公开(公告)号：WO2016203659A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：PCT/JP2015/070861

申请日：2015-07-22

Applicant: 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

Inventor： 山田　隆 ,  小田　大造 ,  榛原　照男 ,  大石　良 ,  齋藤　和之 ,  宇野　智裕

IPC: H01L21/60

CPC classification number: B23K35/0227 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45113 ,  H01L2224/45118 ,  H01L2224/4512 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/45178 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78251 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01013

Abstract: Ｃｕ合金芯材とその表面に形成されたＰｄ被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、１７５℃～２００℃のＨＴＳでのボール接合部の接合信頼性向上と、耐力比（＝最大耐力／０．２％耐力）：１．１～１．６の両立を図る。　ワイヤ中にＮｉ、Ｚｎ、Ｒｈ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｐｔの１種以上を総計で０．０３～２質量％含有することによってＨＴＳでのボール接合部の接合信頼性を向上し、さらにボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面に対して結晶方位を測定した結果において、ワイヤ長手方向の結晶方位のうち、ワイヤ長手方向に対して角度差が１５度以下である結晶方位＜１００＞の方位比率を５０％以上とし、ボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面における平均結晶粒径を０．９～１．３μｍとすることにより、耐力比を１．６以下とする。

Abstract translation: 本发明解决了如下问题：在HTS值为175〜100的情况下，将屈服应力比（= 0.2％屈服应力除以0.2％屈服应力）分别为1.1〜1.6， 在半导体器件用接合线中为200℃，所述接合线具有Cu合金芯和形成在Cu合金芯的表面上的Pd涂层。 通过在线中以0.03-2质量％的总比例包含Ni，Zn，Rh，In，Ir和Pt中的一种或多种，​​可以提高HTS下的球接合部的接合可靠性。 在与芯线的垂直于接合线的线轴方向的截面相关的晶体取向的测量中发现的线的长度方向的晶体取向中，晶体取向的取向比例<100 >相对于导线的长度方向的角度差不超过15度，至少为50％。 通过在芯线的垂直于接合线的线轴的方向的横截面中获得0.9-1.3μm的平均晶粒尺寸，将证明应力比保持在或低于1.6。

公开(公告)号：WO2012157644A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：PCT/JP2012/062418

申请日：2012-05-15

Applicant: 日亜化学工業株式会社 ,  蔵本 雅史 ,  岩倉 大典 ,  小関 健司 ,  鶴羽 智陽 ,  岡田 聡 ,  林 正樹

Inventor： 蔵本　雅史 ,  岩倉　大典 ,  小関　健司 ,  鶴羽　智陽 ,  岡田　聡 ,  林　正樹

IPC: H01L33/52

CPC classification number: H01L33/52 ,  H01L24/45 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012

Abstract: 光の取り出し効率に優れる発光装置及びその製造方法を提供する。本発明の発光装置(100)の製造方法は、発光素子(10)が接続される導電部材(20)と、該導電部材(20)と一体成形された成形体(25)と、を有する基体(30)上に、前記発光素子(10)を封止する封止部材(40)を滴下により成形する工程において、前記封止部材(40)は、該封止部材(40)の縁の少なくとも一部が前記導電部材(20)又は前記成形体(25)の上面視外側に向いた外向面(38)に設けられる、ように成形されることを特徴とする。

Abstract translation: 提供：具有优异的光提取效率的发光装置; 以及一种制造发光器件的方法。 本发明的发光装置（100）的制造方法的特征在于，在通过滴落在基板（30）上形成用于密封发光元件（10）的密封构件（40）的步骤中， 其包括连接有发光元件（10）的导电构件（20）和与导电构件（20）一体模制的成型体（25），所述密封构件（40）形成为 密封构件（40）的边缘的至少一部分设置在导电构件（20）或模制体（25）的向外表面（38）上，所述向外的表面（38）面向外侧 顶视图。

公开(公告)号：WO2009056967A3

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：PCT/IB2008002925

申请日：2008-10-31

Applicant: OY AJAT LTD ,  SPARTIOTIS KONSTANTINOS ,  SHULMAN TOM ,  PANTSAR TUOMAS

Inventor： SPARTIOTIS KONSTANTINOS ,  SHULMAN TOM ,  PANTSAR TUOMAS

IPC: G01T1/24

CPC classification number: H01L31/02005 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14676 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/0296 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/4519 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076

Abstract: A CdTe or CdZnTe radiation imaging detector and high voltage bias part for applying a high voltage to the continuous electrode to ensure stable performance of the detector. The high voltage bias part includes conductors of >30um diameter and preferably selected from a group of materials that do not oxidize easily or oxidize less than aluminium.

