公开(公告)号：WO2016031989A1

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：PCT/JP2015/074525

申请日：2015-08-28

申请人： 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

发明人： 山田　隆 ,  小田　大造 ,  榛原　照男 ,  寺嶋　晋一

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L24/13 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K1/19 ,  B23K2201/38 ,  B23K2201/42 ,  B23K2203/12 ,  C22C9/00 ,  H01L23/12 ,  H01L23/50 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/1111 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01017 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/20643 ,  H01L2924/20644 ,  H01L2924/20645 ,  H01L2924/20646 ,  H01L2924/20647

摘要： 　本発明は、半導体チップにＣｕピラーを設けて電気的接続を行うに際し、めっき法でＣｕピラーを形成する方法に比較してＣｕピラーの高さ／直径比を大きくし、生産性を向上し、Ｃｕピラーの高さを高くすることを可能とし、Ｃｕピラーの信頼性を向上することを課題とする。　本発明は、課題を解決するために、予めＣｕピラー用の材料を円柱状形成物として形成しておき、この円柱状形成物を半導体チップ上の電極に接続してＣｕピラーとする。これにより、Ｃｕピラーの高さ／直径比を２．０以上とすることが可能となる。電気めっき法を用いないので、Ｃｕピラー製造に要する所要時間が短く、生産性を向上できる。また、Ｃｕピラー高さを２００μｍ以上に高くすることができるので、モールドアンダーフィルのために好適である。成分を自由に調整することができるため、信頼性の高いＣｕピラーの合金成分設計を容易に行うことができる。

摘要翻译： 本发明解决了当将Cu柱与半导体芯片提供并电连接时，增加Cu柱的高度/直径比，提高生产率，提高Cu柱的高度，提高Cu柱的可靠性， 与通过电镀形成Cu柱的方法相比。 为了解决上述问题，将Cu柱的材料预先形成为圆筒状的成形体，将该圆筒状的成形体与半导体芯片上的电极电连接，得到Cu支柱。 结果，Cu柱的高度/直径比可以至少为2.0。 不使用电镀，因此可以缩短Cu柱生产所需的时间并提高生产率。 此外，Cu柱高度可以至少为200μm，使得Cu柱适合于模制底部填充。 组件可以自由调整，从而可以方便地设计合金部件，用于高可靠性的Cu支柱。

公开(公告)号：WO2015198839A1

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：PCT/JP2015/066351

申请日：2015-06-05

申请人： ソニー株式会社

发明人： 村井　誠 ,  高岡　裕二 ,  佐藤　和樹 ,  山田　宏行

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/12 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05173 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/16013 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81012 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/8112 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81893 ,  H01L2224/81906 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2224/81935 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K1/111 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3452 ,  H05K2201/09227 ,  H05K2201/09663 ,  H05K2201/0979 ,  H05K2201/0989 ,  H05K2201/10674 ,  Y02P70/611 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2221/68304 ,  H01L21/304 ,  H01L2221/68381 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11

摘要： 　半導体チップは、チップ本体と、チップ本体の素子形成面に設けられたはんだを含む複数の電極とを有する。パッケージ基板は、基板本体と、基板本体の表面に設けられた複数の配線およびソルダレジスト層とを有する。はんだを含む複数の電極は、第１の電位を供給する複数の第１電極と、第１の電位とは異なる第２の電位を供給する複数の第２電極とを含む。複数の第１電極および複数の第２電極は、チップ本体の中央部に、行方向および列方向の両方に交互に配置されている。複数の配線は、複数の第１電極を相互に接続する複数の第１配線と、複数の第２電極を相互に接続する複数の第２配線とを含む。

摘要翻译： 本发明的半导体芯片包括主芯片体和设置在所述主芯片体的元件形成表面上的多个焊料包含电极。 封装基板包括：主基板主体; 以及设置在所述主基板主体的表面上的多根导线和阻焊层。 多个含焊料的电极包括提供第一电位的多个第一电极和提供不同于第一电位的第二电位的多个第二电极。 多个第一电极和多个第二电极在主芯片体的中间沿行方向和列方向交替布置。 上述多根线包括将多个第一电极彼此连接的多条第一线和将多个第二电极彼此连接的多条第二线。

公开(公告)号：WO2014033977A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：PCT/JP2013/001915

申请日：2013-03-21

申请人： パナソニック株式会社

发明人： 樋口　裕一

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/563 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05613 ,  H01L2224/05617 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13117 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/16014 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8112 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81143 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/384 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029

