公开(公告)号：CN101005195A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200610121484.0

申请日：2006-08-24

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李俊昊 ,  金泽 ,  李商文

IPC分类号： H01S5/183 ,  H01S5/024 ,  H01S5/04

CPC分类号： H01S5/18383 ,  H01S3/08072 ,  H01S3/109 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/024 ,  H01S5/041 ,  H01S5/141 ,  H01S5/18305

摘要： 本发明提供了一种端泵垂直外腔面发射激光器(VECSEL)。该VECSEL包括：散热器，用于透射外部发射的预定波长的泵浦光束和消散产生的热量；激光器芯片，设置在散热器上，并且由泵浦光束激发而发射第一波长的光束；倍频发生(SHG)晶体，其设置在激光器芯片上，并且将从激光器芯片发出的第一波长的激光束转换成具有第二波长的激光束，其为第一波长的一半；和平面外腔，其直接形成在SHG晶体上，并且对第二波长的光束有预定的透射率。

公开(公告)号：CN1934719A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580008612.4

申请日：2005-11-04

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 梁承铉

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/30

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02436 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/34346 ,  H01S5/34386 ,  H01S2301/04

摘要： 提供一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，该氮化物半导体发光器件包括：第一氮化物半导体层；激发层，形成在第一氮化物半导体层上并包括在高温氢气氛下生长的至少一个阻挡层；和形成在激发层上的第二氮化物半导体层。根据该氮化物半导体发光器件及其制造方法，发光器件的光功率得到提高并且运行可靠性得到增强。

公开(公告)号：CN1933105A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610159297.1

申请日：2002-10-03

申请人： 住友电气工业株式会社 ,  索尼株式会社

发明人： 朝妻庸纪 ,  冨谷茂隆 ,  玉村好司 ,  东条刚 ,  后藤修 ,  元木健作

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01L29/30 ,  H01S5/323 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

CPC分类号： C30B25/02 ,  B82Y20/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4031 ,  H01S2301/173

摘要： 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III－V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III－V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III－V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。

公开(公告)号：CN1791966A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200480013908.0

申请日：2004-05-18

申请人： 卢米洛格股份有限公司

发明人： B·博蒙 ,  J-P·福里 ,  P·吉巴尔特

IPC分类号： H01L21/20 ,  C30B29/40 ,  H01S5/00

CPC分类号： H01L21/02505 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/12

摘要： 使用多个步骤通过外延横向过生长来生长氮化镓衬底。在具有开口区的被掩盖衬底上，选择性生长产生了第一三角形条纹，其中大多数螺位错弯曲了90°。在第二步骤中，改变生长条件以提高横向生长速率并产生平坦的(0001)表面。在该阶段，表面上的位错密度＜5×107cm－2。位错主要位于一起夹断的两个横向生长面之间的聚合区。为了进一步降低位错密度，完成第二掩盖步骤，开口正好位于第一开口上方。聚合区的螺位错(TDs)不在顶层扩展。因此在整个表面上位错密度降到＜1×107cm－2之下。

公开(公告)号：CN1582520A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN02822141.9

申请日：2002-10-03

申请人： 住友电气工业株式会社 ,  索尼株式会社

发明人： 朝妻庸纪 ,  冨谷茂隆 ,  玉村好司 ,  东条刚 ,  后藤修 ,  元木健作

IPC分类号： H01S5/343 ,  H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC分类号： C30B25/02 ,  B82Y20/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4031 ,  H01S2301/173

摘要： 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III－V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III－V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III－V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。

公开(公告)号：CN1178303C

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN00121630.9

申请日：2000-07-21

申请人： 索尼株式会社

发明人： 河合弘治

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00 ,  C30B29/38

CPC分类号： H01L21/0237 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/0265 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/32341

摘要： 在中间夹有由AIN组成的分隔层和由GaN组成的缓冲层的由蓝宝石组成的基底衬底上，生长了由GaN组成的半导体晶体层。分隔层和缓冲层被分布成线形形式，而腐蚀剂的流通孔被制作在中间夹有由SiO2组成的抗生长膜的这些层的侧面中。于是，腐蚀剂流过流通孔，抗生长膜和分隔层被腐蚀，而基底衬底被容易地隔离。