Abstract translation: 用于向连续电极施加高电压的CdTe或C​​dZnTe辐射成像检测器和高电压偏压部件，以确保检测器的稳定性能。 高压偏压部分包括> 30um直径的导体，优选选自一组不易氧化或少于铝的氧化的材料。

公开(公告)号：WO2007005263A2

公开(公告)日：2007-01-11

申请号：PCT/US2006/023851

申请日：2006-06-19

Applicant: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION ,  JEON, Oseob ,  CHOI, Yoonhwa ,  GOOI, Boon Huan ,  ESTACIO, Maria, Cristina, B. ,  CHONG, David ,  KENG, Tan Teik ,  NAM, Shibaek ,  JOSHI, Rajeev ,  WU, Chung-Lin ,  IYER, Venkat ,  LIM, Lay Yeap ,  LEE, Buyong-Ok

Inventor： JEON, Oseob ,  CHOI, Yoonhwa ,  GOOI, Boon Huan ,  ESTACIO, Maria, Cristina, B. ,  CHONG, David ,  KENG, Tan Teik ,  NAM, Shibaek ,  JOSHI, Rajeev ,  WU, Chung-Lin ,  IYER, Venkat ,  LIM, Lay Yeap ,  LEE, Buyong-Ok

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49558 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/32 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/456 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/4943 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85013 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/37099

Abstract: Semiconductor die packages are disclosed. An exemplary semiconductor die package includes a premolded substrate. The premolded substrate can have a semiconductor die attached to it, and an encapsulating material may be disposed over the semiconductor die.

Abstract translation: 公开了半导体管芯封装。 示例性的半导体管芯封装包括预成型衬底。 预成型基板可以具有附接到其上的半导体管芯，并且封装材料可以设置在半导体管芯上方。

公开(公告)号：WO2005106954A2

公开(公告)日：2005-11-10

申请号：PCT/EP2005002708

申请日：2005-03-14

Applicant: EUPEC GMBH & CO KG ,  BAYERER REINHOLD

Inventor： BAYERER REINHOLD

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L24/49 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: The power semiconductor circuit comprises a power semiconductor module (2) provided in the form of a flat module. In order to utilize the design possibilities resulting therefrom and to provide a power semiconductor circuit that is characterized by having an automatable production and a particularly space-saving design. To this end, the flat module, with its substrate (11), is glued by means of a heat conducting adhesive (20) directly onto a heat conducting base plate (1) that acts as a cooling element (5).

Abstract translation: 所述功率半导体电路包括Leistungschalbleitermodul（2），其被设计为平坦的组件。 为了使用所得到的伊甸从而设计方案，并提供一种电力半导体电路，其特点是一个自动化的生产和特别节省空间的设计，它提供的是，平坦组件与其底物（11）由导热性粘接剂（20）直接连接到一个装置（作为冷却元件 5）作用wärmleitende底板（1）被胶合。

公开(公告)号：WO2005024901A3

公开(公告)日：2005-05-19

申请号：PCT/US2004022512

申请日：2004-07-15

Applicant: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC ,  HARUN FUAIDA ,  CHAN CHIAW MONG ,  TAN LAN CHU ,  BENG LAU TECK ,  TIU KONG BEE ,  YONG SOO SAN

Inventor： HARUN FUAIDA ,  CHAN CHIAW MONG ,  TAN LAN CHU ,  BENG LAU TECK ,  TIU KONG BEE ,  YONG SOO SAN

IPC: B23K20/00 ,  B23K37/00 ,  B23K31/02

CPC classification number: H01L24/85 ,  B23K20/005 ,  B23K2201/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/2075

Abstract: An improved method of bonding an insulated wire (14) that has one end connected to a first bond pad (16) to a second bond pad (18) includes moving a tip of a capillary (20) holding the bond wire (14) over the surface of the second bond pad (18) such that the bond wire (14) is rubbed between the capillary tip (20) and the second bond pad (18), which tears the bond wire insulation so that at least a portion of a metal core of the wire (14) contacts the second bond pad (18). The wire (14) is then bonded to the second pad (18) using thermocompression bonding. The tip of the capillary (20) is roughened to enhance the tearing of the bond wire insulation.

