公开(公告)号：US20130049015A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：US13591721

申请日：2012-08-22

申请人： Kuo-Lung Fang ,  Jui-Yi Chu

发明人： Kuo-Lung Fang ,  Jui-Yi Chu

IPC分类号： H01L33/02

CPC分类号： H01L33/22 ,  H01L33/20

摘要： A light emitting diode (LED) is disclosed. The LED includes a substrate, a first semiconductor layer, an active layer, a second semiconductor layer, and a patterned structure. The first semiconductor layer having first and second regions is positioned on the substrate, wherein the first region is thicker than the second region. The active layer is positioned on the first region of the first semiconductor layer. The second semiconductor layer is positioned on the active layer, wherein the first and second semiconductor layers have opposite conductivities. The patterned structure is formed on a sidewall of the first region of the first semiconductor layer or on a sidewall of the second semiconductor layer.

摘要翻译： 公开了一种发光二极管（LED）。 LED包括衬底，第一半导体层，有源层，第二半导体层和图案化结构。 具有第一和第二区域的第一半导体层位于衬底上，其中第一区域比第二区域厚。 有源层位于第一半导体层的第一区域上。 第二半导体层位于有源层上，其中第一和第二半导体层具有相反的导电性。 图案化结构形成在第一半导体层的第一区域的侧壁上或第二半导体层的侧壁上。

公开(公告)号：US08253160B2

公开(公告)日：2012-08-28

申请号：US13050677

申请日：2011-03-17

申请人： Jun-Rong Chen ,  Chi-Wen Kuo ,  Kun-Fu Huang ,  Jui-Yi Chu ,  Kuo-Lung Fang

发明人： Jun-Rong Chen ,  Chi-Wen Kuo ,  Kun-Fu Huang ,  Jui-Yi Chu ,  Kuo-Lung Fang

IPC分类号： H01L33/20

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387

摘要： A light-emitting diode chip structure including a conductive substrate, a semiconductor stacking layer and a patterned seed crystal layer is provided. The conductive substrate has a surface. The surface has a first region and a second region alternately distributed over the surface. The semiconductor stacking layer is disposed on the conductive substrate, and the surface of the conductive substrate faces the semiconductor stacking layer. The patterned seed crystal layer is disposed on the first region of the surface of the conductive substrate and between the conductive substrate and the semiconductor stacking layer. The patterned seed crystal layer separates the semiconductor stacking layer from the first region. The semiconductor stacking layer covers the patterned seed crystal layer and the second region, and is electrically connected to the conductive substrate through the second region. A fabrication method of the light-emitting diode chip structure is also provided.

摘要翻译： 提供了包括导电基板，半导体堆叠层和图案化晶种层的发光二极管芯片结构。 导电基板具有表面。 表面具有交替地分布在表面上的第一区域和第二区域。 半导体层叠层设置在导电性基板上，导电性基板的表面面向半导体层叠层。 图案化晶种层设置在导电基板的表面的第一区域上，并且在导电基板和半导体堆叠层之间。 图案化晶种层将半导体层叠层与第一区域分开。 半导体堆叠层覆盖图案化晶种层和第二区域，并且通过第二区域电连接到导电基板。 还提供了发光二极管芯片结构的制造方法。

公开(公告)号：US20130062657A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：US13614090

申请日：2012-09-13

申请人： Kuo-Lung Fang ,  Jui-Yi Chu ,  Jun-Rong Chen ,  Chi-Wen Kuo

发明人： Kuo-Lung Fang ,  Jui-Yi Chu ,  Jun-Rong Chen ,  Chi-Wen Kuo

IPC分类号： H01L33/62

CPC分类号： H01L33/145 ,  H01L33/382 ,  H01L2933/0016

摘要： A light-emitting diode structure is disclosed. A substrate has a first semiconductor layer, a light-emitting layer and a second semiconductor layer formed thereon. The first and second semiconductor layers are of opposite conductivity types. A first contact electrode is disposed between the first semiconductor layer and the substrate, and has a protruding portion extending into the second semiconductor layer. A barrier layer is conformally formed on the first contact electrode and exposes a top surface of the protruding portion. A current blocking member is disposed on the barrier layer and around at least a sidewall of the protruding portion. A second contact electrode is disposed between the first semiconductor layer and the first contact electrode, and in direct contact with the first semiconductor layer, wherein the second contact electrode is electrically insulated from the first contact electrode by the barrier layer.

