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公开(公告)号：CN105470188B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201510624839.7
申请日：2015-09-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J7/10 , C09J7/30 , C09J183/04
Abstract: 本发明提供一种对于超过300℃的高温热工序具有耐受性且容易进行暂时粘着及剥离的晶片加工用暂时粘着材料、以及可以提高薄型晶片的生产性的晶片加工体。为此，本发明提供一种晶片加工体，其是在支撑体上形成暂时粘着材料层，且将晶片积层在暂时粘着材料层上而成，晶片的表面具有电路面且背面需要加工，并且，粘着材料层是具有以下的两层结构的复合暂时粘着材料层：第一暂时粘着层，是由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)构成，且是以能够剥离的方式积层于晶片的表面；以及，第二暂时粘着层，是由热固化性硅氧烷改性聚合物层(B)构成，且是以能够剥离的方式积层于第一暂时粘着层，并且以能够剥离的方式积层于支撑体上。
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公开(公告)号：CN110556329A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910477503.0
申请日：2019-06-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/683 , C08G77/44
Abstract: 本发明提供使用了用于将应加工背面的基板临时粘合至支撑体的基板加工用临时粘合膜的薄型基板的制造方法，其特征在于，所述临时粘合膜含有重均分子量为3,000～500,000的含硅氧烷键聚合物10质量％以上100质量％以下，其同时包括：(a)在基板的不是应加工面的表面或支撑体的至少任意一个面上层压所述临时粘合膜的工序；(b)在减压下进行接合的工序；(c)进行磨削或研磨来处理基板的工序；(d)使用酸或碱处理基板的工序；(e)实施其他加工的工序；(f)将实施了加工的基板从支撑体剥离的工序；(g)清洗基板的工序。由此，提供基板与支撑体的临时粘合容易且可酸、碱处理，与支撑体的剥离也容易的薄型基板的制造方法。
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公开(公告)号：CN110176432A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910491197.6
申请日：2015-03-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L23/12 , H01L23/538 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/768 , H01L25/03 , H01L25/065 , H01L25/10 , H01L21/02 , H01L21/48 , H01L21/56 , B23K1/00 , B29C70/78 , B29C70/88 , C23C14/04 , C23C14/34 , C23C14/58 , C25D3/60 , C25D5/02 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D5/54 , C25D7/00 , C25D7/12 , H05K1/11 , H05K3/28 , H05K3/34 , H05K3/40
Abstract: 本发明是一种半导体装置，其具有半导体元件和与半导体元件电连接的半导体元件上金属焊盘和金属配线，金属配线与贯穿电极和焊料凸块电连接，其中，所述半导体装置，具有载置有半导体元件的第一绝缘层、形成于半导体元件上的第二绝缘层以及形成于第二绝缘层上的第三绝缘层；金属配线，在第二绝缘层的上表面，通过半导体元件上金属焊盘而与半导体元件电连接，并且自第二绝缘层的上表面贯穿第二绝缘层并在第二绝缘层的下表面与贯穿电极电连接；并且，在第一绝缘层与半导体元件之间配置有半导体元件下金属配线，半导体元件下金属配线，在第二绝缘层的下表面与金属配线电连接。据此，提供一种半导体装置，容易载置于配线基板上和积层半导体装置，即便在金属配线的密度较大的情况下，也可以抑制半导体装置翘曲。
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公开(公告)号：CN105273643B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201510315612.4
申请日：2015-06-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09J7/10 , C09J7/30 , C09J183/10 , H01L21/68
CPC classification number: C09J183/14 , C08G77/442 , C09J5/04 , C09J5/06 , C09J7/00 , C09J7/10 , C09J125/08 , C09J153/005 , C09J153/025 , C09J183/10 , C09J2201/134 , C09J2203/326 , C09J2425/00 , C09J2453/003 , C09J2483/00 , H01L21/187 , H01L21/304 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , Y02P20/582 , Y10T428/2848 , Y10T428/287 , Y10T428/2874 , Y10T428/2878