公开(公告)号：CN1457539A

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN02800544.9

申请日：2002-02-28

申请人： 索尼株式会社

发明人： 山口恭司 ,  小林高志 ,  小林俊雅 ,  喜岛悟 ,  富冈聪 ,  安斋信一 ,  东条刚

IPC分类号： H01S5/22

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

摘要： 氮基半导体激光器件(10)具有一种依次堆叠放置的第一接触层(14)，第一包覆层(16)，有源层(20)，第二包覆层(24)，第二接触层(26)和第二电极(30)的结构。第二包覆层(24)包括一个下层(24A)和上层(24B)，第一包覆层(14)，有源层(20)和第二包覆层的下层(24A)具有台面结构，第二包覆层的上层(24B)和第二接触层(26)具有脊形结构。在对应于台面结构的顶表面的第二包覆层的下层的一部分上形成绝缘层(40)，绝缘层(40)至少部分覆盖第二包覆层的上层(24B)的对侧面，另外，从绝缘层(40)的顶表面到第二电极(30)的顶表面上形成金属层(42)，金属层(42)具有和台面结构基本相同的宽度。

公开(公告)号：CN105122472B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201480022502.2

申请日：2014-03-19

申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

发明人： 安德烈亚什·普洛索

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/02 ,  B23K26/00 ,  B23K26/40 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/007 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/16 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0033 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/343

摘要： 在至少一个实施方式中，提出一种用于制造光电子半导体芯片(10)的方法，所述方法包括下述步骤：A)提供载体复合件(11)，所述载体复合件是蓝宝石晶片；B)将半导体层序列(2)施加到载体复合件(11)上；以及C)将载体复合件(11)和半导体层序列(2)分成各个半导体芯片(10)。在此，步骤C)包括：D)在载体复合件(11)中在分离区域(S)中通过聚焦的、脉冲的激光辐射(L)分别产生多个能选择性刻蚀的材料改变部，其中激光辐射(L)具有下述波长，在所述波长下，载体复合件(11)是透明的；以及E)将材料改变部湿化学地刻蚀，使得载体复合件(11)仅通过湿化学的刻蚀或以与其他的材料去除法组合的方式分割成用于半导体芯片(2)的各个载体(1)。

公开(公告)号：CN104148816B

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201410192756.0

申请日：2014-05-08

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 武田昇 ,  森数洋司

IPC分类号： B23K26/53 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/064

CPC分类号： H01S3/10 ,  H01L21/00 ,  H01L21/78 ,  H01L23/00 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/32341 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种激光加工方法，能够沿分割预定线将单晶基板高效率地分割成一个个芯片，并且不会降低芯片的品质。该激光加工方法是向单晶基板照射脉冲激光光线来实施加工的方法，其包括以下工序：数值孔径设定工序，设定对脉冲激光光线进行聚光的聚光镜的数值孔径(NA)，使得聚光镜的数值孔径(NA)除以单晶基板的折射率(n)所得到的值在0.05～0.2的范围以内；定位工序，对聚光镜和单晶基板相对地在光轴方向上进行定位，使得脉冲激光光线的聚光点被定位在单晶基板的厚度方向上的期望位置；以及遮护隧洞形成工序，照射脉冲激光光线，使细孔和遮护细孔的非晶质在定位于单晶基板的聚光点与照射了脉冲激光光线的一侧之间生长，形成遮护隧洞。

公开(公告)号：CN104184043A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201310637389.6

申请日：2013-12-03

申请人： LSI公司

发明人： J·M·弗罗因德

IPC分类号： H01S5/02 ,  H01L33/58

CPC分类号： H01L33/58 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L2933/0058 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/18388

摘要： 本公开涉及具有形成于器件的基板的空腔内的透镜结构的半导体光发射器件。一种半导体光发射器件包括：至少部分透明的基板，排布于基板的第一侧面上的有源半导体结构，以及至少部分地形成于基板的第二侧面上的空腔内的透镜结构。由有源半导体结构产生的光被发射穿过基板和透镜结构。空腔可以包括底表面和多个侧壁，该多个侧壁从该底表面向上延伸到基板的第二侧面的上表面，尽管众多别的空腔形状也是可能的。底表面可以是凸面或凹面。底表面和多个侧壁可以形成球面的一部分，该球面具有与基板的第二侧面的上表面平行的平面。