公开(公告)号：WO2017048388A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：PCT/US2016/045255

申请日：2016-08-03

申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： MARIOTTINI, Giorgio ,  VADHAVKAR, Sameer ,  HUANG, Wayne ,  CHANDOLU, Anilkumar ,  BOSSLER, Mark

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02135 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03472 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03906 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05565 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/053

摘要： The present technology is directed to manufacturing collars for under-bump metal (UBM) structures for die-to-die and/or package-to-package interconnects and associated systems. A semiconductor die includes a semiconductor material having solid-state components and an interconnect extending at least partially through the semiconductor material. An under-bump metal (UBM) structure is formed over the semiconductor material and is electrically coupled to corresponding interconnects. A collar surrounds at least a portion of the side surface of the UBM structure, and a solder material is disposed over the top surface of the UBM structure.

摘要翻译： 本技术涉及制造用于管芯到管芯和/或封装到封装互连及相关系统的凸块下金属（UBM）结构的套圈。 半导体管芯包括具有固态部件的半导体材料和至少部分延伸穿过半导体材料的互连。 在半导体材料之上形成凸块下金属（UBM）结构，并且电耦合到相应的互连。 套环围绕UBM结构的侧表面的至少一部分，并且焊料材料设置在UBM结构的顶表面上。

公开(公告)号：WO2015054413A1

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：PCT/US2014/059737

申请日：2014-10-08

申请人： INVENSAS CORPORATION

发明人： UZOH, Cyprian, Emeka ,  KATKAR, Rajesh

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/03823 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05565 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/1111 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

摘要： An apparatus relating generally to a substrate is disclosed. In this apparatus, a first metal layer is on the substrate. The first metal layer has an opening. The opening of the first metal layer has a bottom and one or more sides extending from the bottom. A second metal layer is on the first metal layer. The first metal layer and the second metal layer provide a bowl-shaped structure. An inner surface of the bowl-shaped structure is defined responsive to the opening of the first metal layer and the second metal layer thereon. The opening of the bowl-shaped structure is configured to receive and at least partially retain a bonding material during a reflow process.

摘要翻译： 公开了一般涉及基板的装置。 在该装置中，第一金属层位于基板上。 第一金属层具有开口。 第一金属层的开口具有从底部延伸的底部和一个或多个侧面。 第二金属层位于第一金属层上。 第一金属层和第二金属层提供碗形结构。 碗形结构的内表面是响应于其上的第一金属层和第二金属层的开口而定义的。 碗形结构的开口构造成在回流过程期间接收并且至少部分地保持接合材料。

公开(公告)号：WO2014136303A1

公开(公告)日：2014-09-12

申请号：PCT/JP2013/077115

申请日：2013-10-04

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 中田　洋輔 ,  中野　誠也

IPC分类号： H01L21/60 ,  H05K3/34

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/78 ,  H01L23/49531 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05563 ,  H01L2224/05565 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/29027 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/4878 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00

摘要： 　素子電極（１０３）は、半導体素子（１０１）の表面に設けられている。金属膜（１０５）は、素子電極（１０３）上に設けられており、内側領域（１０５ａ）と、内側領域（１０５ａ）の周りに位置する外側領域（１０５ｂ１）とを有する。金属膜（１０５）には、内側領域（１０５ａ）および外側領域（１０５ｂ１）の間で素子電極（１０３）を露出する開口（ＴＲ）が設けられている。素子電極（１０３）は、金属膜（１０５）の半田濡れ性よりも低い半田濡れ性を有する。外部電極（１１７）は金属膜（１０５）の内側領域（１０５ａ）に半田接合されている。

摘要翻译： 元件电极（103）设置在半导体元件（101）的表面上。 金属膜（105）设置在元件电极（103）上，具有内侧区域（105a）和位于内侧区域（105a）周围的外侧区域（105b1）。 在金属膜（105）上设置开口（TR），使内侧区域（105a）与外侧区域（105b1）之间露出元件电极（103）。 元件电极（103）的焊料润湿性低于金属膜（105）的焊料润湿性。 外部电极（117）焊接到金属膜（105）的内侧区域（105a）。