公开(公告)号：CN108028253A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680039990.7

申请日：2016-06-03

申请人： 赛灵思公司

发明人： N·庄 ,  J·G·安 ,  P·C·叶 ,  C·W·张

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L23/522 ,  H01L49/02

CPC分类号： H01L27/0738 ,  H01L21/283 ,  H01L21/76 ,  H01L23/5228 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0629 ,  H01L28/24

摘要： 集成电路结构(100)包括：半导体衬底(102)；在半导体衬底(102)中的浅沟槽隔离(STI)区域(106)；形成在所述半导体衬底(102)上的一个或多个有源器件；以及电阻器阵列(138)，其具有设置在所述STI区域(106)上方的多个电阻器；其中所述电阻器阵列(138)包括用于互连到所述一个或多个有源器件的一个或多个互连接触层(126,136)的一部分。

公开(公告)号：CN107710414A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201780002063.2

申请日：2017-04-11

申请人： 索尼公司

发明人： 本田英之 ,  内田哲弥 ,  若野寿史 ,  田中裕介 ,  工藤义治 ,  野村宏利 ,  平野智之 ,  吉田慎一 ,  上田洋一 ,  中西康辅

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/76 ,  H04N5/359 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374

CPC分类号： H01L21/76 ,  H01L27/146 ,  H04N5/359 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374

摘要： 本公开涉及能够更可靠地分离像素的固态成像元件、固态成像元件的制造方法和电子设备。所述固态成像元件具有光电转换部、第一分离部和第二分离部。所述光电转换部对入射光进行光电转换，用于分离所述光电转换部的第一分离部形成在从第一表面侧形成的第一沟槽中，用于分离所述光电转换部的第一分离部形成在从与第一表面相对的第二表面侧形成的第二沟槽中。本公开能够适用于安装在相机等上并且拍摄被摄体的图像的固态成像元件。

公开(公告)号：CN105103284B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201380074347.4

申请日：2013-09-11

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 石井宪一 ,  中村浩

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0635 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/088 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78

摘要： 配置有IGBT的IGBT部(10)和配置有控制电路的电路部(20)被配置于同一半导体芯片上。在电路部(20)，在与IGBT部(10)的边界配置有电介质分离区(40)。在半导体芯片的正面侧的表面层，从IGBT部(10)到电路部(20)的范围内设置有p+型区域(4)。在电路部(20)，在与IGBT部(10)的边界，以从芯片正面贯通p+型区域(4)而到达n‑型漂移区(3)的深度设置有电介质分离层(5)，并构成电介质分离区(40)。p+型区域(4)通过电介质分离层(5)被分离为IGBT部(10)侧的第一p+型区域(4‑1)和电路部(20)侧的第二p+型区域(4‑2)。第一p+型区域(4‑1)、第二p+型区域(4‑2)成为接地电位。由此，能够实现电路整体的小型化以及低成本。

公开(公告)号：CN104517891B

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201410065638.3

申请日：2014-02-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡俊雄 ,  薛森鸿 ,  方子韦

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76237 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76205 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/1087 ,  H01L29/7846

摘要： 本发明为形成沟槽结构的方法，包括形成一种填充有可流动介电层的浅沟槽隔离（STI）结构，包括实施注入，以在可流动介电层的上部生成通道。该通道使热退火中的氧源能够在将可流动介电层的SiONH网状物转变为SiOH和SiO的网状物的热退火期间到达STI结构的底部附近的可流动介电层。该通道还有助于在用于将SiOH和SiO的网状物转变为SiO2的另一热退火期间，提供用于生成的副产物离开的路径。

公开(公告)号：CN104425460B

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201410367999.3

申请日：2014-07-30

申请人： 恩智浦有限公司

发明人： 帕特里斯·加芒 ,  奥利弗·泰森

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/64

CPC分类号： H01L21/76 ,  H01L23/552 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L24/16 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/15311 ,  H01Q1/48 ,  H01Q1/521 ,  H05K1/0225

摘要： 本发明提供了一种用于封装设备的集成电路。电路包括：具有第一和第二电磁辐射元件的电路，第一和第二电磁辐射元件制造在芯片上；封装衬底包括上表面和下表面；在封装衬底的下表面上提供的接地层，接地层适于连接至印刷电路板的接地面。芯片设置在封装衬底的上表面上。接地层包括空隙，布置至少一部分空隙以便使第一电磁辐射元件和第二电磁辐射元件至少部分电磁隔离。

公开(公告)号：CN103794649B

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201310527101.X

申请日：2013-10-31

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： A.迈泽尔 ,  M.佩尔茨尔 ,  T.施勒泽

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/283 ,  H01L21/76 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