Abstract: 本发明的目的是提供一种晶片加工用暂时粘着材料、晶片加工体及使用这些的薄型晶片的制造方法，晶片加工用暂时粘着材料能够较容易将具有电路的晶片与支撑基板暂时粘着，且对于硅通孔形成步骤、晶片背面配线步骤的步骤适应性较高，且还易于剥离，能够提高薄型晶片的生产性。本发明提供一种晶片加工用暂时粘着材料，用于将晶片与支撑基板暂时性地粘着，晶片的表面具有电路且背面需要加工，其具备第一暂时粘着层及第二暂时粘着层；第一暂时粘着层以能够剥离的方式粘着于晶片的表面，且是由热塑性硅酮改性苯乙烯类弹性体层(A)组成；第二暂时粘着层是层压于第一暂时粘着层，并且以能够剥离的方式粘着于支撑基板，且是由热固化性聚合物层(B)组成。
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公开(公告)号：CN107919314A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710940342.5
申请日：2017-10-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J161/12 , C09J183/06
CPC classification number: H01L24/04 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B15/08 , B32B17/064 , B32B27/08 , B32B27/18 , B32B27/20 , B32B27/24 , B32B27/26 , B32B27/28 , B32B27/283 , B32B37/02 , B32B37/12 , B32B38/10 , B32B2037/0092 , B32B2037/1253 , B32B2037/1269 , B32B2038/0016 , B32B2250/03 , B32B2250/04 , B32B2250/05 , B32B2270/00 , B32B2307/40 , B32B2307/412 , B32B2307/414 , B32B2457/00 , B32B2457/08 , B32B2457/12 , B32B2457/14 , C08G77/50 , C08G77/52 , C08G77/70 , C08G77/80 , C09J163/00 , C09J183/10 , H01L21/6836 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , C09J161/12 , C09J183/06 , H01L2221/68327 , C08L83/06 , C08L61/12
Abstract: 本文公开了适合于制备薄晶片的晶片层合体和用于制备晶片层合体的方法。可以容易地通过载体和晶片之间的结合形成晶片层合体并且其可以容易地彼此分离。其促进了薄晶片的生产率。晶片层合体包括载体、在载体上形成的粘合剂层和在粘合剂层上以使得具有电路表面的晶片的表面朝向粘合剂层的方式层合的晶片，其中粘合剂层为由树脂A和树脂B组成的粘合剂组合物的固化产物，树脂A具有光阻隔效果和树脂B具有硅氧烷骨架。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107039239A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611069822.0
申请日：2016-11-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/6836 , C08G77/04 , C08G77/455 , C08G77/52 , C09J183/04 , C09J183/10 , C09J183/14 , H01L21/304 , H01L21/6835 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L21/02008 , H01L21/02013 , H01L21/02016 , H01L21/568
Abstract: 本发明提供一种晶片加工体，其材料选择范围广，将加工后的晶片分离、取出的步骤简单，能满足各种工序上的要求，并可提高薄型晶片的生产率。为此，提供一种在支撑体上积层有暂时粘合材料层，在所述暂时粘合材料层上积层有表面具有电路面且需加工背面的晶片加工体，其特征在于，所述暂时粘合材料层包括：第一暂时粘合层，由积层于所述晶片的表面上的热塑性树脂层(A)构成；以及，第二暂时粘合层，由积层于该第一暂时粘合层上的热固化性树脂层(B)构成；其中，所述热塑性树脂层(A)在晶片加工后可溶于洗涤溶剂(D)，所述热固化性树脂层(B)在热固化后不溶于所述洗涤溶剂(D)但会吸收所述洗涤溶剂(D)而所述洗涤溶剂(D)发生渗透。
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公开(公告)号：CN106415823A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580018117.5
申请日：2015-03-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L23/12 , C25D5/02 , C25D7/00 , H01L21/312 , H01L23/52 , H01L25/10 , H01L25/11 , H01L25/18 , H05K1/11 , H05K3/00 , H05K3/28 , H05K3/40
CPC classification number: H01L23/562 , C08G59/3281 , C08G77/52 , C08L83/14 , C09D163/00 , C09D183/14 , C23C14/00 , C23C14/042 , C23C14/34 , C25D5/022 , C25D5/505 , C25D7/00 , C25D7/123 , G03F7/0035 , G03F7/0757 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/12 , H01L23/3114 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/52 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/03 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/19 , H01L2224/24226 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/82005 , H01L2224/8203 , H01L2224/92125 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L2225/06582 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/3511 , H05K1/185 , H05K2201/10515 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/01047 , H01L2924/00 , H01L2224/83005
