘要翻译： 擦除和/或软件编程NAND存储器块的方法和装置可以包括在包括两个或多个子块的NAND存储器块上执行擦除周期，验证两个或更多个子块直到子块失败 验证，停止验证以响应失败的验证，在NAND存储器块上执行另一个擦除周期，并重新启动以验证子块处的两个或更多个子块，验证失败

公开(公告)号：US20130044549A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：US13210194

申请日：2011-08-15

申请人： Akira Goda ,  Shafqat Ahmed ,  Khaled Hasnat ,  Krishna K. Parat

发明人： Akira Goda ,  Shafqat Ahmed ,  Khaled Hasnat ,  Krishna K. Parat

IPC分类号： G11C16/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788

CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/12 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3427 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11582

摘要： Apparatus and methods are disclosed, such as an apparatus that includes a string of charge storage devices associated with a pillar (e.g., of semiconductor material), a source gate device, and a source select device coupled between the source gate device and the string. Additional apparatus and methods are described.

摘要翻译： 公开了装置和方法，例如包括与柱（例如半导体材料）相关联的一串电荷存储装置的装置，源极栅极装置和耦合在源栅极装置和串之间的源极选择装置。 描述附加的装置和方法。

公开(公告)号：US08797806B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US13210194

申请日：2011-08-15

申请人： Akira Goda ,  Shafqat Ahmed ,  Khaled Hasnat ,  Krishna K. Parat

发明人： Akira Goda ,  Shafqat Ahmed ,  Khaled Hasnat ,  Krishna K. Parat

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/0483 ,  G11C16/0408 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/12 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3427 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11582

摘要： Apparatus and methods are disclosed, such as an apparatus that includes a string of charge storage devices associated with a pillar (e.g., of semiconductor material), a source gate device, and a source select device coupled between the source gate device and the string. Additional apparatus and methods are described.

摘要翻译： 公开了装置和方法，例如包括与柱（例如半导体材料）相关联的一串电荷存储装置的装置，源极栅极装置和耦合在源栅极装置和串之间的源选择装置。 描述附加的装置和方法。

公开(公告)号：US08921891B2

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：US13592086

申请日：2012-08-22

申请人： Haitao Liu ,  Akira Goda ,  Chandra Mouli ,  Krishna K. Parat

发明人： Haitao Liu ,  Akira Goda ,  Chandra Mouli ,  Krishna K. Parat

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/408 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/7889 ,  H01L29/7926

摘要： Some embodiments include a memory cell string having a body having a channel extending therein and in contact with a source/drain, a select gate adjacent to the body, a plurality of access lines adjacent to the body, and a dielectric in a portion of the body between the source/drain and a level corresponding to an end of the plurality of access lines most adjacent to the select gate. The dielectric in the portion of the body does not extend along an entire length of the body. Other embodiments are described and claimed.

摘要翻译： 一些实施例包括具有主体的存储单元串，该主体具有在其中延伸并与源极/漏极接触的通道，与主体相邻的选择栅极，与主体相邻的多个访问线，以及在该部分中的电介质 源极/漏极与对应于与选择栅极最相邻的多条访问线路的端部相对应的电平。 身体部分中的电介质不会沿着身体的整个长度延伸。 描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US08705290B2

公开(公告)日：2014-04-22

申请号：US13621052

申请日：2012-09-15

申请人： Prashant S. Damle ,  Krishna K. Parat ,  Alessandro Torsi ,  Carlo Musilli ,  Kalpana Vakati ,  Akira Goda

发明人： Prashant S. Damle ,  Krishna K. Parat ,  Alessandro Torsi ,  Carlo Musilli ,  Kalpana Vakati ,  Akira Goda

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C16/3404 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/32

摘要： Some embodiments include methods and devices having a module and memory cells. The module is configured to reduce the amount of electrons in the sources and drains of the memory cells during a programming operation.

摘要翻译： 一些实施例包括具有模块和存储器单元的方法和装置。 该模块被配置为在编程操作期间减少存储器单元的源极和漏极中的电子量。

公开(公告)号：US20140054666A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：US13592086

申请日：2012-08-22

申请人： Haitao Liu ,  Akira Goda ,  Chandra Mouli ,  Krishna K. Parat

发明人： Haitao Liu ,  Akira Goda ,  Chandra Mouli ,  Krishna K. Parat

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L29/408 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/7889 ,  H01L29/7926

摘要： Some embodiments include a memory cell string having a body having a channel extending therein and in contact with a source/drain, a select gate adjacent to the body, a plurality of access lines adjacent to the body, and a dielectric in a portion of the body between the source/drain and a level corresponding to an end of the plurality of access lines most adjacent to the select gate. The dielectric in the portion of the body does not extend along an entire length of the body. Other embodiments are described and claimed.

摘要翻译： 一些实施例包括具有主体的存储单元串，该主体具有在其中延伸并与源极/漏极接触的通道，与主体相邻的选择栅极，与主体相邻的多个访问线，以及在该部分中的电介质 源极/漏极与对应于与选择栅极最相邻的多条访问线路的端部相对应的电平。 身体部分中的电介质不会沿着身体的整个长度延伸。 描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US08969948B2

公开(公告)日：2015-03-03

申请号：US13852988

申请日：2013-03-28

申请人： Fatma A. Simsek-Ege ,  Krishna K. Parat

发明人： Fatma A. Simsek-Ege ,  Krishna K. Parat

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/788

CPC分类号： H01L21/3088 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/788 ,  H01L29/7889 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7926

摘要： A non-volatile memory device and a method for forming the non-volatile memory device are disclosed. During fabrication of the memory device, a tungsten salicide is utilized as an etch-stop layer in place of a conventionally used aluminum oxide to form channel pillars having a high aspect ratio. Use of the tungsten salicide is useful for eliminating an undesired etch-stop recess and an undesired floating gate that is formed when an Al oxide etch-stop layer is conventionally used.

摘要翻译： 公开了一种用于形成非易失性存储器件的非易失性存储器件和方法。 在制造存储器件期间，使用钨硅化物作为蚀刻停止层代替常规使用的氧化铝以形成具有高纵横比的通道柱。 使用钨硅化物可用于消除不期望的蚀刻停止凹部和当通常使用Al氧化物蚀刻停止层时形成的不需要的浮动栅极。

公开(公告)号：US08816489B2

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：US13471048

申请日：2012-05-14

申请人： Gurtej S. Sandhu ,  Krishna K. Parat

发明人： Gurtej S. Sandhu ,  Krishna K. Parat

IPC分类号： H01L23/02 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/78 ,  H01L21/8221 ,  H01L23/3185 ,  H01L25/043 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/074 ,  H01L27/0688 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

摘要： Methods for fabricating integrated circuit devices on an acceptor substrate devoid of circuitry are disclosed. Integrated circuit devices are formed by sequentially disposing one or more levels of semiconductor material on an acceptor substrate, and fabricating circuitry on each level of semiconductor material before disposition of a next-higher level. After encapsulation of the circuitry, the acceptor substrate is removed and semiconductor dice are singulated. Integrated circuit devices formed by the methods are also disclosed.

摘要翻译： 公开了在没有电路的受主基板上制造集成电路器件的方法。 集成电路器件通过在接受器衬底上依次布置一个或多个半导体材料层并且在配置下一较高电平之前在每个级别的半导体材料上制造电路而形成。 在封装电路之后，去除受主衬底并切割半导体晶片。 还公开了通过这些方法形成的集成电路器件。