摘要翻译： 公开了一种发光二极管结构。 基板具有形成在其上的第一半导体层，发光层和第二半导体层。 第一和第二半导体层具有相反的导电类型。 第一接触电极设置在第一半导体层和基板之间，并且具有延伸到第二半导体层中的突出部分。 阻挡层在第一接触电极上共形地形成并暴露突出部分的顶表面。 电流阻挡构件设置在阻挡层上并且至少围绕突出部分的侧壁。 第二接触电极设置在第一半导体层和第一接触电极之间，并且与第一半导体层直接接触，其中第二接触电极通过阻挡层与第一接触电极电绝缘。

公开(公告)号：US09570653B2

公开(公告)日：2017-02-14

申请号：US13590474

申请日：2012-08-21

申请人： Kuo-Lung Fang ,  Chi-Wen Kuo ,  Jun-Rong Chen ,  Chih-Hao Yang

发明人： Kuo-Lung Fang ,  Chi-Wen Kuo ,  Jun-Rong Chen ,  Chih-Hao Yang

IPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/50 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00 ,  H01L33/08

CPC分类号： H01L33/20 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/50 ,  H01L33/505

摘要： A method for fabricating a light-emitting device is provided. The method includes: providing a substrate; forming a sacrificial dielectric layer on the substrate, wherein the sacrificial dielectric layer is a structure containing voids; forming a buffer layer on the sacrificial dielectric layer; forming an epitaxial light-emitting structure on the buffer layer; forming a metal bonding layer on the epitaxial light-emitting structure; bonding the metal bonding layer to a thermally conductive substrate; and wet etching the sacrificial dielectric layer for to remove the substrate.

摘要翻译： 提供一种制造发光器件的方法。 该方法包括：提供衬底; 在所述衬底上形成牺牲电介质层，其中所述牺牲绝缘层是包含空隙的结构; 在所述牺牲介电层上形成缓冲层; 在缓冲层上形成外延发光结构; 在外延发光结构上形成金属结合层; 将金属粘结层粘合到导热基板上; 并湿蚀刻牺牲介电层以去除衬底。

公开(公告)号：US08431929B2

公开(公告)日：2013-04-30

申请号：US12633975

申请日：2009-12-09

申请人： Kuo-Lung Fang ,  Chih-Chun Yang ,  Han-Tu Lin

发明人： Kuo-Lung Fang ,  Chih-Chun Yang ,  Han-Tu Lin

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L31/036 ,  H01L31/062 ,  H01L27/01 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124

摘要： A semiconductor structure is provided. The semiconductor structure includes a substrate, a gate disposed thereon, an insulation layer disposed on the substrate and overlying the gate, a patterned semiconductor layer disposed on the insulation layer, a source and a drain disposed on the patterned semiconductor layer, a protective layer overlying the insulation layer, the source and the boundary of the drain to expose a portion of the drain, and a pixel electrode disposed on the substrate, overlying the protective layer overlying the boundary of the drain, electrically connected to the exposed drain.

