公开(公告)号：US20160247906A1

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：US15026681

申请日：2014-09-16

申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

发明人： Xianyu WENXU ,  Yongsung KIM ,  Changyoul MOON ,  Yongyoung PARK ,  Wooyoung YANG ,  Jeongyub LEE ,  Jooho LEE

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/45 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/24 ,  H01L29/423 ,  H01L29/16 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/306 ,  H01L29/47 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31051 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/7781

摘要： Provided are semiconductor devices and methods of manufacturing the same. A semiconductor device may include a source, a drain, a semiconductor element between the source and the drain, and a graphene layer that is provided on the source and the semiconductor element and is spaced apart from the drain. Surfaces of the source and the drain are substantially co-planar with a surface of the semiconductor element. The semiconductor element may be spaced apart from the source and may contact the drain. The graphene layer may have a planar structure. A gate insulating layer and a gate may be provided on the graphene layer. The semiconductor device may be a transistor. The semiconductor device may have a barristor structure. The semiconductor device may be a planar type graphene barristor.

摘要翻译： 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件可以包括源极，漏极，源极和漏极之间的半导体元件以及设置在源极和半导体元件上并与漏极间隔开的石墨烯层。 源极和漏极的表面与半导体元件的表面基本上共面。 半导体元件可以与源极间隔开并且可以接触漏极。 石墨烯层可以具有平面结构。 栅极绝缘层和栅极可以设置在石墨烯层上。 半导体器件可以是晶体管。 该半导体器件可以具有一个截击器结构。 半导体器件可以是平面型石墨烯阻尼器。

公开(公告)号：US20160049564A1

公开(公告)日：2016-02-18

申请号：US14656298

申请日：2015-03-12

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Kunmo CHU ,  Changyoul MOON ,  Sunghee LEE ,  Junsik HWANG

IPC分类号： H01L33/62 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L33/0079 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/45099

摘要： A semiconductor device includes a base substrate and a semiconductor chip on the base substrate, the semiconductor chip including a first layer structure and a second layer structure opposite to the first layer structure, at least one of the first and second layer structures including a semiconductor device portion, and a bonding structure between the first layer structure and the second layer structure, the bonding structure including a silver-tin (Ag—Sn) compound and a nickel-tin (Ni—Sn) compound.

摘要翻译： 半导体器件包括基底基板和基底基板上的半导体芯片，该半导体芯片包括第一层结构和与第一层结构相对的第二层结构，第一和第二层结构中的至少一个包括半导体器件 所述第一层结构和所述第二层结构之间的接合结构，所述接合结构包括银 - 锡（Ag-Sn）化合物和镍 - 锡（Ni-Sn）化合物。