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    SILICON WAFER HAVING THROUGH-WAFER VIAS
    13.
    发明申请
    SILICON WAFER HAVING THROUGH-WAFER VIAS 审中-公开
    具有穿透式六角形的硅胶片

    公开(公告)号：WO2006119380A3

    公开(公告)日：2007-11-29

    申请号：PCT/US2006017024

    申请日：2006-05-04

    Applicant: ICEMOS TECHNOLOGY CORP ,  MACNAMARA CORMAC ,  BROGAN CONOR ,  GRIFFIN HUGH J ,  WILSON ROBIN

    Inventor： MACNAMARA CORMAC ,  BROGAN CONOR ,  GRIFFIN HUGH J ,  WILSON ROBIN

    IPC: H01L21/00

    CPC classification number: H01L21/76898 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00301 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

    Abstract: A method of manufacturing a semiconductor device includes providing a semiconductor substrate having first and second main surfaces opposite to each other. A trench is formed in the semiconductor substrate at the first main surface. The trench extends to a first depth position in the semiconductor substrate. The trench is lined with the dielectric material. The trench is filled with a conductive material. An electrical component is electrically connected to the conductive material exposed at the first main surface. A cap is mounted to the first main surface. The cap encloses the electrical component and the electrical connection.

    Abstract translation: 一种制造半导体器件的方法包括提供具有彼此相对的第一和第二主表面的半导体衬底。 在第一主表面上的半导体衬底中形成沟槽。 沟槽延伸到半导体衬底中的第一深度位置。 沟槽衬有介电材料。 沟槽填充有导电材料。 电气部件电连接到在第一主表面露出的导电材料。 盖子安装在第一主表面上。 盖子包围电气部件和电气连接。

    微小電子機械装置およびその製造方法
    14.
    发明申请
    微小電子機械装置およびその製造方法 审中-公开
    微电子机及其制造方法

    公开(公告)号：WO2007074846A1

    公开(公告)日：2007-07-05

    申请号：PCT/JP2006/325979

    申请日：2006-12-26

    Applicant: 京セラ株式会社 ,  石井 格

    Inventor： 石井 格

    IPC: H01L23/02

    CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B2207/092 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/031 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

    Abstract: 　微小電子機械装置Ｘは、微小電子機械部品１０と、絶縁基板２１と、絶縁基板２１に設けられる貫通導体２２ｃと、封止材３０と、導電性接続材４０とを有する。微小電子機械部品１０は、半導体基板１１、微小電子機械機構１２および微小電子機械機構１２に電気的に接続される電極１３を有する。封止材３０は、ガラスからなり、半導体基板１１と絶縁基板２１との間で、微小電子機械機構１２を取り囲むように配置され、微小電子機械機構１２を気密封止する。導電性接続材４０は、封止材３０から離間した位置で、電極１３と貫通導体２２ｃの一端とを電気的に接続する。

    Abstract translation: 公开了一种微电子机器（X），包括微电子机器部件（10），绝缘基板（21），设置在绝缘基板（21）上的通孔导体（22c），密封材料（30）和导电连接材料 （40）。 微电子机器部件（10）包括半导体衬底（11），微电子机器机构（12）和与微电子机器机构（12）电连接的电极（13）。 密封材料（30）由玻璃构成，并且设置在半导体基板（11）和绝缘基板（21）之间，以包围微电子机器机构（12），从而气密地密封微电子机器机构（12）。 导电连接材料（40）在远离密封材料（30）的位置处将电极（13）和贯通导体（22c）的端部电连接。

    THROUGH SILICON VIA WITH REDUCED SHUNT CAPACITANCE
    20.
    发明申请
    THROUGH SILICON VIA WITH REDUCED SHUNT CAPACITANCE 审中-公开
    通过具有降低分流电容的硅通孔

    公开(公告)号：WO2012040245A3

    公开(公告)日：2012-06-07

    申请号：PCT/US2011052417

    申请日：2011-09-20

    Applicant: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ,  BRYZEK JANUSZ ,  BLOOMSBURGH JOHN GARDNER ,  ACAR CENK

    Inventor： BRYZEK JANUSZ ,  BLOOMSBURGH JOHN GARDNER ,  ACAR CENK

    IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  B81B7/02 ,  H01G7/00

    CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/096 ,  H01G7/06

    Abstract: This document refers to apparatus and methods for a device layer of a microelectromechanical system (MEMS) sensor having vias with reduced shunt capacitance. In an example, a device layer can include a substrate having a pair of trenches separated in a horizontal direction by a portion of the substrate, wherein each trench of the pair of trenches includes first and second vertical layers including dielectric, the first and second vertical layers separated by a third vertical layer including polysilicon.

    Abstract translation: 该文献涉及具有减小的并联电容的具有通孔的微机电系统（MEMS）传感器的器件层的设备和方法。 在一个示例中，器件层可以包括具有通过衬底的一部分在水平方向上分离的一对沟槽的衬底，其中该对沟槽中的每个沟槽包括包括电介质的第一和第二垂直层，第一和第二垂直 层由包括多晶硅的第三垂直层分开。

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