公开(公告)号：US06433383B1

公开(公告)日：2002-08-13

申请号：US09357333

申请日：1999-07-20

申请人： Mark Ramsbey ,  Unsoon Kim ,  Kenneth Wo-Wai Au ,  David H. Chi ,  James Markarian

发明人： Mark Ramsbey ,  Unsoon Kim ,  Kenneth Wo-Wai Au ,  David H. Chi ,  James Markarian

IPC分类号： H01L27108

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L27/115 ,  H01L29/511

摘要： A single interpoly dielectric layer is provided for use in semiconductor devices. The single interpoly dielectric layer being formed of silicon graded such that certain regions within the single interpoly dielectric layer are either oxygen-rich or nitrogen-rich. The single interpoly dielectric layer can be formed in-situ within a single deposition tool. In certain embodiments, the resulting single interpoly dielectric layer can be made thinner and/or can be formed to provide improved dielectric characteristics when compared to a conventional oxide-nitride-oxide (ONO) interpoly dielectric layer that has three separate and unique layers. Thus, the single interpoly dielectric layer is highly desirable for use in reduced-size semiconductor devices and/or semiconductor devices requiring improved data retention capabilities, such as non-volatile memory cells.

摘要翻译： 提供了一个用于半导体器件的单互补电介质层。 由硅分级形成的单个间隔电介质层使得单个互间介电层内的某些区域是富氧或富含氮的。 单个间隔电介质层可以在单个沉积工具内原位形成。 在某些实施例中，当与具有三个独立且独特的层的常规氧化物 - 氮化物 - 氧化物（ONO）间隔电介质层相比时，所得到的单个间隔电介质层可以制成更薄和/或可形成以提供改善的介电特性。 因此，对于需要改进的数据保持能力的尺寸较小的半导体器件和/或半导体器件（例如非易失性存储器单元），单个互聚电介质层是非常需要的。

公开(公告)号：US06444530B1

公开(公告)日：2002-09-03

申请号：US09318429

申请日：1999-05-25

申请人： Hung-Sheng Chen ,  Unsoon Kim ,  Yu Sun ,  Chi Chang ,  Mark Ramsbey ,  Mark Randolph ,  Tatsuya Kajita ,  Angela Hui ,  Fei Wang ,  Mark Chang

发明人： Hung-Sheng Chen ,  Unsoon Kim ,  Yu Sun ,  Chi Chang ,  Mark Ramsbey ,  Mark Randolph ,  Tatsuya Kajita ,  Angela Hui ,  Fei Wang ,  Mark Chang

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L27/115 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12542 ,  Y10T428/1259 ,  Y10T428/12625 ,  Y10T428/12778 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming a contact in a flash memory device utilizes a local interconnect process technique. The local interconnect process technique allows the contact to butt against or overlap a stacked gate associated with the memory cell. The contact can include tungsten. The stacked gate is covered by a barrier layer which also covers the insulative spacers.

摘要翻译： 在闪速存储器件中形成触点的方法利用局部互连处理技术。 局部互连处理技术允许接触件与存储器单元相关联的堆叠栅极对接或重叠。 接触可以包括钨。 堆叠的栅极被也覆盖绝缘间隔物的阻挡层覆盖。

公开(公告)号：US5907781A

公开(公告)日：1999-05-25

申请号：US49517

申请日：1998-03-27

申请人： Hung-Sheng Chen ,  Unsoon Kim ,  Yu Sun ,  Chi Chang ,  Mark Ramsbey ,  Mark Randolph ,  Tatsuya Kajita ,  Angela Hui ,  Fei Wang ,  Mark Chang

发明人： Hung-Sheng Chen ,  Unsoon Kim ,  Yu Sun ,  Chi Chang ,  Mark Ramsbey ,  Mark Randolph ,  Tatsuya Kajita ,  Angela Hui ,  Fei Wang ,  Mark Chang

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/76895

摘要： A method of forming a contact in a flash memory device utilizes a local interconnect process technique. The local interconnect process technique allows the contact to butt against or overlap a stacked gate associated with the memory cell. The contact can include tungsten. The stacked gate is covered by a barrier layer which also covers the insulative spacers.