Abstract translation: 将具有连接到第一结合垫（16）的一端的绝缘线（14）结合到第二结合垫（18）的改进方法包括移动毛细管（20）的保持结合线（14）的尖端 所述第二键合焊盘（18）的表面使得所述键合引线（14）在所述毛细管尖端（20）和所述第二键合焊盘（18）之间摩擦，所述键合引线撕裂所述键合引线绝缘层， 导线（14）的金属芯接触第二接合焊盘（18）。 然后使用热压粘合将导线（14）粘合到第二焊盘（18）。 毛细管（20）的尖端被粗糙化以增强键合线绝缘层的撕裂。

公开(公告)号：WO2017013796A1

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：PCT/JP2015/071002

申请日：2015-07-23

Applicant: 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

Inventor： 山田　隆 ,  小田　大造 ,  大石　良 ,  宇野　智裕

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/45 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43825 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45847 ,  H01L2224/45944 ,  H01L2224/45964 ,  H01L2224/4801 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2924/20655 ,  H01L2924/20656 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01083

Abstract: Ｃｕ合金芯材の表面にＰｄを主成分とする被覆層と、該被覆層の表面にＡｕとＰｄを含む表皮合金層を有する半導体装置用ボンディングワイヤであって、Ｐｄめっきリードフレームでの２ｎｄ接合性をさらに改善するとともに、高湿加熱条件においても優れたボール接合性を実現することのできるボンディングワイヤを提供する。　Ｃｕ合金芯材の表面にＰｄを主成分とする被覆層と、該被覆層の表面にＡｕとＰｄを含む表皮合金層を有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、ワイヤ最表面Ｃｕ濃度を１～１０ａｔ％とし、芯材中にＰｄ、Ｐｔの一方又は両方を総計で０．１～３．０質量％の範囲で含有することにより、２ｎｄ接合性の改善と、高湿加熱条件における優れたボール接合性を実現することができる。さらに、表皮合金層のＡｕの最大濃度が１５ａｔ％～７５ａｔ％であると好ましい。

Abstract translation: 提供一种用于半导体器件的接合线，所述接合线包括在Cu合金芯的表面上主要由Pd组成的涂层和在涂层的表面上含有Au和Pd的覆盖合金层，其中第二接合 Pd镀层引线框架的性能进一步提高，即使在高湿度和高温条件下也能实现优异的球接合性能。 在用于半导体器件的接合线中，所述接合线包括在Cu合金芯的表面上主要由Pd构成的涂层和在涂层的表面上含有Au和Pd的覆盖合金层，Cu的浓度 在金属丝的最外表面上设置为1-10at％，并且核心总共包含Pd和/或Pt的0.1-3.0质量％，从而提高第二接合性能并且能够实现优异的球接合性能 在高湿度和高温条件下。 此外，覆盖合金层中的Au的最大浓度优选为15〜75原子％。

公开(公告)号：WO2016204138A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：PCT/JP2016/067624

申请日：2016-06-14

Applicant: 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

Inventor： 山田　隆 ,  小田　大造 ,  榛原　照男 ,  大石　良 ,  齋藤　和之 ,  宇野　智裕

IPC: H01L21/60

CPC classification number: B23K35/0227 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45113 ,  H01L2224/45118 ,  H01L2224/4512 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/45178 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78251 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01013

Abstract: Ｃｕ合金芯材と、前記Ｃｕ合金芯材の表面に形成されたＰｄ被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、前記ボンディングワイヤが高温環境下における接続信頼性を付与する元素を含み、下記（１）式で定義する耐力比が１．１～１．６であることを特徴とする。　耐力比＝最大耐力／０．２％耐力　（１）

Abstract translation: 提供一种用于半导体器件的接合线，所述接合线具有形成在Cu合金芯的表面上的Cu合金芯和Pd涂层，其特征在于包括在高温环境中赋予连接可靠性的元件 ，其中由式（1）定义的证明应力比为1.1-1.6。 （1）证明应力比=最大应力/ 0.2％屈服应力。

公开(公告)号：WO2014010220A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：PCT/JP2013/004205

