公开(公告)号：CN111417696B

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN201880077128.4

申请日：2018-11-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 盛田浩介 ,  北山和宽

IPC: C09K3/10 ,  C08G59/14

Abstract: 提供被成形为片状的形状的密封剂片。上述密封剂片含有含环氧基的多硫化物。上述含环氧基的多硫化物在分子内具有二硫化物结构和环氧基。

公开(公告)号：CN112368354A

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201980043243.4

申请日：2019-06-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 盛田浩介

IPC: C09K3/10

Abstract: 提供一种密封剂片，其成形为片形状。上述密封剂片包含以下成分：一分子中具有2个以上环氧基的含环氧基的多硫化物聚合物(AB)、一分子中具有2个以上硫醇基的硫醇化合物(C)。对于上述密封剂片，该密封剂片中包含的有机成分中的硫原子的重量分率为32.0％以上且36.0％以下。

公开(公告)号：CN105874582B

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201480069830.8

申请日：2014-12-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 饭野智绘 ,  石坂刚 ,  盛田浩介 ,  志贺豪士

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/14 ,  H01L23/32 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L21/568 ,  C09J7/25 ,  C09J7/40 ,  C09J7/401 ,  C09J163/00 ,  C09J183/04 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/12 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/32 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

Abstract: 本发明提供一种双面带有隔片的密封用片，其具备密封用片、层叠于密封用片的一个面的隔片A、和层叠于密封用片的另一个面的隔片B，在将密封用片与隔片A之间的剥离力设为F1，将密封用片与隔片B之间的剥离力设为F2，将除去密封用片以外的厚度设为t，将密封用片的面积设为A时，它们满足特定的关系。

公开(公告)号：CN105555848B

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201480051887.5

申请日：2014-09-09

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 盛田浩介 ,  石坂刚 ,  丰田英志 ,  志贺豪士 ,  饭野智绘 ,  石井淳

IPC: C08J5/18 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供可降低热固化性树脂片的体积收缩所致的翘曲变形、并且可靠性和保存性优异的半导体芯片密封用热固化性树脂片及半导体封装体的制造方法。本发明涉及一种半导体芯片密封用热固化性树脂片，其活化能(Ea)满足下述式(1)，且在150℃热固化处理1小时后的热固化物的玻璃化转变温度为125℃以上，上述热固化物在上述玻璃化转变温度以下的温度下的热膨胀系数α[ppm/K]及上述热固化物在25℃时的储藏弹性模量E’[GPa]满足下述式(2)。30≤Ea≤120[kJ/mol]···(1)10000≤α×E’≤300000[Pa/K]···(2)

公开(公告)号：CN105874583A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201480070338.2

申请日：2014-12-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 志贺豪士 ,  石坂刚 ,  盛田浩介 ,  饭野智绘

IPC: H01L21/56 ,  C09K3/10 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/96 ,  B29C65/02 ,  B29K2667/003 ,  B29L2031/3481 ,  B32B3/08 ,  B32B5/18 ,  B32B5/20 ,  B32B7/10 ,  B32B7/12 ,  B32B15/046 ,  B32B15/06 ,  B32B25/08 ,  B32B25/12 ,  B32B27/065 ,  B32B27/08 ,  B32B27/26 ,  B32B27/36 ,  B32B27/38 ,  B32B27/42 ,  B32B37/06 ,  B32B37/182 ,  B32B37/185 ,  B32B37/187 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/26 ,  B32B2307/20 ,  B32B2307/51 ,  B32B2307/536 ,  B32B2309/02 ,  B32B2309/04 ,  B32B2309/105 ,  B32B2367/00 ,  B32B2457/14 ,  C08J5/18 ,  C08J2363/02 ,  C08J2433/10 ,  C08J2461/06 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电子部件装置的制造方法，包括：工序A，准备将电子部件固定在支撑体上的层叠体；工序B，准备电子部件密封用片；工序C，在电子部件上配置电子部件密封用片；工序D，对电子部件密封用片进行升温直至电子部件密封用片在探针初粘试验中的探针初粘力达到10gf以上为止，将电子部件密封用片临时固定于电子部件；和工序E，将电子部件埋入所述电子部件密封用片，形成电子部件被埋入电子部件密封用片的密封体。

公开(公告)号：CN105849880A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480070975.X

申请日：2014-12-22

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 志贺豪士 ,  盛田浩介 ,  石坂刚 ,  饭野智绘 ,  石井淳