公开(公告)号：US08802537B1

公开(公告)日：2014-08-12

申请号：US11189874

申请日：2005-07-27

申请人： Yider Wu ,  Unsoon Kim ,  Kuo-Tung Chang ,  Harpreet Sachar

发明人： Yider Wu ,  Unsoon Kim ,  Kuo-Tung Chang ,  Harpreet Sachar

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/02057

摘要： A method for forming a memory device is provided. A nitride layer is formed over a substrate. The nitride layer and the substrate are etched to form a trench. The memory device is pre-cleaned to prepare a surface of the memory device for oxide formation thereon, where cleaning the memory device removes portions of the barrier oxide layer on opposite sides of the trench. The nitride layer is trimmed on opposite sides of the trench. A liner oxide layer is formed in the trench.

摘要翻译： 提供了一种用于形成存储器件的方法。 在衬底上形成氮化物层。 蚀刻氮化物层和衬底以形成沟槽。 存储器件被预先清洁以准备用于其上形成氧化物的存储器件的表面，其中清洁存储器件去除沟槽相对侧上的阻挡氧化物层的部分。 在沟槽的相对侧上修整氮化物层。 在沟槽中形成衬里氧化物层。

公开(公告)号：US08742486B2

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：US11702846

申请日：2007-02-05

申请人： Wei Zheng ,  Chi Chang ,  Unsoon Kim

发明人： Wei Zheng ,  Chi Chang ,  Unsoon Kim

IPC分类号： H01L29/68

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/823418 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923

摘要： An embodiment of the present invention is directed to a memory cell. The memory cell includes a first trench formed in a semiconductor substrate and a second trench formed in said semiconductor substrate adjacent to said first trench. The first trench and the second trench each define a first side wall and a second sidewall respectively. The memory cell further includes a first storage element formed on the first sidewall of the first trench and a second storage element formed on the second sidewall of the second trench.

摘要翻译： 本发明的实施例涉及存储单元。 存储单元包括形成在半导体衬底中的第一沟槽和形成在与所述第一沟槽相邻的所述半导体衬底中的第二沟槽。 第一沟槽和第二沟槽分别限定第一侧壁和第二侧壁。 存储单元还包括形成在第一沟槽的第一侧壁上的第一存储元件和形成在第二沟槽的第二侧壁上的第二存储元件。

公开(公告)号：US07307002B2

公开(公告)日：2007-12-11

申请号：US11099339

申请日：2005-04-04

申请人： Unsoon Kim ,  Hiroyuki Kinoshita ,  Yu Sun ,  Krishnashree Achuthan ,  Christopher H. Raeder ,  Christopher M. Foster ,  Harpreet Kaur Sachar ,  Kashmir Singh Sahota

发明人： Unsoon Kim ,  Hiroyuki Kinoshita ,  Yu Sun ,  Krishnashree Achuthan ,  Christopher H. Raeder ,  Christopher M. Foster ,  Harpreet Kaur Sachar ,  Kashmir Singh Sahota

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11543 ,  H01L27/11568

摘要： A method is disclosed for the definition of the poly-1 layer in a semiconductor wafer. A non-critical mask is used to recess field oxides in the periphery prior to poly-1 deposition by an amount equal to the final poly-1 thickness. A complimentary non-critical mask is used to permit CMP of the core to expose the tops of core oxide mesas from the shallow isolation trenches.

摘要翻译： 公开了一种用于在半导体晶片中定义多晶硅层的方法。 使用非临界掩模在聚-1沉积之前将外围的场氧化物凹入等于最终聚-1厚度的量。 使用互补的非关键掩模来允许芯的CMP将浅层隔离沟的核心氧化物台面的顶部暴露出来。

公开(公告)号：US06924220B1

公开(公告)日：2005-08-02

申请号：US09922536

申请日：2001-08-03

申请人： Kai Yang ,  John Jianshi Wang ,  Unsoon Kim

发明人： Kai Yang ,  John Jianshi Wang ,  Unsoon Kim

IPC分类号： H01L21/321 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L21/3201

CPC分类号： H01L27/11526 ,  H01L21/3212 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11531

摘要： A method of protecting a peripheral region, by forming a protective mask over the peripheral area, during polysilicon polishing while forming self-aligned polysilicon gates in flash memory circuits. In one aspect, the protective mask is formed over a substantial area of the Peripheral region. In another aspect, the protective mask is formed over a substantial area of an active part of the peripheral region.

