公开(公告)号：WO2013032728A3

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：PCT/US2012051216

申请日：2012-08-16

Applicant: QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES INC ,  PETERSEN KURT EDWARD ,  SHENOY RAVINDRA V ,  BLACK JUSTIN PHELPS ,  BURNS DAVID WILLIAM ,  GANAPATHI SRINIVASAN KODAGANALLUR ,  STEPHANOU PHILIP JASON ,  BUCHAN NICHOLAS IAN

Inventor： PETERSEN KURT EDWARD ,  SHENOY RAVINDRA V ,  BLACK JUSTIN PHELPS ,  BURNS DAVID WILLIAM ,  GANAPATHI SRINIVASAN KODAGANALLUR ,  STEPHANOU PHILIP JASON ,  BUCHAN NICHOLAS IAN

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0067 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  B81B2207/097 ,  B81C2203/0109 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: This disclosure provides systems, methods and apparatus for glass packaging of integrated circuit (IC) and electromechanical systems (EMS) devices. In one aspect, a glass package may include a glass substrate, a cover glass, one or more devices encapsulated between the glass substrate and the cover glass, and bond pads configured to attach to a flexible connector and in electrical communication with an encapsulated device. In some implementations, a flexible connector may be used to electrically connect a device within the glass package to an electrical component, such as an integrated circuit (IC) device or PCB, outside the glass package.

Abstract translation: 本公开提供了用于集成电路（IC）和机电系统（EMS）设备的玻璃封装的系统，方法和设备。 在一个方面中，玻璃封装件可以包括玻璃基板，覆盖玻璃，封装在玻璃基板与盖玻璃之间的一个或多个器件，以及被配置成附接到柔性连接器并且与封装器件电连通的接合焊盘。 在一些实施方式中，柔性连接器可以用于将玻璃封装内的器件电连接到玻璃封装外部的电部件，例如集成电路（IC）器件或PCB。

公开(公告)号：WO2013003078A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：PCT/US2012/042783

申请日：2012-06-15

Applicant: QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC. ,  SHENOY, Ravindra, Vaman ,  GOUSEV, Evgeni, P.

Inventor： SHENOY, Ravindra, Vaman ,  GOUSEV, Evgeni, P.

IPC: G02B26/00 ,  G02B26/08 ,  B81B7/00 ,  H05K3/00 ,  G09G3/34

CPC classification number: G02B26/001 ,  B81B2203/0353 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00301 ,  G02B26/0816 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1461 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24331 ,  H01L2924/00

Abstract: This disclosure provides systems, methods and apparatus for bonding a device substrate formed of a substantially transparent material to a carrier substrate. A laser etch stop layer may be formed on the device substrate. The carrier substrate may be coated with a releasable layer, such as a polymer layer. Vias may be formed in the device substrate by laser drilling. The vias may be filled with conductive material, e.g., by electroplating or by filling the vias with a conductive paste. One or more types of devices may then be attached to the device substrate and configured for electrical communication with the vias. In some implementations, passive devices may be formed on the device substrate before the vias are formed. Before or after device fabrication, the substrates may be separated. The substrates may be separated by laser irradiation or chemical dissolution of the releasable layer.

Abstract translation: 本公开提供了用于将由基本上透明的材料形成的器件衬底接合到载体衬底的系统，方法和装置。 激光蚀刻停止层可以形成在器件衬底上。 载体基底可以涂覆有可释放层，例如聚合物层。 可以通过激光钻孔在器件衬底中形成通孔。 通孔可以用导电材料填充，例如通过电镀或通过用导电浆填充通孔。 然后可以将一种或多种类型的设备附接到设备基板并且被配置为与通孔电气通信。 在一些实施方案中，可以在形成通孔之前在器件衬底上形成无源器件。 在器件制造之前或之后，可以分离衬底。 可以通过激光照射或可释放层的化学溶解来分离基板。

公开(公告)号：WO2011062242A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：PCT/JP2010/070617

