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公开(公告)号：CN103999224A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201280062235.2
申请日：2012-11-14
申请人： 天工方案公司
CPC分类号： H01L27/0658 , H01L21/8252 , H01L22/14 , H01L27/0605 , H01L28/60 , H01L29/0692 , H01L29/205 , H01L29/41708 , H01L29/66242 , H01L29/737 , H01L29/7371 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/49171 , H01L2924/12032 , H01L2924/1305 , H01L2924/15184 , H01L2924/15192 , H04M1/026 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 所公开的是与用于诸如磷化铟镓(InGaP)的选择的半导体的金属化的阻挡层有关的结构和方法。在一些实施例中，所述阻挡层可包括氮化钽(TaN)。这种阻挡层可提供期望的特性，比如阻挡功能性、改善的金属层粘附性、降低的扩散性、金属与InGaP之间的降低的反应性以及制造过程中的稳定性。在一些实施例中，以这种方式形成的结构可被构造为砷化镓(GaAs)异质结双极晶体管(HBT)的发射极或片上高值电容元件。在一些实施例中，一些前述结构可被构造为具有代表该发射极层厚度的电容值的电容元件。相应地，在不同HBT工艺中监测这种电容值允许监测发射极层的完好性。
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公开(公告)号：CN103986447A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410044904.4
申请日：2014-02-07
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： F.J.尼德诺斯泰德 , H-J.舒尔策
IPC分类号： H03K17/567 , H01L29/739 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7393 , H01L21/221 , H01L21/263 , H01L21/265 , H01L21/266 , H01L29/0834 , H01L29/167 , H01L29/32 , H01L29/41708 , H01L29/41766 , H01L29/42368 , H01L29/66333 , H01L29/66348 , H01L29/7397
摘要： 本发明涉及双极半导体开关及其制造方法。提供了一种具有半导体主体的双极半导体开关。半导体主体包括第一p型半导体区、第二p型半导体区、以及第一n型半导体区，第一n型半导体区与第一p型半导体区形成第一pn结并且与第二p型半导体区形成第二pn结。在第一pn结和第二pn结之间穿过第一n型半导体区的最短路径上，电荷复合中心的浓度和n掺杂剂的浓度变化。电荷复合中心的浓度在沿最短路径的一点处具有最大值，在该点处n掺杂剂的浓度至少接近于最大掺杂剂浓度。另外，提供了一种用于双极半导体开关的制造方法。
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公开(公告)号：CN103794493A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310511538.4
申请日：2013-10-25
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/762 , H01L29/73 , H01L29/08
CPC分类号： H01L29/732 , H01L21/76229 , H01L21/76283 , H01L29/66242 , H01L29/7378 , H01L29/66234 , H01L29/0642 , H01L29/41708 , H01L29/73
摘要： 本发明公开了半导体器件制造方法及器件结构，硬件描述语言设计结构，具体公开了一种制造器件结构，以及双极结型晶体管的器件结构与设计结构的方法。该器件结构包括在基板中的集电极区域、延伸到该基板中且包括电绝缘体的多个隔离结构、以及在该基板中的隔离区域。隔离结构具有长度，并且以横向于该长度的节距布置，使得隔离结构的每个相邻对被基板的相应部分分开。隔离区域通过集电极区域的第一部分与隔离结构中的至少一个侧向分开。隔离区域将集电极区域的第二部分与集电极区域的第一部分侧向分开。所述器件结构还包括在集电极区域第二部分上的本征基极和在本征基极上的发射极。发射极具有相对于隔离结构的长度横向定向的长度。
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公开(公告)号：CN103460355A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280016617.1
申请日：2012-02-01
申请人： 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/732
CPC分类号： H01L29/66234 , H01L29/0692 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/41708 , H01L29/66272 , H01L29/7322
摘要： 本发明的目的是在不使用复杂电路的情况下放大在恒定增益下以若干量级的因子变化的电流。为了解决该问题，利用了一种半导体器件，其包括：具有第一导电类型的第一半导体区；第二半导体区，具有相反导电类型并与所述第一半导体区相接触；以及第三半导体区，具有所述第一导电类型并在所述第二表面处与所述第二半导体区相接触，与所述第二半导体区相接触的第四半导体区被提供以与所述第三半导体区分离并包围所述第三半导体区，并且所述第四半导体区的杂质浓度大于所述第二半导体区的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN103403848A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280010887.1
申请日：2012-01-20
申请人： NTT电子股份有限公司 , 日本电信电话株式会社
IPC分类号： H01L21/331 , G02F1/017 , H01L29/737 , H01L31/10
CPC分类号： H01L29/0615 , G02F1/025 , G02F2001/0157 , H01L29/0692 , H01L29/0821 , H01L29/205 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/7371 , H01L31/03046 , H01L31/035281 , H01L31/105 , Y02E10/544
摘要： 本发明的目的在于，提供可以缩小器件尺寸、降低串联电阻和抑制泄漏电流的半导体器件。本发明正是把器件动作本来不需要的电位阶差产生层插入器件的结构内。该电位阶差具有这样的功能，即，即使带隙小的半导体在台面侧面露出，也可以抑制该部分的电压降，减小对器件动作不合适的泄漏电流。异质结构双极晶体管、光电二极管和电场吸收型光调制器等都可以得到该效果。另外，在光电二极管中，由于泄漏电流缓和，所以可以缩小器件的尺寸，不仅可以通过降低串联电阻改善动作速度，还具有可以高密度地阵列状地配置器件的优点。