摘要： 　第１の半導体チップ（１００）と第２の半導体チップ（２００）とが接合された積層チップを有する半導体装置である。第１の半導体チップの主面上には、第１の電極パッド（１１０）と、第１の電極パッドの上に形成された第１のバンプ（１２０）とが形成されている。第２の半導体チップ（２００）の主面上には、第１のバンプと接合するように第２のバンプ（２２０）が形成されている。第１の電極パッド（１１０）は、中央に段差状となる開口部を有している。第１のバンプ（１２０）は、第１の電極パッド（１１０）における開口部とその周辺部との段差状に跨るように形成された中央が窪んだ凹状を有する。

摘要翻译： 该半导体器件具有通过接合第一半导体芯片（100）和第二半导体芯片（200）而产生的层叠芯片。 在第一半导体芯片的主表面上形成有形成在第一电极焊盘上的第一电极焊盘（110）和第一凸块（120）。 在第二半导体芯片（200）的主表面上形成有用于与第一凸块接合的第二凸块（220）。 第一电极焊盘（110）具有孔，使得中心部分具有阶梯形状。 第一凸块（120）具有中心部分凹陷的凹陷形状，以便跨越第一电极焊盘（110）的孔径和周边部分的阶梯形状。

公开(公告)号：WO2012054335A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：PCT/US2011056352

申请日：2011-10-14

申请人： TESSERA INC ,  HABA BELGACEM ,  ZOHNI WAEL ,  CRISP RICHARD DEWITT

发明人： HABA BELGACEM ,  ZOHNI WAEL ,  CRISP RICHARD DEWITT

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/36 ,  H01L23/367 ,  H01L23/42 ,  H01L23/498 ,  H01L25/10

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/14 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/14519 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32188 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/731 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

摘要： A microelectronic assembly includes a dielectric element 930B having oppositely-facing first and second surfaces and one or more apertures 972 extending between the surfaces, the dielectric element further having conductive elements thereon; a first microelectronic element 900A having a rear surface and a front surface facing the first surface of the dielectric element 930B, the first microelectronic element 900A having a first edge and a plurality of contacts exposed at the front surface thereof; a second microelectronic element 900B including having a rear surface and a front surface facing the rear surface of the first microelectronic element 900A, a projecting portion of the front surface of the second microelectronic element 900B extending beyond the first edge of the first microelectronic element 900A, the projecting portion being spaced from the first surface of the dielectric element 930B, the second microelectronic element 900B having a plurality of contacts exposed at the projecting portion of the front surface; leads extending from contacts of the microelectronic elements through the at least one aperture to at least some of the conductive elements; and a heat spreader 970 thermally coupled to at least one of the first microelectronic element 900A or the second microelectronic element 900B.

摘要翻译： 微电子组件包括具有相对面对的第一和第二表面的介电元件930B和在表面之间延伸的一个或多个孔972，该介电元件还具有导电元件; 第一微电子元件900A，其具有背面和与介质元件930B的第一表面相对的前表面，第一微电子元件900A具有第一边缘和在其前表面处暴露的多个触点; 第二微电子元件900B，包括具有背面和面向第一微电子元件900A的后表面的前表面，第二微电子元件900B的前表面的突出部分延伸超过第一微电子元件900A的第一边缘， 所述突出部分与所述电介质元件930B的第一表面间隔开，所述第二微电子元件900B具有在所述前表面的突出部分处露出的多个触点; 从微电子元件的接触通过至少一个孔延伸到至少一些导电元件的引线; 以及热耦合到第一微电子元件900A或第二微电子元件900B中的至少一个的散热器970。

公开(公告)号：WO2012013416A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：PCT/EP2011/059961

申请日：2011-06-15

申请人： EPCOS AG ,  LEE, Kim Choong ,  HUESGEN, Marc

发明人： LEE, Kim Choong ,  HUESGEN, Marc

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  B81B7/00 ,  H01L21/60 ,  H03H9/10

CPC分类号： H05K1/181 ,  B81B7/0058 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/096 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/10135 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29014 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H03H9/059 ,  H03H9/1057 ,  H03H9/1064 ,  H03H9/1071 ,  H03H9/1078 ,  H03H9/1085 ,  H03H9/1092 ,  H05K3/32 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49146 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： Die Erfindung gibt ein Modul an, welches ein Trägersubstrat (6) mit einer elektrische Verdrahtung und einen in Flip-Chip-Technik auf dem Trägersubstrat (6) montierten Bauelementchip aufweist, wobei der Bauelementchip (1) auf seiner zum Trägersubstrat (6) weisenden Oberfläche (2) Bauelementstrukturen (3), einen Stützrahmen (4) und Stützelemente (5) aufweist, die Stützelemente (5) eine elektrische Verbindung zwischen den Bauelementstrukturen (3) und der elektrischen Verdrahtung des Trägersubstrats (6) herstellen und die Höhe der Stützelemente und die Höhe des Stützrahmens (4) übereinstimmen. Ferner gibt die Erfindung ein Herstellungsverfahren für das Modul an.

