公开(公告)号：US06809017B2

公开(公告)日：2004-10-26

申请号：US10452088

申请日：2003-05-30

申请人： Reza Arghavani ,  Robert Chau ,  Mark Doczy ,  Brian Roberds

发明人： Reza Arghavani ,  Robert Chau ,  Mark Doczy ,  Brian Roberds

IPC分类号： H01L213205

CPC分类号： H01L21/28176 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31683 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/517

摘要： Method of fabricating a semiconductor device. The semiconductor device comprises a substrate, a high-k gate dielectric layer formed on the substrate, and a hydrogen-free gate electrode deposited on the high-k gate dielectric layer wherein the hydrogen-free gate electrode is conductive. The method comprises depositing the high-k gate dielectric layer on the substrate, sputtering the gate electrode on the gate dielectric layer and treating the gate electrode such that the gate electrode is conductive.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法 半导体器件包括衬底，形成在衬底上的高k栅介质层和沉积在高k栅介质层上的无氢栅电极，其中无氢栅电极是导电的。 该方法包括在衬底上沉积高k栅极电介质层，在栅极电介质层上溅射栅电极并处理栅电极使得栅电极是导电的。

公开(公告)号：US06620713B2

公开(公告)日：2003-09-16

申请号：US10038410

申请日：2002-01-02

申请人： Reza Arghavani ,  Robert Chau ,  Mark Doczy ,  Brian Roberds

发明人： Reza Arghavani ,  Robert Chau ,  Mark Doczy ,  Brian Roberds

IPC分类号： H01L213205

CPC分类号： H01L21/28176 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31683 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/517

摘要： Method of fabricating a semiconductor device. The semiconductor device comprises a substrate, a high-k gate dielectric layer formed on the substrate, and a hydrogen-free gate electrode deposited on the high-k gate dielectric layer wherein the hydrogen-free gate electrode is conductive. The method comprises depositing the high-k gate dielectric layer on the substrate, sputtering the gate electrode on the gate dielectric layer and treating the gate electrode such that the gate electrode is conductive.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法 半导体器件包括衬底，形成在衬底上的高k栅介质层和沉积在高k栅介质层上的无氢栅电极，其中无氢栅电极是导电的。 该方法包括在衬底上沉积高k栅极电介质层，在栅极电介质层上溅射栅电极并处理栅电极使得栅电极是导电的。

公开(公告)号：US07166505B2

公开(公告)日：2007-01-23

申请号：US10943661

申请日：2004-09-16

申请人： Robert Chau ,  Reza Arghavani ,  Mark Doczy

发明人： Robert Chau ,  Reza Arghavani ,  Mark Doczy

IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/517 ,  Y10S438/906 ,  Y10S438/974

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method includes forming on a substrate a dielectric layer that has a dielectric constant that is greater than the dielectric constant of silicon dioxide. The dielectric layer is modified so that it will be compatible with a gate electrode to be formed on the dielectric layer, and then a gate electrode is formed on the dielectric layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在基板上形成具有大于二氧化硅介电常数的介电常数的电介质层。 电介质层被修改为与在电介质层上形成的栅电极相容，然后在电介质层上形成栅电极。

公开(公告)号：US06617209B1

公开(公告)日：2003-09-09

申请号：US10082530

申请日：2002-02-22

申请人： Robert Chau ,  Reza Arghavani ,  Mark Doczy

发明人： Robert Chau ,  Reza Arghavani ,  Mark Doczy

IPC分类号： H01L218242

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/517 ,  Y10S438/906 ,  Y10S438/974

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming on a substrate a dielectric layer that has a dielectric constant that is greater than the dielectric constant of silicon dioxide. The dielectric layer is modified so that it will be compatible with a gate electrode to be formed on the dielectric layer, and then a gate electrode is formed on the dielectric layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成具有大于二氧化硅介电常数的介电常数的电介质层。 电介质层被修改为与在电介质层上形成的栅电极相容，然后在电介质层上形成栅电极。

公开(公告)号：US20050032318A1

公开(公告)日：2005-02-10

申请号：US10943661

申请日：2004-09-16

申请人： Robert Chau ,  Reza Arghavani ,  Mark Doczy

发明人： Robert Chau ,  Reza Arghavani ,  Mark Doczy

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/517 ,  Y10S438/906 ,  Y10S438/974

