公开(公告)号：CN103091368B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201210382506.4

申请日：2012-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 亚历克斯·卡尔尼茨基 ,  刘怡劭 ,  梁凯智 ,  朱家骅 ,  郑创仁 ,  郑钧文

IPC: G01N27/00 ,  G01N27/414 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01N27/4145 ,  G01N27/414 ,  G01N27/4148 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L51/0093

Abstract: 本发明提供一种生物场效应晶体管(BioFET)和一种制作BioFET器件的方法。该方法包括使用与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容或者CMOS工艺特有的一个或者多个工艺步骤来形成BioFET。BioFET器件可以包括：衬底；栅极结构，设置于衬底的第一表面上；以及界面层，形成于衬底的第二表面上。界面层可以允许受体放置于界面层上以检测存在的生物分子或者生物实体。本发明还提供了兼容BioFET的CMOS。

公开(公告)号：CN104850161A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201410181644.5

申请日：2014-04-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 穆罕默德·阿尔-夏欧卡 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基

IPC: G05F1/56

CPC classification number: G05F3/262 ,  G05F3/24

Abstract: 本发明提供了组合栅极基准电压源及其使用方法。基准电压源，该基准电压源包括配置为接收第一电流的组合栅极晶体管。该基准电压源还包括配置为接收第二电流的第一晶体管，该第一晶体管具有第一泄漏电流，其中，该第一晶体管以Vgs差分布置的方式与组合栅极晶体管连接。该基准电压源还包括配置为输出基准电压的输出节点，该输出节点连接至第一晶体管。该基准电压源还包括连接至输出节点的第二晶体管，该第二晶体管具有第二泄漏电流，其中，第一泄漏电流基本上等于第二泄漏电流。

公开(公告)号：CN103137618A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210448360.9

申请日：2012-11-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 亚历克斯·卡尔尼茨基 ,  姚智文 ,  蔡军 ,  柳瑞兴 ,  段孝勤

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/76237 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/76216 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0921 ,  H01L29/1087

Abstract: 一种半导体结构，包括：衬底；位于衬底中的第一功率器件和第二功率器件；位于第一和第二功率器件之间的至少一个隔离部件；以及位于衬底中的邻接至少一个隔离部件的俘获部件。本发明提供了局部载流子寿命减少的结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN102468180A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110241601.8

申请日：2011-08-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何建志 ,  赵治平 ,  曾华洲 ,  陈俊宏 ,  苏嘉祎 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基 ,  郑价言 ,  庄学理

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823871 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545

Abstract: 一种形成集成电路结构的方法，包括：在层间电介质(ILD)中提供栅极带。栅极带包括高k栅极电介质上方的金属栅电极。电传导结构形成在栅极带上方，且导电带形成在电传导结构上方。导电带的宽度比栅极带的宽度大。接触插塞形成在导电带上方，并被附加ILD层围绕。

公开(公告)号：CN106816438B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201611092388.8

申请日：2016-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李陈毅 ,  黄士芬 ,  王培伦 ,  何大椿 ,  钟于彰 ,  穆罕默德·阿尔-夏欧卡 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明的一些实施例提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一晶体管，被配置为包括第一阈值电压水平。该第一晶体管包括栅极结构。该栅极结构包括：包括第一导电类型的第一部件。第二晶体管被配置为包括与第一阈值电压水平不同的第二阈值电压水平。该第二晶体管包括栅极结构。该栅极结构包括：包括第一导电类型的第二部件。至少一个额外部件设置在第二部件上方。该至少一个额外部件包括与第一导电类型相反的第二导电类型。连接第一晶体管和第二晶体管以通过第一阈值电压水平和第二阈值电压水平之间的期望电压差确定至少一个额外部件的数量。本发明还提供了另一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN106653753B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201610656637.5

申请日：2016-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 关文豪 ,  姚福伟 ,  苏如意 ,  蔡俊琳 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基

IPC: H01L27/10

Abstract: 在一些实施例中，一种半导体结构包括第一器件和第二器件。第一器件具有第一表面。第一器件包括由第一材料系统限定的第一有源区域。第二器件具有第二表面。第二表面与第一表面共平面。第二器件包括由第二材料系统限定的第二有源区域。第二材料系统不同于第一材料系统。

公开(公告)号：CN103579114B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201310173218.2

申请日：2013-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张贵松 ,  郑钧文 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基 ,  朱家骅

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/768 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L24/09 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/64 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/24 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/82 ,  H05K3/4661 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/80001

Abstract: 本发明提供堆叠的半导体器件的一个实施例。堆叠的半导体器件包括第一衬底；位于第一衬底上方的第一接合焊盘；包括在其上制造的第二电子器件的第二衬底；位于第二衬底上方的第二电子器件的上方的第二接合焊盘，第二接合焊盘与第二电子器件电连接；位于第二接触焊盘的上方并具有顶面的第二绝缘层，第二绝缘层与第一衬底的第一接合焊盘接合；和从与第一接合焊盘相对的表面延伸穿过第一衬底并穿过第二绝缘层的顶面到达第二接合焊盘的衬底通孔(“TSV”)。本发明还提供了集成半导体器件及其晶圆级制造方法。

公开(公告)号：CN106653753A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610656637.5

申请日：2016-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 关文豪 ,  姚福伟 ,  苏如意 ,  蔡俊琳 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基

IPC: H01L27/10

Abstract: 在一些实施例中，一种半导体结构包括第一器件和第二器件。第一器件具有第一表面。第一器件包括由第一材料系统限定的第一有源区域。第二器件具有第二表面。第二表面与第一表面共平面。第二器件包括由第二材料系统限定的第二有源区域。第二材料系统不同于第一材料系统。

公开(公告)号：CN103457463B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201210477601.2

申请日：2012-11-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 亚历克斯·卡尔尼茨基

IPC: H02M3/155 ,  H01L29/78

CPC classification number: H02M3/155 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7816

Abstract: 本发明提供了一种用于接收电源电压和生成输出电压的开关电压变换器。电压变换器包括开关控制器和通信耦合至开关控制器的开关器件。开关控制器通过控制开关器件的占空比调节输出电压。确定开关器件的尺寸，使得开关器件的特征在于漏极‑源极击穿电压大于或者基本等于电源电压和输出电压；并且进一步的特征在于，热载流子注入额定值小于电源电压或者输出电压。在又一些实施例中，确定开关器件的尺寸，使得开关器件的特征在于漏极‑源极击穿电压大于或者基本等于峰值工作电压并且进一步的特征在于，热载流子注入额定值小于峰值工作电压。本发明还提供了用于开关电路器件的结构和方法。

公开(公告)号：CN102403302B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201010610681.5

申请日：2010-12-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑光茗 ,  余俊磊 ,  蔡俊琳 ,  段孝勤 ,  亚历克斯·卡尔尼茨基

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/085 ,  H01L21/8232

CPC classification number: H01L27/0617 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/085 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在Si基板上形成SiC结晶的机构实现了在同一基板上形成和集成GaN基器件和Si基器件。通过向Si基板区域中注入碳和随后退火基板形成SiC结晶区域。在SiC结晶区域形成过程中使用注入停止层以覆盖Si器件区域。