公开(公告)号：US20130076442A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13545163

申请日：2012-07-10

申请人： Norikazu Nakamura ,  Atsushi Yamada ,  Shiro Ozaki ,  Kenji Imanishi

发明人： Norikazu Nakamura ,  Atsushi Yamada ,  Shiro Ozaki ,  Kenji Imanishi

IPC分类号： H03F3/16 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

CPC分类号： H01L29/0607 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H03F1/3247 ,  H03F3/19 ,  H03F3/245

摘要： An embodiment of a compound semiconductor device includes: a substrate; a compound semiconductor stacked structure formed over the substrate; and an amorphous insulating film formed between the substrate and the compound semiconductor stacked structure.

公开(公告)号：US20120208351A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13357887

申请日：2012-01-25

申请人： Norikazu Nakamura ,  Atsushi Yamada ,  Masayuki Takeda ,  Keiji Watanabe ,  Kenji Imanishi

发明人： Norikazu Nakamura ,  Atsushi Yamada ,  Masayuki Takeda ,  Keiji Watanabe ,  Kenji Imanishi

IPC分类号： B08B7/04 ,  B08B13/00 ,  B08B5/00 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/66462 ,  C11D11/0041 ,  C23C16/4405

摘要： A cleaning apparatus for a semiconductor manufacturing apparatus includes: a oxide removal unit that removes an oxide over a surface of a deposit adhered to components of the semiconductor manufacturing apparatus, and a deposit removal unit that removes the deposit after the oxide over the surface is removed by the oxide removal unit.

摘要翻译： 用于半导体制造装置的清洁装置包括：氧化物去除单元，其去除附着在半导体制造装置的部件上的沉积物的表面上的氧化物;以及去除在表面上的氧化物之后去除沉积物的沉积物去除单元 通过氧化物去除单元。

公开(公告)号：US08669592B2

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：US13551775

申请日：2012-07-18

申请人： Toyoo Miyajima ,  Kenji Imanishi ,  Atsushi Yamada ,  Norikazu Nakamura

发明人： Toyoo Miyajima ,  Kenji Imanishi ,  Atsushi Yamada ,  Norikazu Nakamura

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

摘要： A compound semiconductor multilayer structure is formed on a Si substrate. The compound semiconductor multilayer structure includes an electrode transit layer, an electrode donor layer formed above the electron transit layer, and a cap layer formed above the electron donor layer. The cap layer contains a first crystal polarized in the same direction as the electron transit layer and the electron donor layer and a second crystal polarized in the direction opposite to the polarization direction of the electron transit layer and the electron donor layer.

摘要翻译： 在Si衬底上形成化合物半导体多层结构。 化合物半导体多层结构包括电极转移层，形成在电子转移层上方的电极施主层和形成在电子供体层上方的覆盖层。 盖层包含沿与电子转移层和电子供体层相同的方向偏振的第一晶体和在与电子转移层和电子供体层的偏振方向相反的方向偏振的第二晶体。

公开(公告)号：US20120205662A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13357901

申请日：2012-01-25

申请人： Norikazu Nakamura ,  Shirou Ozaki ,  Masayuki Takeda ,  Toyoo Miyajima ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura ,  Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Keiji Watanabe

发明人： Norikazu Nakamura ,  Shirou Ozaki ,  Masayuki Takeda ,  Toyoo Miyajima ,  Toshihiro Ohki ,  Masahito Kanamura ,  Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Keiji Watanabe

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32669 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903

摘要： A semiconductor device includes: a semiconductor layer formed over a substrate; an insulating film formed over the semiconductor layer; and an electrode formed over the insulating film, wherein the insulating film includes an amorphous film including carbon.

摘要翻译： 半导体器件包括：形成在衬底上的半导体层; 形成在所述半导体层上的绝缘膜; 以及形成在所述绝缘膜上的电极，其中所述绝缘膜包括包含碳的非晶膜。

公开(公告)号：US20120091522A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13276521

申请日：2011-10-19

申请人： Shirou OZAKI ,  Masahito Kanamura ,  Norikazu Nakamura ,  Toyoo Miyajima ,  Masayuki Takeda ,  Keiji Watanabe ,  Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi ,  Toshihiro Ohki ,  Tadahiro Imada

发明人： Shirou OZAKI ,  Masahito Kanamura ,  Norikazu Nakamura ,  Toyoo Miyajima ,  Masayuki Takeda ,  Keiji Watanabe ,  Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi ,  Toshihiro Ohki ,  Tadahiro Imada

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/0228 ,  H01L23/291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a first semiconductor layer formed over a substrate, a second semiconductor layer formed over the first semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode formed over the second semiconductor layer, an insulating film formed over the second semiconductor layer, a gate electrode formed over the insulating film, and a protection film covering the insulating film, the protection film being formed by thermal CVD, thermal ALD, or vacuum vapor deposition.