摘要： 本发明涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件被至少部分地形成在半导体衬底中，该衬底包括第一和第二相对主表面。该半导体器件包括单元场部分和接触区域，该接触区域被电耦合到该单元场部分，该单元场部分包括至少晶体管。该接触区域包括：与其它衬底部分绝缘且包括半导体衬底的一部分的连接衬底部分；与第二主表面邻近且与连接衬底部分接触的电极；和在第一主表面上设置的金属层，连接衬底部分被电耦合到金属层以在电极和金属层之间形成欧姆接触。连接衬底部分未通过在第一和第二主表面之间设置的导电材料而被电耦合到单元场部分的部件。

公开(公告)号：CN106409909A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610617613.9

申请日：2016-07-29

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金元洪 ,  俞东洙 ,  李民主 ,  宋文均 ,  崔戍侦

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/823431 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/76 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/785

摘要： 本公开涉及制造集成电路器件的方法。一种集成电路器件可以包括覆盖鳍形有源区的顶表面和彼此对立的侧壁的栅绝缘层、覆盖栅绝缘层的栅电极、以及沿鳍形有源区和栅绝缘层之间的界面设置的氢原子层。一种制造集成电路器件的方法可以包括：形成覆盖初步鳍形有源区的下部的绝缘层；通过在氢气氛中退火初步鳍形有源区的上部形成鳍形有源区，该鳍形有源区具有平滑度增大的外表面；以及形成覆盖鳍形有源区的外表面的氢原子层。栅绝缘层和栅电极可以被形成为覆盖鳍形有源区的顶表面和彼此对立的侧壁。

公开(公告)号：CN106298627A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510259140.5

申请日：2015-05-20

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 朱继光 ,  李海艇

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/30625

摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。包括：提供第一衬底，从第一衬底的第一表面形成位于第一衬底内的深沟槽隔离结构；在第一表面一侧的第一衬底上形成至少一个前端器件，形成覆盖第一表面的第一介电盖帽层以及位于第一介电盖帽层内的互连结构；提供承载衬底，将第一衬底的形成有第一介电盖帽层的一侧与承载衬底相接合；从与第一表面相对的第二表面对第一衬底进行减薄，停止于深沟槽隔离结构内；在第一衬底的第二表面上形成第二介电盖帽层，形成至少一个硅通孔。本发明的方法采用更简单和成熟的制作工艺实现了对体硅衬底的加工而获得与使用SOI衬底基本相同的器件结构，可以降低成本。

公开(公告)号：CN105870168A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610209964.6

申请日：2010-11-18

申请人： 英特尔公司

发明人： R.皮拉里塞蒂 ,  J.T.卡瓦列罗斯 ,  W.雷奇马迪 ,  U.沙 ,  B.楚-孔 ,  M.拉多沙夫耶维奇 ,  N.穆克赫吉 ,  G.德维 ,  B.Y.金 ,  R.S.乔

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/267 ,  H01L29/775 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/165 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/76 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/122 ,  H01L29/155 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

摘要： 公开用于形成非平面锗量子阱结构的技术。具体来说，量子阱结构能够采用IV或III?V族半导体材料来实现，并且包括锗鳍式结构。在一个示例情况下，提供一种非平面量子阱装置，该装置包括具有衬底(例如硅上的SiGe或GaAs缓冲部分)、IV或III?V材料势垒层(例如SiGe或GaAs或AlGaAs)、掺杂层(例如δ掺杂/调制掺杂)和未掺杂锗量子阱层的量子阱结构。未掺杂锗鳍式结构在量子阱结构中形成，并且顶部势垒层在鳍式结构之上沉积。栅金属能够跨鳍式结构来沉积。漏区/源区能够在鳍式结构的相应端部形成。

公开(公告)号：CN105789172A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610015211.1

申请日：2016-01-11

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 姚皓然 ,  温英男 ,  刘建宏 ,  李士仪

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/5226 ,  G06K9/0002 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5283 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/49827 ,  H01L21/486

摘要： 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含：一晶片，具有一导电垫、以及相对的一第一表面与一第二表面，其中导电垫位于第一表面；一第一穿孔，自第二表面朝第一表面延伸，并暴露导电垫；一导电结构，位于第二表面上与第一穿孔中，并接触导电垫，导电结构包含一第二导电层与一激光阻挡部分；一第一绝缘层，位于第二表面上并覆盖导电结构，其中第一绝缘层具有相对于第二表面的一第三表面；一第二穿孔，自第三表面朝第二表面延伸，并暴露激光阻挡部分；一第一导电层，位于第三表面上与第二穿孔中，并接触激光阻挡部分。本发明不仅可省略化学气相沉积与图案化第一绝缘层的制程，还可节省制程时间与机台成本，且可提升侦测时的准确度。