摘要翻译： 本发明提供包含载体基板（6），其具有电布线和安装在支撑衬底上的倒装芯片技术（6）器件芯片中，（1）在其朝向与载体衬底的器件芯片（6）表面的模块 （2）组件的结构（3），支撑框架（4）和支撑元件（5），其使所述支承元件（5），该组件的结构（3）和所述支撑基板的电布线（6）和所述支承元件的高度之间的电连接和 支撑框架的高度（4）重合。 此外，本发明提供了一种制造该模块的方法。

公开(公告)号：WO2011054554A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：PCT/EP2010/061902

申请日：2010-08-16

申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION ,  IBM UNITED KINGDOM LIMITED ,  HOUGHAM, Gareth, Geoffrey ,  MCVICKER, Gerard ,  GU, Xiaoxiong

发明人： HOUGHAM, Gareth, Geoffrey ,  MCVICKER, Gerard ,  GU, Xiaoxiong

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L21/486 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/11 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/1607 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/81101 ,  H01L2224/81208 ,  H01L2224/81899 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15323 ,  H01L2924/15333 ,  H01R13/02 ,  H01R13/2421 ,  H01R43/16 ,  H05K3/064 ,  H05K3/326 ,  H05K3/4092 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/0382 ,  H05K2201/10265 ,  H05K2201/10378 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49208 ,  Y10T29/49218 ,  Y10T29/49222 ,  Y10T29/49224 ,  H01L2924/00

摘要： A structure and method for manufacturing the same for manufacturing a contact structure for microelectronics manufacturing including the steps of forming first and second metal sheets to form a plurality of outwardly extending bump each defining a cavity. Symmetrically mating the first and second metal sheets in opposing relation to each other to form upper and lower bumps each defining an enclosure therebetween wherein the mated first and second sheets form a contact structure. Coating the contact structure with an insulating material, and fabricating helix shaped contacts from upper and lower bumps. The helix shaped contacts having first and second portions being in mirror image relationship to each other.

摘要翻译： 一种用于制造用于微电子制造的接触结构的结构和方法，包括以下步骤：形成第一和第二金属片以形成多个向外延伸的凸起，每个限定腔。 将第一和第二金属板彼此相对地对称地配合，以形成每个限定其间的外壳的上凸块和下凸块，其中配合的第一和第二板形成接触结构。 用绝缘材料涂覆接触结构，并从上部和下部凸块制造螺旋形接触。 具有彼此成镜像关系的第一和第二部分的螺旋形接触件。

公开(公告)号：WO2005034237A1

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：PCT/SG2004/000331

申请日：2004-10-09

申请人： ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD ,  TAN, Kim Hwee ,  CH'NG, Han-Shen ,  TAGAPULOT, Rosemarie ,  BONG, Yin Yen ,  MA, L. Nang Htoi ,  LIM, Tiong Soon ,  LIU, Shikui ,  BALASUBRAMANIAN, Sivagnanam

发明人： TAN, Kim Hwee ,  CH'NG, Han-Shen ,  TAGAPULOT, Rosemarie ,  BONG, Yin Yen ,  MA, L. Nang Htoi ,  LIM, Tiong Soon ,  LIU, Shikui ,  BALASUBRAMANIAN, Sivagnanam

IPC分类号： H01L23/485

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13671 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/00

摘要： A die, comprising a substrate (10), has pillar bumps (34) formed over its surface in a series of rows and columns. The pillar bump is comprised a copper pillar (26) topped with a solder cap (28) which has been refloewd (28’). The solder can be lead or lead-free. The pillar bump can be columnar, rectangular, ring shaped or wall shaped. The pillar bump may form a square. The pillar bump can find use in high power applications such a Surface Acoustic Wave devices or MEM devices.