摘要翻译： 提供半导体结构。 半导体结构包括衬底，设置在其上的栅极，设置在衬底上并覆盖栅极的绝缘层，设置在绝缘层上的图案化半导体层，设置在图案化半导体层上的源极和漏极，保护层覆盖 所述绝缘层，所述漏极的源极和边界以暴露所述漏极的一部分，以及设置在所述衬底上的像素电极，覆盖所述保护层，所述保护层覆盖所述漏极的边界，电连接到所述暴露的漏极。

公开(公告)号：US08349631B2

公开(公告)日：2013-01-08

申请号：US13225568

申请日：2011-09-06

申请人： Shine-Kai Tseng ,  Han-Tu Lin ,  Shiun-Chang Jan ,  Kuo-Lung Fang

发明人： Shine-Kai Tseng ,  Han-Tu Lin ,  Shiun-Chang Jan ,  Kuo-Lung Fang

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L31/112

CPC分类号： H01L27/1248 ,  H01L27/1288

摘要： A method for fabricating a TFT array substrate includes following steps. A gate pattern and a first pad pattern are formed on a substrate. A gate insulation layer and a semiconductor layer covering the two patterns are sequentially formed. A patterned photoresist layer having different resist blocks is formed, and patterns and thicknesses of the resist blocks in different regions are adjusted. The semiconductor layer and the gate insulation layer above the first pad pattern are removed through performing an etching process and reducing a thickness of the patterned photoresist layer. After removing the patterned photoresist layer, a source pattern, a drain pattern, and a second pad pattern electrically connected to the first pad pattern are formed. A patterned passivation layer is formed on the gate insulation layer and has a second opening exposing the source pattern or the drain pattern and a third opening exposing the second pad pattern.

摘要翻译： 制造TFT阵列基板的方法包括以下步骤。 在基板上形成栅极图案和第一焊盘图案。 依次形成覆盖这两个图案的栅绝缘层和半导体层。 形成具有不同抗蚀剂块的图案化光致抗蚀剂层，并且调整不同区域中的抗蚀剂块的图案和厚度。 通过执行蚀刻工艺并减小图案化光致抗蚀剂层的厚度来去除第一焊盘图案上方的半导体层和栅极绝缘层。 在去除图案化的光致抗蚀剂层之后，形成电连接到第一焊盘图案的源图案，漏极图案和第二焊盘图案。 图案化的钝化层形成在栅极绝缘层上，并且具有暴露源图案或漏极图案的第二开口和暴露第二焊盘图案的第三开口。

公开(公告)号：US20120168712A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US13329704

申请日：2011-12-19

申请人： Kuo-Lung Fang ,  Kun-Fu Huang ,  Chun-Jong Chang ,  Chi-Wen Kuo ,  Jun-Rong Chen ,  Chih-wei Chao

发明人： Kuo-Lung Fang ,  Kun-Fu Huang ,  Chun-Jong Chang ,  Chi-Wen Kuo ,  Jun-Rong Chen ,  Chih-wei Chao

IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/60

CPC分类号： H01L33/382 ,  H01L33/46

摘要： A high bright LED comprises a substrate, a conductive layer, a first semiconductor layer, a luminous layer, a second semiconductor layer, a first electrode, a second electrode and an insulation structure. The conductive layer, the first semiconductor layer, the luminous layer and the second semiconductor layer are disposed upwards from an upper solder layer of the substrate in order. The first electrode is electrically connected to the conductive layer The second electrode penetrates through the conductive layer, the first semiconductor layer and the luminous layer to make the upper solder and the second semiconductor layer electrically connected. The insulation structure comprises at least two passivation layers peripherally wrapping the second electrode. The thicknesses of the at least two passivation layers are conformed to the distributed Bragg reflection technique to make the passivation layers jointly used as a reflector with high reflectance.