申请日：2010-11-18

Applicant: 大日本印刷株式会社 ,  高野 貴正

Inventor： 高野　貴正

IPC: G01P15/08 ,  G01P15/12 ,  G01P15/18 ,  H01L23/02 ,  H01L25/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: G01P1/023 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/053 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/0023 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0792 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: センサをパッケージ化する際、樹脂封止を用いず、制御ＩＣをセンサと共にパッケージ化する場合、その制御ＩＣの仕様などの変更に合わせた接続関係の変更を容易にし、高い信頼性を維持するセンサデバイス及びその製造方法を提供する。本発明のセンサデバイスは、有機材料を含み、配線を有する基板と、基板上に配置されて、配線と電気的に接続されたセンサと、基板上に配置されて、且つセンサを覆う有機材料を含むパッケージキャップと、を具備し、パッケージキャップの内側は中空であることを特徴とする。

Abstract translation: 公开了一种传感器装置，其传感器封装在其中，没有树脂封装。 传感器装置适于将传感器和控制IC封装在一起，并且便于适应控制IC的规格变化所需的连接关系变化，从而保持高的可靠性。 还公开了该传感器装置的制造方法。 传感器装置设有：含有有机材料并具有布线的基板; 传感器，其设置在所述基板上并电连接到所述布线; 以及设置在所述基板上并覆盖所述传感器的含有机材料的封装盖; 其中所述包装盖的内部是中空的。

公开(公告)号：WO2010139067A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：PCT/CA2010/000842

申请日：2010-06-01

Applicant: MICRALYNE INC. ,  AKHLAGHI ESFAHANY, Siamak ,  LOKE, Yan

Inventor： AKHLAGHI ESFAHANY, Siamak ,  LOKE, Yan

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01D5/00 ,  G01P15/00 ,  H01L21/64

CPC classification number: G01P15/0802 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00301 ,  B81C2203/0118

Abstract: Methods of fabricating semiconductor sensor devices include steps of fabricating a hermetically sealed MEMS cavity enclosing a MEMS sensor, while forming conductive vias through the device. The devices include a first semi-conductor layer defining at least one conductive via lined with an insulator and having a lower insulating surface; a central dielectric layer above the first semiconductor layer; a second semiconductor layer in contact with the at least one conductive via, and which defines a MEMS cavity; a third semiconductor layer disposed above the second semiconductor layer, and which includes a sensor element aligned with the MEMS cavity; a cap bonded to the third semiconductor to enclose and hermetically seal the MEMS cavity; wherein the third semiconductor layer separates the cap and the second semiconductor layer.

Abstract translation: 制造半导体传感器装置的方法包括制造封装有MEMS传感器的气密密封的MEMS腔，同时通过该装置形成导电孔。 所述器件包括限定至少一个导电通孔的第一半导体层，所述至少一个导电通孔内衬绝缘体并具有下绝缘表面; 在所述第一半导体层上方的中心电介质层; 与所述至少一个导电通孔接触并限定MEMS空腔的第二半导体层; 第三半导体层，设置在所述第二半导体层上方，并且包括与所述MEMS空腔对准的传感器元件; 盖子，其结合到第三半导体以封装并气密地密封MEMS腔; 其中所述第三半导体层分离所述盖和所述第二半导体层。

公开(公告)号：WO2009089996A1

公开(公告)日：2009-07-23

申请号：PCT/EP2008/068346

申请日：2008-12-30

Applicant: HYMITE A/S ,  KUHMANN, Jochen ,  HASE, Andreas A.

Inventor： KUHMANN, Jochen ,  HASE, Andreas A.

IPC: H01L23/04

CPC classification number: H01L23/04 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00301 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00

Abstract: A wafer-level method of fabricating a chip-to-wafer or wafer-to -wafer semiconductor packages includes etching a cavity 104 into a first semiconductor wafer 118, 102 and etching vias in a bottom of the cavity. The cavity and sidewalls of the vias are selectively metallized. The cavity can be used to house either an electrical circuit component 113 or to contain a device die. A second semiconductor wafer 106 is placed over the cavity-side of the first semiconductor 102 and is sealed to the first semiconductor wafer. A backside 115 of the first semiconductor wafer is thinned to expose metallization 112 in the vias and metal is deposited on the backside to form circuit routing paths 122.