摘要翻译： 包括衬底（10）的管芯具有在其表面上以一系列行和列形成的柱状突起（34）。 支柱凸块包括一个铜柱（26），顶部具有已经重熔（28'）的焊帽（28）。 焊料可以是铅或无铅。 柱柱可以是柱状，矩形，环形或壁形。 柱形凸块可以形成正方形。 支柱凸块可用于诸如表面声波装置或MEM装置的大功率应用中。

公开(公告)号：WO2016186788A1

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：PCT/US2016/028305

申请日：2016-04-19

申请人： INTEL IP CORPORATION

发明人： MEYER, Thorsten ,  WOLTER, Andreas

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/96 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11

摘要： Conductive paths through a dielectric are described that have a high aspect ratio for semiconductor devices. In one example, a plurality of conductive connection pads are formed on a semiconductor substrate to connect to circuitry formed on the substrate. A post is formed on each of a subset of the connection pads, the posts being formed of a conductive material. A dielectric layer is formed over the semiconductor substrate including over the connection pads and the posts. Holes are formed by removing the dielectric layer directly over the posts. The formed holes are filled with a conductive material and a connector is formed over each filled hole.

摘要翻译： 描述了通过电介质的导电路径，其具有用于半导体器件的高纵横比。 在一个示例中，多个导电连接焊盘形成在半导体衬底上以连接到形成在衬底上的电路。 在连接垫的子集中的每一个上形成柱，柱由导电材料形成。 在包括连接焊盘和柱上的半导体衬底之上形成介电层。 通过直接在柱上移除电介质层形成孔。 形成的孔填充有导电材料，并且在每个填充的孔上形成连接器。

公开(公告)号：WO2016154315A1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：PCT/US2016/023785

申请日：2016-03-23

申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED ,  TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH ,  TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED

发明人： RINCK, Helmut ,  BAUER, Gernot ,  ZRILE, Robert ,  SCHACHTSCHNEIDER, Kai-Alexander ,  OTTE, Michael ,  WIESNER, Harald

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53204 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03612 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/11005 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01051

摘要： In described examples, a method (100) of forming bond pads includes providing (101) a substrate including at least one integrated circuit (IC) device formed thereon having an oxidizable uppermost metal interconnect layer, which provides a plurality of bond pads that are coupled to circuit nodes on the IC device. The plurality of bond pads includes a metal bond pad area. A cobalt-comprising connection layer is deposited (102) directly on the metal bond pad area. The cobalt-comprising connection layer is patterned (103) to provide a cobalt bond pad surface for the plurality of bond pads, and a solder material is formed (104) on the cobalt bond pad surface.

摘要翻译： 在所述实施例中，形成接合焊盘的方法（100）包括提供（101）包括形成在其上的至少一个集成电路（IC）器件的衬底，其具有可氧化的最上面的金属互连层，其提供多个接合焊盘， 到IC器件上的电路节点。 多个接合焊盘包括金属焊盘区域。 包含钴的连接层直接在金属焊盘区域上沉积（102）。 对包含钴的连接层进行图案化（103）以提供用于多个接合焊盘的钴键合焊盘表面，并且在钴焊盘表面上形成焊料材料（104）。

公开(公告)号：WO2016031462A1

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：PCT/JP2015/071203

申请日：2015-07-27

申请人： 富士電機株式会社

发明人： 堀　元人 ,  高橋　良和 ,  望月　英司 ,  西村　芳孝 ,  池田　良成

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/473 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/473 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4006 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/81 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L29/1608 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48101 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81898 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/014

摘要： 　パワー半導体モジュールは、冷却器と、冷却器上に並べて固定された複数のパワー半導体ユニットと、パワー半導体ユニットを電気的に接続するバスバーユニットとを備えている。パワー半導体ユニットは、回路板、絶縁板及び金属板が順次に積層された積層基板と、回路板に固定された半導体素子と、プリント基板と複数の導電ポストを有する配線部材と、回路板に電気的かつ機械的に接続された外部端子と、絶縁性の封止材とを備えている。バスバーユニットは、各パワー半導体ユニットの外部端子を相互に接続する複数のバスバーを備えている。

摘要翻译： 该功率半导体模块设置有：冷却装置; 多个功率半导体单元，其布置在并固定到所述冷却装置上; 以及电连接功率半导体单元的汇流条单元。 每个功率半导体单元设置有：通过顺序层叠电路板，绝缘板和金属板而获得的多层基板; 固定在电路板上的半导体元件; 布线构件，其包括印刷板和多个导电柱; 电气和机械连接到电路板的外部端子; 和绝缘密封材料。 母线单元设置有多个汇流条，其将功率半导体单元的外部端子彼此连接。