摘要翻译： 高亮度LED包括基板，导电层，第一半导体层，发光层，第二半导体层，第一电极，第二电极和绝缘结构。 导电层，第一半导体层，发光层和第二半导体层依次从衬底的上焊料层向上设置。 第一电极电连接到导电层。第二电极穿过导电层，第一半导体层和发光层，以使上焊料和第二半导体层电连接。 绝缘结构包括至少两个钝化层，其外围地缠绕第二电极。 至少两个钝化层的厚度符合分布布拉格反射技术，以使钝化层联合用作具有高反射率的反射器。

公开(公告)号：US20110318855A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US13220693

申请日：2011-08-30

申请人： Kuo-Lung Fang ,  Chien-Sen Weng ,  Chih-Wei Chao

发明人： Kuo-Lung Fang ,  Chien-Sen Weng ,  Chih-Wei Chao

IPC分类号： H01L33/44

CPC分类号： H01L33/387 ,  H01L33/382 ,  H01L33/44

摘要： A method for fabricating a light emitting diode chip is provided. Firstly, a semiconductor device layer is formed on a substrate. Afterwards, a current spreading layer is formed on a portion of the semiconductor device layer. Then, a current blocking layer and a passivation layer are formed on a portion of the semiconductor device layer not covered by the current spreading layer. Finally, a first electrode is formed on the current blocking layer and the current spreading layer. Moreover, a second electrode is formed on the semiconductor device layer.

摘要翻译： 提供一种制造发光二极管芯片的方法。 首先，在基板上形成半导体器件层。 之后，在半导体器件层的一部分上形成电流扩散层。 然后，在未被电流扩展层覆盖的半导体器件层的一部分上形成电流阻挡层和钝化层。 最后，在电流阻挡层和电流扩展层上形成第一电极。 此外，在半导体器件层上形成第二电极。

公开(公告)号：US20110210343A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：US12859825

申请日：2010-08-20

申请人： Fu-Bang CHEN ,  Kuo-Lung Fang ,  Kun-Fu Huang ,  Te-Chung Wang

发明人： Fu-Bang CHEN ,  Kuo-Lung Fang ,  Kun-Fu Huang ,  Te-Chung Wang

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/007 ,  H01L33/20

摘要： A semiconductor wafer includes a substrate, a first separating structure and a semiconductor stacked layer structure. The substrate has a first surface. The first separating structure is formed on the first surface to divide the first surface into a plurality of independent regions. The minimum area of each of the regions is more than or equal to one square inch. The semiconductor stacked layer structure is disposed on the first surface and the first separating structure. The semiconductor wafer can prevent bowing of the semiconductor wafer during an epitaxial growth process so as to enhance quality of the semiconductor wafer.

摘要翻译： 半导体晶片包括基板，第一分离结构和半导体叠层结构。 衬底具有第一表面。 第一分离结构形成在第一表面上以将第一表面分成多个独立区域。 每个区域的最小面积大于或等于1平方英寸。 半导体堆叠层结构设置在第一表面和第一分离结构上。 半导体晶片可以在外延生长工艺期间防止半导体晶片弯曲，从而提高半导体晶片的质量。

公开(公告)号：US20110165705A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：US13046606

申请日：2011-03-11

申请人： Kuo-Lung Fang ,  Chien-Sen Weng ,  Chih-Wei Chao

发明人： Kuo-Lung Fang ,  Chien-Sen Weng ,  Chih-Wei Chao

IPC分类号： H01L33/36

CPC分类号： H01L33/44 ,  H01L33/387 ,  Y10S438/951

摘要： A method for fabricating a light emitting diode chip is provided. In the method, a half-tone mask process, a gray-tone mask process or a multi-tone mask process is applied and combined with a lift-off process to further reduce process steps of the light emitting diode chip. In the present invention, some components may also be simultaneously formed by an identical process to reduce the process steps of the light emitting diode chip. Consequently, the fabricating method of the light emitting diode provided in the present invention reduces the cost and time for the fabrication of the light emitting diode.

摘要翻译： 提供一种制造发光二极管芯片的方法。 在该方法中，应用半色调掩模处理，灰度色调处理或多色调掩模处理，并与剥离处理相结合，以进一步减少发光二极管芯片的处理步骤。 在本发明中，一些部件也可以通过相同的工艺同时形成，以减少发光二极管芯片的工艺步骤。 因此，本发明中提供的发光二极管的制造方法降低了用于制造发光二极管的成本和时间。