公开(公告)号：US20070018919A1

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：US11475567

申请日：2006-06-26

申请人： Matthew Zavracky ,  Frederick Herrmann ,  Wen-Foo Chern ,  Alan Richard ,  Ronald Gale ,  Jason Lo ,  David Ellertson ,  Kuojinng Tsai ,  John Fan ,  Bor-Yeu Tsaur ,  Stephen Pombo ,  Rodney Bumgardner ,  Duy-Phach Vu

发明人： Matthew Zavracky ,  Frederick Herrmann ,  Wen-Foo Chern ,  Alan Richard ,  Ronald Gale ,  Jason Lo ,  David Ellertson ,  Kuojinng Tsai ,  John Fan ,  Bor-Yeu Tsaur ,  Stephen Pombo ,  Rodney Bumgardner ,  Duy-Phach Vu

IPC分类号： G09G3/36

CPC分类号： G09G5/008 ,  G09G3/3406 ,  G09G3/3413 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3655 ,  G09G3/3659 ,  G09G3/3677 ,  G09G3/3688 ,  G09G5/399 ,  G09G2300/0876 ,  G09G2310/0235 ,  G09G2310/0237 ,  G09G2310/024 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2310/0281 ,  G09G2310/0291 ,  G09G2310/0297 ,  G09G2310/08 ,  G09G2320/02 ,  G09G2320/0247 ,  G09G2320/0276 ,  G09G2320/041 ,  G09G2320/0606 ,  G09G2320/0626 ,  G09G2320/0633 ,  G09G2320/0666 ,  G09G2340/0414 ,  G09G2340/0421 ,  G09G2360/144

摘要： An active matrix color crystal display has an active matrix circuit, a counterelectrode panel and an interposed layer of liquid crystal. The active matrix display is located in a portable microdisplay system. The image is written to the the display therein causing the liquid crystal to move to a specific image position. A light source is flashed to illuminate the display. The pixel electrodes are set to a specific value to cause the liquid crystal to move towards a desired position. The process of writing, flashing, and setting the electrode intensity value to reorient the liquid crystal to produce an image is repeated. Portable system can include a digital camera, cellular telephone, camcorder, heads up display, instant print camera, pager,

摘要翻译： 有源矩阵彩色晶体显示器具有有源矩阵电路，反电极面板和插入的液晶层。 有源矩阵显示器位于便携式微显示系统中。 图像被写入其中的显示器，使液晶移动到特定图像位置。 闪光灯照亮显示屏。 将像素电极设定为特定值以使液晶朝向期望位置移动。 重复写入，闪烁和设置电极强度值以重新定向液晶以产生图像的过程。 便携式系统可以包括数码相机，蜂窝电话，摄像机，头戴式显示器，即时打印相机，寻呼机，

公开(公告)号：US5976953A

公开(公告)日：1999-11-02

申请号：US986998

申请日：1997-12-08

申请人： Paul M. Zavracky ,  Matthew Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle

发明人： Paul M. Zavracky ,  Matthew Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L21/98 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  Y10S148/164

摘要： A multi-layered structure is fabricated in which a microprocessor is configured in different layers and interconnected vertically through insulating layers which separate each circuit layer of the structure. Each circuit layer can be fabricated in a separate wafer or thin film material and then transferred onto the layered structure and interconnected.

公开(公告)号：US5705424A

公开(公告)日：1998-01-06

申请号：US215555

申请日：1994-03-21

申请人： Paul M. Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle ,  Matthew Zavracky ,  Mark B. Spitzer

发明人： Paul M. Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle ,  Matthew Zavracky ,  Mark B. Spitzer

IPC分类号： G02F1/136 ,  G02B27/00 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1347 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/20 ,  G09G3/30 ,  G09G3/36 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H04N5/74 ,  H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  H01L21/304 ,  H01L21/52

CPC分类号： A61B3/113 ,  G02B27/0093 ,  G02F1/133526 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/30 ,  G09G3/36 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/156 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78648 ,  H04N5/7441 ,  H04N9/3105 ,  H04N9/312 ,  H04N9/3141 ,  H04N9/3144 ,  H05B33/12 ,  G02B2027/0198 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/133516 ,  G02F1/13473 ,  G02F1/136209 ,  G02F2001/13613 ,  G02F2202/105 ,  G02F2203/01 ,  G09G2300/023 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0259 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/041 ,  G09G2320/043 ,  G09G2340/0464 ,  G09G2370/04 ,  G09G2370/042 ,  G09G3/2014 ,  G09G3/3607 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3648 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78618 ,  H04N5/70 ,  H04N5/74 ,  H04N5/7491 ,  Y10S438/977

摘要： The present invention relates to methods of fabricating pixel electrodes for active matrix displays including the formation of arrays of transistor circuits in thin film silicon on an insulating substrate and transfer of this active matrix circuit onto an optically transmissive substrate. An array of color filter elements can be formed prior to transfer of the active matrix circuit that are aligned between a light source for the display and the array of pixel electrodes to provide a color display.