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/12 ,  H01L23/3128 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供可制造空隙少的半导体装置的半导体装置的制造方法。一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：层叠体具备芯片安装基板、在芯片安装基板上配置的热固性树脂片、以及具备与热固性树脂片接触的中央部和在中央部的周边配置的周边部的膜，将层叠体的周边部按压于与芯片安装基板接触的载台，由此形成具备载台和膜的密闭容器的工序；和使密闭容器的外部的压力高于密闭容器的内部的压力，由此利用热固性树脂片覆盖半导体芯片，并且在基板与半导体芯片的间隙中填充热固性树脂片的工序。

公开(公告)号：CN105745750A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201480063321.4

申请日：2014-10-31

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 志贺豪士 ,  石坂刚 ,  盛田浩介 ,  饭野智绘

IPC: H01L23/29 ,  C09J7/02 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/568 ,  C09J7/10 ,  C09J7/40 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种双面带有隔片的密封用片，其具备密封用片、层叠于密封用片的一个面的厚50μm以上的隔片A、和层叠于密封用片的另一个面的隔片B。

公开(公告)号：CN105264652A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201480031893.4

申请日：2014-05-01

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 花园博行 ,  高本尚英 ,  盛田浩介 ,  福井章洋

IPC: H01L21/60 ,  C08K3/00 ,  C08L79/08 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/10 ,  C09J7/22 ,  C09J7/35 ,  C09J7/38 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2463/00 ,  C09J2479/08 ,  H01L21/563 ,  H01L23/293 ,  H01L24/14 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

Abstract: 本发明的片状树脂组合物是在粘附物与倒装连接在粘附物上的半导体元件的界面密封中所用的片状树脂组合物，以10℃/min的升温速度从25℃升温到300℃时的重量减少率为2％以下，基于卡尔费休法的吸湿率为1％以下，相对于片状树脂组合物整体在1重量％以上且10重量％以下的范围内含有酸解离常数处于3.0以上且5.0以下的范围内的有机酸。

公开(公告)号：CN105074894A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480018205.0

申请日：2014-03-19

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 盛田浩介 ,  高本尚英

IPC: H01L21/60 ,  B32B7/04 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/83 ,  B32B5/02 ,  B32B5/24 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B9/005 ,  B32B9/04 ,  B32B9/045 ,  B32B15/04 ,  B32B15/08 ,  B32B23/08 ,  B32B27/08 ,  B32B27/10 ,  B32B27/12 ,  B32B27/16 ,  B32B27/18 ,  B32B27/20 ,  B32B27/281 ,  B32B27/283 ,  B32B27/286 ,  B32B27/304 ,  B32B27/306 ,  B32B27/308 ,  B32B27/32 ,  B32B27/322 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B27/38 ,  B32B27/40 ,  B32B29/002 ,  B32B29/005 ,  B32B29/02 ,  B32B29/06 ,  B32B2255/02 ,  B32B2255/06 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/12 ,  B32B2255/205 ,  B32B2262/101 ,  B32B2307/50 ,  B32B2307/514 ,  B32B2307/748 ,  B32B2405/00 ,  B32B2457/00 ,  B32B2457/08 ,  H01L21/563 ,  H01L23/295 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2744 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/095

Abstract: 本发明提供可通过对半导体元件或被粘物的凹凸的良好的埋入性而抑制空隙的产生并且在粘贴于被粘物的前后作业性良好的密封片材及使用其的半导体装置的制造方法、以及贴合有该密封片材的基板。本发明的密封片材具备基材、及设置于该基材上的具有以下特性的底部填充材料。自上述基材的90°剥离力：1mN/20mm以上且50mN/20mm以下25℃下的断裂延伸率：10％以上40℃以上且低于100℃的最低粘度：20000Pa·s以下100℃以上且200℃以下的最低粘度：100Pa·s以上。

公开(公告)号：CN103165474A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210536892.8

申请日：2012-12-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 盛田浩介 ,  高本尚英 ,  千岁裕之

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/54

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/2783 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/3641 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供能够抑制在半导体元件与底层填充片的界面中产生空隙而制造可靠性高的半导体装置的半导体装置的制造方法。本发明是具备被粘附体、与该被粘附体电连接的半导体元件、和将该被粘附体与该半导体元件之间的空间填充的底层填充材料的半导体装置的制造方法，其包括：准备具备支承材和层叠于该支承材上的底层填充材料的密封片的准备工序，使半导体晶片的形成有连接构件的电路面与上述密封片的底层填充材料在10000Pa以下的减压气氛、0.2MPa以上的按压、和40℃以上的热压接温度的条件下热压接的热压接工序，将上述半导体晶片切割而形成带有上述底层填充材料的半导体元件的切割工序，和用上述底层填充材料将上述被粘附体与上述半导体元件之间的空间填充并且经由上述连接构件将上述半导体元件与上述被粘附体电连接的连接工序。