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公开(公告)号：CN102117794B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910202066.8
申请日：2009-12-31
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L23/528 , H01L21/762 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L29/732 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/732 , H01L21/743 , H01L21/76224 , H01L29/0821 , H01L29/41708 , H01L29/66287
摘要： 本发明公开了一种浅沟槽隔离工艺中的电极引出结构，有源区由浅沟槽隔离，在浅沟槽的底部形成一赝埋层，所述赝埋层进入有源区并和所述有源区中需要引出电极的掺杂区域一相连接，通过在浅沟槽氧化层中制作深槽接触孔和赝埋层相接引出所述掺杂区域一。本发明能够减小器件的面积、降低引出电极的电阻和寄生电容、提高器件的特征频率。
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公开(公告)号：CN102403256A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201010275532.8
申请日：2010-09-08
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/74 , H01L21/768 , H01L21/324 , H01L23/498 , H01L29/737 , H01L29/06 , H01L29/45
CPC分类号： H01L29/0821 , H01L21/28525 , H01L21/7684 , H01L29/0657 , H01L29/41708 , H01L29/456 , H01L29/66242 , H01L29/7378
摘要： 本发明公开了一种赝埋层的制造方法，包括如下步骤：在硅衬底上刻蚀形成有源区和浅沟槽；在浅沟槽底部表面进行磷离子注入形成磷杂质区；在所述浅沟槽底部表面进行砷离子注入形成砷杂质区；进行热退火。本发明还公开了一种赝埋层。本发明还公开一种深孔接触；本发明还公开一种三极管。本发明方法的赝埋层注入通过采用具有快速热扩散特性的磷注入和具有慢速热扩散特性的砷注入，能提高赝埋层表面的杂质浓度、能减少赝埋层的方块电阻、能使赝埋层和深孔接触形成良好的欧姆接触并减少接触电阻，还能提高三极管器件的频率特性和电流输出能力。
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公开(公告)号：CN101661954B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910166648.5
申请日：2009-08-24
发明人： 高桥和也
IPC分类号： H01L29/73 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/73 , H01L24/06 , H01L29/41708 , H01L29/732 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 一种半导体装置。在具有两层电极结构的分立式双极型晶体管中，在第二层基极电极下方配置第一层发射极电极及基极电极。相比第二层电极，第一层电极厚度薄。自第二基极电极下方的动作区域(发射极区域)经由第一层发射极电极而流向第二层发射极电极的电流路径，相比电流向大致正上方被拾取的第二发射极电极下方的电流路径，电阻增高，由此存在芯片内的电流密度不均匀的问题。本发明的半导体装置将第一基极电极及第一发射极电极全部形成为长条状并交替平行配置，相比第二基极电极的面积，扩展第二发射极电极的面积。由此，因自发射极区域经由第一发射极电极向大致正上方一直被拾取到第二发射极电极的电流路径增加，故可避免芯片整体电流密度不均匀。
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公开(公告)号：CN101661953B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910166647.0
申请日：2009-08-24
发明人： 高桥和也
IPC分类号： H01L29/73 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/0804 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L29/0692 , H01L29/41708 , H01L29/66295 , H01L29/732 , H01L2224/0603 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/40245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体装置。在具有两层电极结构的分立式双极型晶体管中，将第一层发射极电极与发射极区域由形成于它们之间的第一绝缘膜的发射极接触孔连接。将第二层发射极电极与第一层发射极电极由形成于它们之间的第二绝缘膜的发射极通孔连接。故在第二层发射极电极下方，发射极接触孔和发射极通孔重叠，产生两个绝缘膜厚度的高度差。该高度差也影响第二层发射极电极表面，在其上使用焊料粘合金属片时，由于凹凸大产生不良粘合。本发明的半导体装置使设于第一层发射极电极上下的发射极接触孔和发射极通孔不重叠，对于一个发射极电极使发射极接触孔和发射极通孔相互分开地配置多个。故在第二层发射极电极表面，即便高度差为最大，也仅受设于膜厚较厚的绝缘膜的发射极通孔高度差的影响，第二层电极表面的平坦性提高。可以避免金属片不良粘合。
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公开(公告)号：CN102117794A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200910202066.8
申请日：2009-12-31
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L23/528 , H01L21/762 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L29/732 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/732 , H01L21/743 , H01L21/76224 , H01L29/0821 , H01L29/41708 , H01L29/66287
摘要： 本发明公开了一种浅沟槽隔离工艺中的电极引出结构，有源区由浅沟槽隔离，在浅沟槽的底部形成一赝埋层，所述赝埋层进入有源区并和所述有源区中需要引出电极的掺杂区域一相连接，通过在浅沟槽氧化层中制作深槽接触孔和赝埋层相接引出所述掺杂区域一。本发明能够减小器件的面积、降低引出电极的电阻和寄生电容、提高器件的特征频率。
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