摘要翻译： 一种通过在多晶硅抛光期间在周边区域上形成保护掩模来保护外围区域的方法，同时在闪速存储器电路中形成自对准的多晶硅栅极。 在一个方面，保护掩模形成在外围区域的大部分区域上。 另一方面，保护掩模形成在周边区域的有效部分的实质区域上。

公开(公告)号：US09159568B2

公开(公告)日：2015-10-13

申请号：US11639666

申请日：2006-12-15

申请人： Chungho Lee ,  Wei Zheng ,  Chi Chang ,  Unsoon Kim ,  Hiroyuki Kinoshita

发明人： Chungho Lee ,  Wei Zheng ,  Chi Chang ,  Unsoon Kim ,  Hiroyuki Kinoshita

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L29/66 ,  H01L29/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/7923

摘要： Memory cells having split charge storage nodes and methods for fabricating memory cells having split charge storage nodes are disclosed. A disclosed method includes forming a first trench and an adjacent second trench in a semiconductor substrate, the first trench and the second trench each defining a first sidewall and a second sidewall respectively and forming a first source/drain region in the substrate and a second source/drain region in the substrate, where the first source/drain region and the second source/drain region are formed substantially under the first trench and the second trench in the semiconductor substrate respectively. Moreover, a method includes forming a bit line punch through barrier in the substrate between the first source/drain region and the second source drain region and forming a first storage element on the first sidewall of the first trench and a second storage element on the second sidewall of the second element. A word line is formed in contact with the first storage element and the second storage element.

摘要翻译： 公开了具有分割电荷存储节点的存储单元和用于制造具有分离电荷存储节点的存储单元的方法。 所公开的方法包括在半导体衬底中形成第一沟槽和相邻的第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽分别限定第一侧壁和第二侧壁，并在衬底中形成第一源极/漏极区域，第二源极 /漏极区域，其中第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域分别基本上形成在半导体衬底中的第一沟槽和第二沟槽下方。 此外，一种方法包括在第一源极/漏极区域和第二源极漏极区域之间的衬底中形成位线穿通阻挡层，并在第一沟槽的第一侧壁上形成第一存储元件，在第二沟槽的第二沟槽上形成第二存储元件 第二元件的侧壁。 形成与第一存储元件和第二存储元件接触的字线。

公开(公告)号：US08598645B2

公开(公告)日：2013-12-03

申请号：US12910331

申请日：2010-10-22

申请人： Unsoon Kim ,  Angela T. Hui ,  Yider Wu ,  Kuo-Tung Chang ,  Hiroyuki Kinoshita

发明人： Unsoon Kim ,  Angela T. Hui ,  Yider Wu ,  Kuo-Tung Chang ,  Hiroyuki Kinoshita

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： H01L27/11526 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11531

摘要： A method for forming a memory device is provided. A nitride layer is formed over a substrate. The nitride layer and the substrate are etched to form a trench. The nitride layer is trimmed on opposite sides of the trench to widen the trench within the nitride layer. The trench is filled with an oxide material. The nitride layer is stripped from the memory device, forming a mesa above the trench.

摘要翻译： 提供了一种用于形成存储器件的方法。 在衬底上形成氮化物层。 蚀刻氮化物层和衬底以形成沟槽。 在沟槽的相对侧上修整氮化物层，以加宽氮化物层内的沟槽。 沟槽填充有氧化物材料。 从存储器件剥离氮化物层，在沟槽上方形成台面。

公开(公告)号：US07842618B2

公开(公告)日：2010-11-30

申请号：US11193409

申请日：2005-08-01

申请人： Unsoon Kim ,  Angela T. Hui ,  Yider Wu ,  Kuo-Tung Chang ,  Hiroyuki Kinoshita

发明人： Unsoon Kim ,  Angela T. Hui ,  Yider Wu ,  Kuo-Tung Chang ,  Hiroyuki Kinoshita

IPC分类号： H01L21/302 ,  B44C1/22

CPC分类号： H01L27/11526 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11531

摘要： A method for forming a memory device is provided. A nitride layer is formed over a substrate. The nitride layer and the substrate are etched to form a trench. The nitride layer is trimmed on opposite sides of the trench to widen the trench within the nitride layer. The trench is filled with an oxide material. The nitride layer is stripped from the memory device, forming a mesa above the trench.

摘要翻译： 提供了一种用于形成存储器件的方法。 在衬底上形成氮化物层。 蚀刻氮化物层和衬底以形成沟槽。 在沟槽的相对侧上修整氮化物层，以加宽氮化物层内的沟槽。 沟槽填充有氧化物材料。 从存储器件剥离氮化物层，在沟槽上方形成台面。