摘要翻译： 本发明涉及制造用于有源矩阵显示器的像素电极的方法，包括在绝缘衬底上形成薄膜硅中晶体管电路的阵列并将该有源矩阵电路传送到光学透射衬底上。 可以在转移有源矩阵电路之前形成彩色滤光片元件阵列，该有源矩阵电路在用于显示器的光源和像素电极阵列之间对齐以提供彩色显示。

公开(公告)号：US5793115A

公开(公告)日：1998-08-11

申请号：US315027

申请日：1994-09-29

申请人： Paul M. Zavracky ,  Matthew Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle

发明人： Paul M. Zavracky ,  Matthew Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L21/98 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L23/48 ,  H01L21/18 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  Y10S148/164

摘要： A multi-layered structure is fabricated in which a microprocessor is configured in different layers and interconnected vertically through insulating layers which separate each circuit layer of the structure. Each circuit layer can be fabricated in a separate wafer or thin film material and then transferred onto the layered structure and interconnected.

公开(公告)号：US5656548A

公开(公告)日：1997-08-12

申请号：US531177

申请日：1995-09-19

申请人： Paul M. Zavracky ,  Matthew Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle

发明人： Paul M. Zavracky ,  Matthew Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L21/98 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L27/00 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L21/18

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  Y10S148/164

摘要： A multi-layered structure is fabricated in which a microprocessor is configured in different layers and interconnected vertically through insulating layers which separate each circuit layer of the structure. Each circuit layer can be fabricated in a separate wafer or thin film material and then transferred onto the layered structure and interconnected.

摘要翻译： 制造多层结构，其中微处理器被配置在不同的层中，并且通过隔离结构的每个电路层的绝缘层垂直互连。 每个电路层可以制造在单独的晶片或薄膜材料中，然后转移到分层结构上并互连。

公开(公告)号：US06624046B1

公开(公告)日：2003-09-23

申请号：US09430968

申请日：1999-11-01

申请人： Paul M. Zavracky ,  Matthew Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle

发明人： Paul M. Zavracky ,  Matthew Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle

IPC分类号： H01L2146

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  Y10S148/164 ,  H01L2924/00

摘要： A multi-layered structure is fabricated in which a microprocessor is configured in different layers and interconnected vertically through insulating layers which separate each circuit layer of the structure. Each circuit layer can be fabricated in a separate wafer or thin film material and then transferred onto the layered structure and interconnected.

摘要翻译： 制造多层结构，其中微处理器被配置在不同的层中，并且通过隔离结构的每个电路层的绝缘层垂直互连。 每个电路层可以制造在单独的晶片或薄膜材料中，然后转移到分层结构上并互连。

公开(公告)号：US06608654B2

公开(公告)日：2003-08-19

申请号：US08716409

申请日：1997-03-17

申请人： Paul M. Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle ,  Matthew Zavracky ,  Mark B. Spitzer

发明人： Paul M. Zavracky ,  Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle ,  Matthew Zavracky ,  Mark B. Spitzer

IPC分类号： G02F1136

CPC分类号： H01L27/1266 ,  G02B27/0093 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/133516 ,  G02F1/133526 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13473 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13613 ,  G02F2202/105 ,  G02F2203/01 ,  G09G3/2014 ,  G09G3/30 ,  G09G3/36 ,  G09G3/3607 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/023 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0259 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/041 ,  G09G2320/043 ,  G09G2340/0464 ,  G09G2370/042 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78633 ,  H04N5/7441 ,  H04N5/7491 ,  H04N9/3141

摘要： The present invention relates to methods of fabricating pixel electrodes (44) for active matrix displays including the formation of arrays of transistor circuits in thin film silicon (10) on an insulating substrate and transfer of this active matrix circuit onto an optically transmissive substrate (24). An array of color filter elements can be formed prior to transfer of the active matrix circuit that are aligned between a light source for the display and the array of pixel electrodes to provide a color display.

摘要翻译： 本发明涉及制造用于有源矩阵显示器的像素电极（44）的方法，包括在绝缘衬底上形成薄膜硅（10）中的晶体管电路阵列，并将该有源矩阵电路转移到光学透射衬底（24 ）。 可以在转移有源矩阵电路之前形成彩色滤光片元件阵列，该有源矩阵电路在用于显示器的光源和像素电极阵列之间对齐以提供彩色显示。

公开(公告)号：US06486929B1

公开(公告)日：2002-11-26

申请号：US09082925

申请日：1998-05-21

申请人： Duy-Phach Vu ,  Brenda D. Dingle ,  Jason E. Dingle ,  Ngwe Cheong

发明人： Duy-Phach Vu ,  Brenda D. Dingle ,  Jason E. Dingle ,  Ngwe Cheong

IPC分类号： G02F11343

CPC分类号： H01L27/1266 ,  A61B3/113 ,  G02B5/30 ,  G02B27/0093 ,  G02B27/017 ,  G02B27/0172 ,  G02B2027/0132 ,  G02B2027/0138 ,  G02B2027/0187 ,  G02B2027/0198 ,  G02F1/13336 ,  G02F1/133526 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13473 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136277 ,  G02F2001/13613 ,  G02F2202/105 ,  G09G3/30 ,  G09G3/32 ,  G09G3/36 ,  G09G3/3607 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/023 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/041 ,  G09G2320/043 ,  G09G2340/0464 ,  G09G2370/042 ,  H01L21/8221 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0756 ,  H01L25/10 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/156 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/423 ,  H04N5/70 ,  H04N5/7441 ,  H04N5/7491 ,  H04N9/3141 ,  H05B33/12 ,  H01L2924/00

摘要： The invention relates to the formation of arrays of thin film transistors (TFT's) on silicon substrates and the dicing and tiling of such substrates for transfer to a common module body. TFT's activate display electrodes formed adjacent the transistors after the tiles have been transferred.