Abstract: 本发明是一种半导体装置，其具有半导体元件以及与半导体元件电连接的半导体元件上金属焊盘和金属配线，金属配线与贯穿电极和焊料凸块电连接，其中，所述半导体装置，具有载置有半导体元件的第一绝缘层、形成于半导体元件上的第二绝缘层以及形成于第二绝缘层上的第三绝缘层；金属配线，在第二绝缘层的上表面，通过半导体元件上金属焊盘而与半导体元件电连接，且自第二绝缘层的上表面贯穿第二绝缘层并在第二绝缘层的下表面与贯穿电极电连接。据此，提供一种半导体装置，容易载置于配线基板上和积层半导体装置，即便在金属配线的密度较大的情况下，也可以抑制半导体装置翘曲。
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公开(公告)号：CN105470188A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510624839.7
申请日：2015-09-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/683 , C09J7/02 , C09J183/04
Abstract: 本发明提供一种对于超过300℃的高温热工序具有耐受性且容易进行暂时粘着及剥离的晶片加工用暂时粘着材料、以及可以提高薄型晶片的生产性的晶片加工体。为此，本发明提供一种晶片加工体，其是在支撑体上形成暂时粘着材料层，且将晶片积层在暂时粘着材料层上而成，晶片的表面具有电路面且背面需要加工，并且，粘着材料层是具有以下的两层结构的复合暂时粘着材料层：第一暂时粘着层，是由膜厚不足100nm的热塑性有机聚硅氧烷聚合物层(A)构成，且是以能够剥离的方式积层于晶片的表面；以及，第二暂时粘着层，是由热固化性硅氧烷改性聚合物层(B)构成，且是以能够剥离的方式积层于第一暂时粘着层，并且以能够剥离的方式积层于支撑体上。
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公开(公告)号：CN105273643A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510315612.4
申请日：2015-06-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09J7/00 , C09J153/02 , H01L21/68
CPC classification number: C09J183/14 , C08G77/442 , C09J5/04 , C09J5/06 , C09J7/00 , C09J7/10 , C09J125/08 , C09J153/005 , C09J153/025 , C09J183/10 , C09J2201/134 , C09J2203/326 , C09J2425/00 , C09J2453/003 , C09J2483/00 , H01L21/187 , H01L21/304 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , Y02P20/582 , Y10T428/2848 , Y10T428/287 , Y10T428/2874 , Y10T428/2878
Abstract: 本发明的目的是提供一种晶片加工用暂时粘着材料、晶片加工体及使用这些的薄型晶片的制造方法，晶片加工用暂时粘着材料能够较容易将具有电路的晶片与支撑基板暂时粘着，且对于硅通孔形成步骤、晶片背面配线步骤的步骤适应性较高，且还易于剥离，能够提高薄型晶片的生产性。本发明提供一种晶片加工用暂时粘着材料，用于将晶片与支撑基板暂时性地粘着，晶片的表面具有电路且背面需要加工，其具备第一暂时粘着层及第二暂时粘着层；第一暂时粘着层以能够剥离的方式粘着于晶片的表面，且是由热塑性硅酮改性苯乙烯类弹性体层(A)组成；第二暂时粘着层是层压于第一暂时粘着层，并且以能够剥离的方式粘着于支撑基板，且是由热固化性聚合物层(B)组成。
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公开(公告)号：CN101864269B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201010163171.8
申请日：2010-04-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C09J179/08 , C09J183/10 , C09J11/04 , C09J9/00 , H01L33/56
Abstract: 提供一种具有优异热传导性且对发热部件和放热部件具有优异的粘接性的电绝缘性的热传导性粘接剂。该热传导性粘接剂含有：(A)含有下述式(1)所示重复单元(式(1)中，W表示4价有机基团，X表示二价有机基团，Y表示下述式(2)所示二价聚硅氧烷残基(式(2)中，R1各自独立地表示碳原子数1～8的取代或未取代的一价烃基，R2表示自由基聚合性基团，a和b分别为1～20的整数，a+b为2～21)，0.05≤m≤0.8，0.2≤n≤0.95，m+n＝1)、且重均分子量为5,000～150,000的聚酰亚胺聚硅氧烷树脂100质量份；(B)电绝缘性的热传导性填料100～10,000质量份；以及(C)有机溶剂。[化学式1][化学式2]
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