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming on a substrate a dielectric layer that has a dielectric constant that is greater than the dielectric constant of silicon dioxide. The dielectric layer is modified so that it will be compatible with a gate electrode to be formed on the dielectric layer, and then a gate electrode is formed on the dielectric layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成具有大于二氧化硅介电常数的介电常数的电介质层。 电介质层被修改为与在电介质层上形成的栅电极相容，然后在电介质层上形成栅电极。

公开(公告)号：US20070069302A1

公开(公告)日：2007-03-29

申请号：US11238445

申请日：2005-09-28

申请人： Been-Yih Jin ,  Robert Chau ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Suman Datta ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Justin Brask

发明人： Been-Yih Jin ,  Robert Chau ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Suman Datta ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Justin Brask

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78684

摘要： A method utilizing a common gate electrode material with a single work function for both the pMOS and nMOS transistors where the magnitude of the transistor threshold voltages is modified by semiconductor band engineering and article made thereby.

摘要翻译： 利用对pMOS和nMOS晶体管具有单功函数的公共栅电极材料的方法，其中晶体管阈值电压的幅度由半导体带工程和由此制成的制品修改。

公开(公告)号：US20070037372A1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：US11581183

申请日：2006-10-13

申请人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert Chau

发明人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7843

摘要： A sacrificial gate structure, including nitride and fill layers, may be replaced with a metal gate electrode. The metal gate electrode may again be covered with a nitride layer covered by a fill layer. The replacement of the nitride and fill layers may reintroduce strain and provide an etch stop.

摘要翻译： 包括氮化物和填充层的牺牲栅极结构可以被金属栅电极代替。 金属栅电极可以再次被填充层覆盖的氮化物层覆盖。 氮化物和填充层的替换可以重新引入应变并提供蚀刻停止。

公开(公告)号：US20060286755A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：US11154138

申请日：2005-06-15

申请人： Justin Brask ,  Robert Chau ,  Suman Datta ,  Mark Doczy ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Amlan Majumdar ,  Matthew Metz ,  Marko Radosavljevic

发明人： Justin Brask ,  Robert Chau ,  Suman Datta ,  Mark Doczy ,  Brian Doyle ,  Jack Kavalieros ,  Amlan Majumdar ,  Matthew Metz ,  Marko Radosavljevic

IPC分类号： H01L31/119 ,  H01L31/113 ,  H01L31/062 ,  H01L29/94 ,  H01L29/76 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/785 ,  H04B1/3827 ,  Y10S438/926

摘要： A method of fabricating a MOS transistor having a thinned channel region is described. The channel region is etched following removal of a dummy gate. The source and drain regions have relatively low resistance with the process.

摘要翻译： 描述了制造具有减薄沟道区的MOS晶体管的方法。 在去除虚拟栅极之后蚀刻沟道区。 源极和漏极区域具有相对较低的电阻。

公开(公告)号：US20060094180A1

公开(公告)日：2006-05-04

申请号：US10980522

申请日：2004-11-02

申请人： Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert Chau

发明人： Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a high-k gate dielectric layer on a substrate, forming a barrier layer on the high-k gate dielectric layer, and forming a fully silicided gate electrode on the barrier layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成高k栅极电介质层，在高k栅极电介质层上形成阻挡层，并在阻挡层上形成完全硅化的栅电极。

公开(公告)号：US20060051882A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US11210220

申请日：2005-08-22

申请人： Mark Doczy ,  Gilbert Dewey ,  Suman Datta ,  Sangwoo Pae ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Adrian Sherrill ,  Markus Kuhn ,  Robert Chau

发明人： Mark Doczy ,  Gilbert Dewey ,  Suman Datta ,  Sangwoo Pae ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Adrian Sherrill ,  Markus Kuhn ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0214 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming an oxide layer on a substrate, and forming a high-k dielectric layer on the oxide layer. The oxide layer and the high-k dielectric layer are then annealed at a sufficient temperature for a sufficient time to generate a gate dielectric with a graded dielectric constant.