摘要翻译： 本发明涉及在硅衬底上形成薄膜晶体管（TFT）的阵列以及用于转移到公共模块体的这种衬底的切割和平铺。 在移动瓦片之后，TFT的激活显示电极与晶体管相邻形成。

公开(公告)号：US6143582A

公开(公告)日：2000-11-07

申请号：US249012

申请日：1999-02-12

申请人： Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle ,  Ngwe Cheong

发明人： Duy-Phach Vu ,  Brenda Dingle ,  Ngwe Cheong

IPC分类号： A61B3/113 ,  G02B5/30 ,  G02B27/00 ,  G02B27/01 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1347 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  G09G3/30 ,  G09G3/32 ,  G09G3/36 ,  H01L21/77 ,  H01L21/822 ,  H01L21/84 ,  H01L25/075 ,  H01L27/06 ,  H01L27/12 ,  H01L27/15 ,  H01L29/786 ,  H01L33/00 ,  H01S5/02 ,  H01S5/42 ,  H04N5/70 ,  H04N5/74 ,  H05B33/12 ,  H10L21/00

CPC分类号： G02F1/13454 ,  A61B3/113 ,  G02B27/0093 ,  G02B27/017 ,  G02B27/0172 ,  G02F1/133526 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136277 ,  G09G3/30 ,  G09G3/36 ,  H01L21/8221 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0756 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/156 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H04N5/7441 ,  H04N9/3141 ,  H05B33/12 ,  G02B2027/0132 ,  G02B2027/0138 ,  G02B2027/0187 ,  G02B2027/0198 ,  G02B5/30 ,  G02F1/13336 ,  G02F1/13473 ,  G02F2001/13613 ,  G02F2202/105 ,  G09G2300/023 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/041 ,  G09G2320/043 ,  G09G2340/0464 ,  G09G2370/042 ,  G09G3/32 ,  G09G3/3607 ,  G09G3/3648 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/423 ,  H04N5/70 ,  H04N5/7491

摘要： The invention relates to device processing, packaging and interconnects that will yield integrated electronic circuitry of higher density and complexity than can be obtained by using conventional multi-chip modules. Processes include the formation of complex multi-function circuitry on common module substrates using circuit tiles of silicon thin-films which are transferred, interconnected and packaged. Circuit modules using integrated transfer/interconnect processes compatible with extremely high density and complexity provide large-area active-matrix displays with on-board drivers and logic in a complete glass-based modules. Other applications are contemplated, such as, displays, microprocessor and memory devices, and communication circuits with optical input and output.

公开(公告)号：US5420055A

公开(公告)日：1995-05-30

申请号：US153781

申请日：1993-11-16

申请人： Duy-Phach Vu ,  Ngwe K. Cheong

发明人： Duy-Phach Vu ,  Ngwe K. Cheong

IPC分类号： G02B27/00 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1347 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  G09G3/30 ,  G09G3/36 ,  H01L21/84 ,  H01L27/15 ,  H04N5/70 ,  H04N5/74 ,  H04N9/31 ,  H01L21/265

CPC分类号： H04N9/3141 ,  G02B27/0093 ,  G09G3/30 ,  G09G3/36 ,  H01L21/84 ,  H04N5/7441 ,  G09G2300/023 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2320/0233 ,  G09G2320/041 ,  G09G2320/043 ,  G09G2340/0464 ,  G09G2370/042 ,  G09G3/3607 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3648 ,  H04N5/70 ,  H04N5/7491

摘要： A semiconductor fabrication method improves the voltage characteristic of floating-body MOSFETs by creating recombination centers near the source-body junction of the device. A MOSFET is fabricated through the passivation oxidation stage, and a photolithography step is used to expose the source region. Implantation is then performed using one of two types of material. A first type creates electron traps of predetermined energy in the vicinity of the source-body junction. A second type creates defects in the crystalline structure of the semiconductor material. Both implantation types create recombination centers in the material. This allows the discharge through the source-body junction of charges built up in the body region.

摘要翻译： 半导体制造方法通过在器件的源体结点附近产生复合中心来改善浮体MOSFET的电压特性。 通过钝化氧化阶段制造MOSFET，并且使用光刻步骤来曝光源极区域。 然后使用两种类型的材料之一进行植入。 第一类型在源 - 体结附近产生预定能量的电子阱。 第二种类型在半导体材料的晶体结构中产生缺陷。 这两种植入类型都在材料中产生重组中心。 这允许通过在体区域中积聚的电荷的源 - 体结合进行放电。