申请日：2013-07-05

Applicant: 先端フォトニクス株式会社

Inventor： 宋　学良 ,  佐藤　望 ,  管野　元太 ,  牧野　瑶子

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L24/17 ,  H01L21/561 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49805 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16108 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1714 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48157 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48496 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48764 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48769 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/85395 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/85466 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/4554

Abstract: 　メイン基板上のＩＣと容易に接続することができる、半導体素子（１０４）を備えたサブマウント（１００）を提供すること。本発明の一実施形態に係るサブマウント（１００）は、基板（１０１）と、電極（１０２），（１０３）と、半導体素子（１０４）と、Ａｕワイヤ（１０５）と、金バンプ（１０６），（１０７）とから構成される。電極（１０２），（１０３）と、半導体素子（１０４）と、Ａｕワイヤ（１０５）と、金バンプ（１０６），（１０７）とは、樹脂（１０８）により基板（１０１）上で封止される。金バンプ（１０７）は、電極（１０３）上かつＡｕワイヤ（１０５）上にボールボンディングにより形成された後、ダイシングにより切断されて側面が露出する。露出した面が、サブマウント（１００）の側面電極として機能することとなる。

Abstract translation: 提供了一种配备有可以容易地连接到主板上的IC的半导体元件（104）的基座（100）。 该基台（100）由基板（101），电极（102,103），半导体元件（104），金线（105）和金凸块（106,107）构成。 通过树脂（108）将电极（102,103），半导体元件（104），Au线（105）和金凸块（106,107）密封到基板（101）上。 在通过球接合在电极（103）和Au线（105）上形成金凸块（107）之后，通过切割切割暴露侧面。 露出的表面用作副安装座（100）的侧面电极。

公开(公告)号：WO2013131973A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：PCT/EP2013/054531

申请日：2013-03-06

Applicant: AUXITROL S.A. ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE LABORATOIRE D'ANALYSE ET D'ARCHITECTURE DES SYSTEMES

Inventor： BRIDA, Sébastiano ,  LE NEAL, Jean-François

IPC: G01L9/00 ,  G01L9/04 ,  G01L9/06 ,  G01L19/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B32B38/08 ,  B81B7/0006 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00341 ,  G01L7/08 ,  G01L9/0045 ,  G01L9/0052 ,  G01L9/0054 ,  G01L9/0055 ,  G01L9/006 ,  G01L9/008 ,  G01L9/04 ,  G01L9/06 ,  G01L19/0061 ,  G01L19/0069 ,  G01L19/0076 ,  G01L19/147 ,  G01L19/148 ,  H01L2224/45169 ,  Y10T29/49888 ,  Y10T156/10

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur de pression comprenant les étapes suivantes : - assemblage d'un substrat support avec une membrane déformable sur laquelle des jauges de contraintes ont été déposées, la membrane déformable comprenant une zone amincie en son centre, le substrat support étant disposé au-dessus de la membrane déformable, le substrat support comprenant une surface supérieure, une surface inférieure en contact avec la membrane déformable, le substrat support comprenant en outre des évidements latéraux disposés au-dessus des jauges de contraintes et un évidement central disposé au-dessus la zone amincie de la membrane, ceci pour obtenir une structure micromécanique; et une fois l'assemblage effectué, le procédé comprenant l'étape suivante : - dépôt en une unique étape d'au moins un matériau conducteur sur la surface supérieure du support et dans les évidements latéraux du support, le matériau conducteur s'étendant dans les évidements pour être en contact avec les jauges de contraintes afin de former des contacts électriques en liaison avec les jauges de contraintes.

Abstract translation: 本发明涉及一种生产压力传感器的方法，包括以下步骤：将支撑基板与其上沉积有应变计的可变形膜组装，其中可变形膜在其中心处包括变薄的区域，支撑基板是 设置在可变形膜的顶部上，支撑衬底包括与可变形膜接触的上表面和下表面，并且支撑衬底还包括设置在应变计顶部的侧向凹部和设置在可变形膜顶部的中心凹部 薄膜的薄膜区域，以获得微机械结构; 并且一旦已经获得组件，在单个步骤中，在支撑件的上表面和支撑件的横向凹部中沉积至少一种导电材料，所述导电材料延伸到凹部中以便接触 与应变计一起形成与应变计接触的电触点。