摘要翻译： 半导体器件包括形成在衬底上的第一半导体层，形成在第一半导体层上的第二半导体层，形成在第二半导体层上的源电极和漏电极，形成在第二半导体层上的绝缘膜，栅极 形成在绝缘膜上的电极，以及覆盖绝缘膜的保护膜，保护膜通过热CVD，热ALD或真空气相沉积形成。

公开(公告)号：US20120138956A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13301331

申请日：2011-11-21

申请人： Sanae SHIMIZU ,  Kenji Imanishi ,  Atsushi Yamada ,  Toyoo Miyajima

发明人： Sanae SHIMIZU ,  Kenji Imanishi ,  Atsushi Yamada ,  Toyoo Miyajima

IPC分类号： H01L29/16 ,  H01L21/20 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

摘要： A compound semiconductor device includes: a substrate; an electron transit layer formed over the substrate; an electron supply layer formed over the electron transit layer; and a buffer layer formed between the substrate and the electron transit layer and including AlxGa1-xN(0≦x≦1), wherein the x value represents a plurality of maximums and a plurality of minimums in the direction of the thickness of the buffer layer, and the variation of x in any area having a 1 nm thickness in the buffer layer is 0.5 or less.

摘要翻译： 一种化合物半导体器件，包括：衬底; 形成在所述基板上的电子转移层; 形成在电子转移层上的电子供应层; 以及形成在所述基板和所述电子转移层之间并且包括Al x Ga 1-x N（0＆lt; n 1; x＆n 1; 1）的缓冲层，其中所述x值表示所述缓冲层的厚度方向上的多个最大值和多个最小值 并且在缓冲层中具有1nm厚度的任何区域中的x的变化为0.5以下。

公开(公告)号：US08963164B2

公开(公告)日：2015-02-24

申请号：US13301331

申请日：2011-11-21

申请人： Sanae Shimizu ,  Kenji Imanishi ,  Atsushi Yamada ,  Toyoo Miyajima

发明人： Sanae Shimizu ,  Kenji Imanishi ,  Atsushi Yamada ,  Toyoo Miyajima

IPC分类号： H01L29/16 ,  H01L29/778 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

摘要： A compound semiconductor device includes: a substrate; an electron transit layer formed over the substrate; an electron supply layer formed over the electron transit layer; and a buffer layer formed between the substrate and the electron transit layer and including AlxGa1-xN(0≦x≦1), wherein the x value represents a plurality of maximums and a plurality of minimums in the direction of the thickness of the buffer layer, and the variation of x in any area having a 1 nm thickness in the buffer layer is 0.5 or less.

摘要翻译： 一种化合物半导体器件，包括：衬底; 形成在所述基板上的电子转移层; 形成在电子转移层上的电子供应层; 以及形成在所述基板和所述电子转移层之间并且包括Al x Ga 1-x N（0＆lt; n 1; x＆n 1; 1）的缓冲层，其中所述x值表示所述缓冲层的厚度方向上的多个最大值和多个最小值 并且在缓冲层中具有1nm厚度的任何区域中的x的变化为0.5以下。

公开(公告)号：US08264005B2

公开(公告)日：2012-09-11

申请号：US12772661

申请日：2010-05-03

申请人： Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Takeshi Tanaka ,  Yoshihiko Moriya ,  Yohei Otoki

发明人： Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Takeshi Tanaka ,  Yoshihiko Moriya ,  Yohei Otoki

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： A semiconductor epitaxial substrate includes: a single crystal substrate; an AlN layer epitaxially grown on the single crystal substrate; and a nitride semiconductor layer epitaxially grown on the AlN layer, wherein an interface between the AlN layer and nitride semiconductor layer has a larger roughness than an interface between the single crystal substrate and AlN layer, and a skewness of the upper surface of the AlN layer is positive.

公开(公告)号：US08193539B2

公开(公告)日：2012-06-05

申请号：US12889724

申请日：2010-09-24

申请人： Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi

发明人： Toshihide Kikkawa ,  Kenji Imanishi

IPC分类号： H01L29/24

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

摘要： A compound semiconductor device includes: a conductive SiC substrate; an AlN buffer layer formed on said conductive SiC substrate and containing Cl; a compound semiconductor buffer layer formed on said AlN layer which contains Cl, said compound semiconductor buffer layer not containing Cl; and a device constituent layer or layers formed above said compound semiconductor buffer layer not containing Cl.

摘要翻译： 化合物半导体器件包括：导电SiC衬底; 形成在所述导电性SiC基板上并含有Cl的AlN缓冲层; 在包含Cl的所述AlN层上形成的化合物半导体缓冲层，所述化合物半导体缓冲层不含Cl; 以及在不含Cl的化合物半导体缓冲层的上方形成的器件构成层。

公开(公告)号：US20120056191A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：US13152426

申请日：2011-06-03

申请人： Hiroshi Endo ,  Tadahiro Imada ,  Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa

发明人： Hiroshi Endo ,  Tadahiro Imada ,  Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462

摘要： A semiconductor device includes a GaN electron transport layer provided over a substrate; a first AlGaN electron supply layer provided over the GaN electron transport layer; an AlN electron supply layer provided over the first AlGaN electron supply layer; a second AlGaN electron supply layer provided over the AlN electron supply layer; a gate recess provided in the second AlGaN electron supply layer and the AlN electron supply layer; and a gate electrode provided over the gate recess.

摘要翻译： 半导体器件包括设置在衬底上的GaN电子传输层; 设置在所述GaN电子传输层上的第一AlGaN电子供给层; 设置在所述第一AlGaN电子供给层上的AlN电子供给层; 设置在AlN电子供给层上的第二AlGaN电子供给层; 设置在所述第二AlGaN电子供给层和所述AlN电子供给层中的栅极凹部; 以及设置在栅极凹部上方的栅电极。