Abstract translation: 制造芯片到晶片或晶片到等离子体半导体封装的晶片级方法包括将空腔104蚀刻成第一半导体晶片118,102并蚀刻腔的底部中的通孔。 通孔的腔和侧壁被选择性地金属化。 空腔可用于容纳电路元件113或容纳器件裸片。 第二半导体晶片106被放置在第一半导体102的空腔侧之上并被密封到第一半导体晶片。 第一半导体晶片的背面115变薄以暴露通孔中的金属化层112，金属沉积在背面以形成电路布线路径122。

公开(公告)号：WO2008030175A1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：PCT/SE2007/050615

申请日：2007-09-04

Applicant: NANOSPACE AB ,  GRÖNLAND, Tor-Arne ,  RANGSTEN, Pelle ,  JOHANSSON, Håkan ,  BEJHED, Johan

Inventor： GRÖNLAND, Tor-Arne ,  RANGSTEN, Pelle ,  JOHANSSON, Håkan ,  BEJHED, Johan

IPC: F02K9/62 ,  B64G1/40 ,  F03H5/00

CPC classification number: B82Y15/00 ,  B64G1/1078 ,  B64G1/26 ,  B64G1/401 ,  B81B7/0006 ,  B81B2207/092 ,  B81B2207/096 ,  F02K9/62 ,  F02K9/80 ,  F05D2250/82 ,  F05D2250/84 ,  Y10T29/49083 ,  Y10T29/49099 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49346 ,  Y10T29/49718 ,  Y10T29/49746

Abstract: A nozzle arrangement for use in a gas thruster is presented. At least one heater micro structure (20) is arranged in a stagnation chamber (12) of the gas thruster. The heater microstructure (20) comprises a core of silicon or a silicon compound coated by a surface metal or metal compound coating. The heater microstructure (20) is manufactured in silicon or a silicon compound and covered by a surface metal coating. The heater microstructure (20) is mounted in the stagnation chamber (12) before or after the coverage of the surface metal or metal compound coating. The coverage is performed by heating the heater microstructure and flowing a gas comprising low quantities of a metal compound. The compound decomposes at the heated heater microstructure (20), forming the surface metal or metal compound coating. The same principles of coating can be used for repairing the heater microstructure (20) in situ. The driving gas comprises preferably a compound exhibiting an exothermic reaction when coming into contact with a catalytically active material. If the gas is exposed to heater microstructures being covered with the catalytically active material, the gas is further heated by the catalytic reaction.

Abstract translation: 提出了一种用于气体推进器的喷嘴装置。 至少一个加热器微结构（20）布置在气体推进器的停滞室（12）中。 加热器微结构（20）包括由核或硅化合物涂覆的表面金属或金属化合物涂层。 加热器微结构（20）由硅或硅化合物制成并被表面金属涂层覆盖。 加热器微结构（20）在表面金属或金属化合物涂层的覆盖之前或之后安装在停滞室（12）中。 通过加热加热器微结构并流动包含少量金属化合物的气体来进行覆盖。 该化合物在加热的加热器微结构（20）处分解，形成表面金属或金属化合物涂层。 相同的涂层原理可用于原位修复加热器微结构（20）。 当与催化活性材料接触时，驱动气体优选包含表现出放热反应的化合物。 如果气体暴露于被催化活性材料覆盖的加热器微结构，则气体被催化反应进一步加热。

公开(公告)号：WO2007002955A1

公开(公告)日：2007-01-04

申请号：PCT/US2006/026216

申请日：2006-06-28

Applicant: INTEL CORPORATION ,  TUBUL, Shlomy ,  TALALAEVSKY, Alexander ,  BAR-SADEH, Eyal

Inventor： TUBUL, Shlomy ,  TALALAEVSKY, Alexander ,  BAR-SADEH, Eyal

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/14 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/532 ,  H01L25/16

CPC classification number: B81C1/00301 ,  B81B2207/096 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/5389 ,  H01L25/162 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Briefly, some demonstrative embodiments of the present invention include an interconnection device, e.g., a Systems In Package (SIP) device, or Systems In Chip (SIC) device, including one or more embedded vias. Some demonstrative embodiments of the invention include a process to produce the interconnection device. Other embodiments are described and claimed.

