公开(公告)号：WO2011058680A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：PCT/JP2010/004262

申请日：2010-06-28

Applicant: パナソニック株式会社 ,  平野博茂 ,  伊藤史人 ,  萩原清己 ,  岩瀬鉄平 ,  太田行俊

Inventor： 平野博茂 ,  伊藤史人 ,  萩原清己 ,  岩瀬鉄平 ,  太田行俊

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03472 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05563 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599

Abstract: 　半導体装置は、半導体基板（１）の上に形成された電極パッド（６）と、電極パッド（６）の上に形成され、且つ、電極パッド（６）の一部が露出する第１開口部を有する第１絶縁膜（７）と、第１絶縁膜（７）の上に形成され、且つ、第１開口部における少なくとも一部が露出する第２開口部を有する第２絶縁膜（８）と、第２絶縁膜（８）及び電極パッド（６）の上に形成された第１の金属層（１０）とを備えている。第１の金属層（１０）は、第２絶縁膜（８）の表面における第２開口部の外側である第１領域と電極パッド（６）の表面における第２開口部の内側である第２領域とにより挟まれる第３領域により分離されている。

Abstract translation: 公开了一种半导体器件，其设置有形成在半导体衬底（1）上的电极焊盘（6）; 形成在所述电极焊盘（6）上的第一绝缘膜（7），具有从所述电极焊盘（6）的一部分露出的第一开口; 形成在第一绝缘膜（7）上的第二绝缘膜（8），具有第一开口的至少一部分露出的第二开口; 以及形成在所述第二绝缘膜（8）和所述电极焊盘（6）上的第一金属层（10）。 第一金属层（10）通过夹在第二绝缘膜（8）的表面上的第一区域之间的第三区域分开，所述第一区域在第二开口的外侧，第二区域 电极焊盘（6）的表面，所述第二区域位于第二开口内。

公开(公告)号：WO2014071815A1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：PCT/CN2013/086214

申请日：2013-10-30

Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 林仲珉 ,  石磊 ,  陶玉娟

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03472 ,  H01L2224/03618 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/115 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体器件及其形成方法，该半导体器件包括：半导体基底（300），该半导体基底（300）具有若干焊盘（301）；位于该焊盘（301）上的柱状电极，该柱状电极包括本体（307）和位于该本体（307）中的凹槽，凹槽的开口与柱状电极的顶部表面重合；位于该柱状电极上的焊球（321），该焊球（321）包括位于柱状电极顶部上的金属凸头（320）和填充满该凹槽的填充部（319）。焊球与柱状电极构成类似插稍的结构，提高了焊球与柱状电极之间的结合力。

公开(公告)号：WO2017121007A1

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：PCT/CN2016/074501

申请日：2016-02-25

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 史文 ,  李文辉

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/185 ,  C23C14/34 ,  H01L21/027 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/28506 ,  H01L21/34 ,  H01L21/443 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/0016 ,  H01L51/0018 ,  H01L51/0023 ,  H01L2224/03472 ,  H01L2224/27472

Abstract: 一种薄膜晶体管结构的制造方法，形成一光阻图案层（25）于一有源图案层（24）上及一部分的栅极绝缘层（23）上以暴露出栅极绝缘层（23）的一源极预定位置（231）及一漏极预定位置（232）。光阻图案层（25）包含多个倒梯形块（251），并可作为一掩膜，以便沉积一金属层（26）于光阻图案层（25）、源极预定位置（231）及漏极预定位置上（232）；在移除光阻图案层（25）及其上的金属层（26）后，使剩余的金属层（26）图案化成一源极（261）及一漏极（262）。该薄膜晶体管结构的制造方法不但可简化制造过程，也不需要形成用来保护背沟道的蚀刻阻挡层。

公开(公告)号：WO2017048388A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：PCT/US2016/045255

申请日：2016-08-03

Applicant: MICRON TECHNOLOGY, INC.

Inventor： MARIOTTINI, Giorgio ,  VADHAVKAR, Sameer ,  HUANG, Wayne ,  CHANDOLU, Anilkumar ,  BOSSLER, Mark

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02135 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03472 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03906 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05565 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/053

Abstract: The present technology is directed to manufacturing collars for under-bump metal (UBM) structures for die-to-die and/or package-to-package interconnects and associated systems. A semiconductor die includes a semiconductor material having solid-state components and an interconnect extending at least partially through the semiconductor material. An under-bump metal (UBM) structure is formed over the semiconductor material and is electrically coupled to corresponding interconnects. A collar surrounds at least a portion of the side surface of the UBM structure, and a solder material is disposed over the top surface of the UBM structure.

Abstract translation: 本技术涉及制造用于管芯到管芯和/或封装到封装互连及相关系统的凸块下金属（UBM）结构的套圈。 半导体管芯包括具有固态部件的半导体材料和至少部分延伸穿过半导体材料的互连。 在半导体材料之上形成凸块下金属（UBM）结构，并且电耦合到相应的互连。 套环围绕UBM结构的侧表面的至少一部分，并且焊料材料设置在UBM结构的顶表面上。