Abstract translation: 简而言之，本发明的一些演示实施例包括互连装置，例如系统级封装（SIP）装置或系统芯片（SIC）装置，包括一个或多个嵌入式通孔。 本发明的一些演示实施例包括制造互连装置的过程。 描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：WO2005105661A1

公开(公告)日：2005-11-10

申请号：PCT/IB2005/001148

申请日：2005-04-19

Applicant: HYMITE A/S ,  HESCHEL, Matthias ,  KILIAN, Arnd

Inventor： HESCHEL, Matthias ,  KILIAN, Arnd

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00087 ,  B81B1/004 ,  B81B7/0077 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00301 ,  B81C2203/0109 ,  Y10T29/49 ,  Y10T29/4902 ,  Y10T29/49128 ,  Y10T29/49146 ,  Y10T29/49165 ,  Y10T29/49169

Abstract: Formation of a structure with through-holes includes attaching two sub-structures to one another. The resulting structure may be used in a sub-assembly for various types of micro components and may serve as a lid or base of a housing that encapsulates one or more micro components. The techniques may provide greater flexibility in the shape of the through-holes and may reduce costs compared with other known techniques.

Abstract translation: 形成具有通孔的结构包括将两个子结构彼此附接。 所得到的结构可以用于各种类型的微组件的子组件中，并且可以用作封装一个或多个微组件的壳体的盖子或底座。 这些技术可以在通孔的形状方面提供更大的灵活性，并且与其他已知技术相比可以降低成本。

公开(公告)号：WO2005076470A1

公开(公告)日：2005-08-18

申请号：PCT/EP2005/000178

申请日：2005-01-11

Applicant: EPCOS AG ,  METZGER, Thomas

Inventor： METZGER, Thomas

IPC: H03H3/00

CPC classification number: H03H9/059 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/092 ,  B81B2207/093 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/0023 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15174 ,  H03H9/0523 ,  H03H9/1092 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: Die Erfindung befrifft ein modular aufgebautes elektrisches Bauelement mit einem Modulsubstrat vorzugsweise aus Si und mit einem oder mehreren auf diesem Modulsubstrat angeordneten und elektrisch mit ihm verbundenen, vorzugsweise ungehäusten Chips, die jeweils mit dem Modulsubstrat z. B. mittels Direct Wafer Bonding verbunden sind. Im Modulsubstrat ist eine Vertiefung vorgesehen, so dass bei Verbindung des Chips mit dem Modulsubstrat ein geschlossener Hohlraum gebildet wird. Der Hohlraum entsteht dabei nicht durch eine Schutzkappe, die den Chip umschließt und allseitig mit dem Modulsubstrat abschließt, sondern durch die Verbindung der einander gegenüber stehenden Kontaktbereiche der Chipunterseite und der Oberseite des Modulsubstrats. Da im erfindungsgemäßen Bauelement keine Schutzkappe zur Beschaffung des Hohlraums erforderlich ist, kann es kostengünstig hergestellt werden. Die Erfindung hat außerdem den Vorteil gegenüber einer monolithischen Integration der Funktionseinheiten im Hinblick auf die höhere Ausbeute.

Abstract translation: 本发明befrifft与优选由Si制成的模块用基板的模块化电气部件，以及具有一个或多个布置在该模块衬底上并电连接到它，优选未封装芯片，分别连接到模块基板Z。 通过直接晶片接合的装置实施例相连。 在模块基板上，设置凹部，从而在所述模块基板上的芯片的连接形成一个封闭的腔。 空腔不被保护罩包围芯片和所有侧面与所述模块基板齐平，但通过芯片底部的相对的接触区域的连接和模块基板的顶部出现在这里。 正如在新颖的器件需要采购腔的无帽，它可以廉价地制造。 本发明还具有以下优点：在所述功能单元中的较高的产率而言一个单片集成。

公开(公告)号：WO2005061376A1

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：PCT/GB2004/005122

申请日：2004-12-06

Applicant: CAVENDISH KINETICS LIMITED ,  WILLEM, Matthijs, Heuvelman

Inventor： WILLEM, Matthijs, Heuvelman

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00301 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/096 ,  B81C2203/0145 ,  H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A method of enclosing a micromechnical element formed between a base Layer and one or more metallization layers. The method includes forming one or more encapsulating layers over the micromechanical element and providing an encapsulating wall surrounding the element extending between the base layer and the one or more encapsulating layers. An electrical connection is provided between the base layers, and the one or more metallisation layers formed above the micromechanical element.

Abstract translation: 封装形成在基底层和一个或多个金属化层之间的微技术元件的方法。 该方法包括在微机械元件上方形成一个或多个封装层，并提供围绕在基底层和一个或多个封装层之间延伸的元件的封装壁。 在基底层之间提供电连接，并且在微机械元件上形成一个或多个金属化层。