公开(公告)号：CN102448692A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200980156945.X

申请日：2009-05-08

Applicant: 伊利诺伊大学评议会

Inventor： W·P·金 ,  安德鲁·H·坎农

IPC: B29C33/40

CPC classification number: B29C33/3857 ,  B29C33/306 ,  B29C33/3878 ,  B29C33/3885 ,  B29C33/3892 ,  B29C33/405 ,  B29C33/42 ,  B29C33/424 ,  B29C45/2673 ,  B29C2033/426 ,  B29C2043/025 ,  B29C2059/023 ,  B29D30/72 ,  B29D2030/0612 ,  B29D2030/0616 ,  B29D2030/726 ,  B29L2030/002 ,  B29L2030/007 ,  B29L2031/756 ,  B60C11/00 ,  B60C13/001

Abstract: 本文描述的是用于制造微结构物体的铸造和模塑方法。通过在物体表面上包含多个微观特征，可使物体具有其它特性，如增强的疏水性。本文所述的一些铸造和模塑方法还能够制造同时具有微观特征和宏观特征的物体，例如微观特征处于宏观特征或所选择的宏观特征区域之上或之中。

公开(公告)号：CN101427182B

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200580013574.1

申请日：2005-04-27

Applicant: 伊利诺伊大学评议会

Inventor： J·A·罗杰斯 ,  E·梅纳德

IPC: G03F7/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C04B24/383 ,  C04B28/14 ,  C04B2111/00181 ,  G03F7/0002

Abstract: 本发明提供用于在基片表面上制作图案，特别是包含下述结构的图案的方法、设备和设备部件，所述结构在一维、二维或三维上具有所选定的长度为微米级和/或纳米级的零部件。本发明提供包含多个聚合物层的复合构图设备，用以在多种基片表面和表面形态上形成高分辨率图案，所述聚合物层各自具有选定的机械性能—例如杨氏模量和抗弯刚度，选定的物理尺寸—例如厚度、表面积和凸起图案的尺寸，以及选定的热性能—例如热膨胀系数。

公开(公告)号：CN102176465A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110077508.8

申请日：2006-06-01

Applicant: 伊利诺伊大学评议会

Inventor： R·G·纳佐 ,  J·A·罗杰斯 ,  E·梅纳德 ,  李建宰 ,  姜达荣 ,  孙玉刚 ,  M·梅尔特 ,  朱正涛 ,  高興助 ,  S·麦克

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L21/302 ,  H01L21/20 ,  H01L21/58 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种高产率的用于加工、转移以及组装具有所选择的物理尺寸、形状、成分以及空间取向的高品质可印刷半导体元件的途径。本发明的成分以及方法提供了将微小尺寸和/或纳米尺寸的半导体结构阵列高精度配准转移和集成到基片上，所述基片包括大面积基片和/或柔性基片。此外，本发明提供了从诸如体硅晶片的低成本体材料以及智能材料处理策略来制备可印刷半导体元件的方法，该智能材料处理策略实现了一种用于制备宽范围功能半导体设备的多用途的、以及具有商业吸引力的基于印刷的制造平台。

公开(公告)号：CN1890603B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200480035731.4

申请日：2004-12-01

Applicant: 伊利诺伊大学评议会

Inventor： J·A·罗杰斯 ,  S·全 ,  J·朴

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: B81C99/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/50 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/703 ,  G03F7/7035 ,  G03F7/70408 ,  Y10S430/146

Abstract: 本发明提供用于在基片表面上制造3D结构和3D结构图案的方法和装置，所述图案包括3D结构的对称和不对称图案。本发明的方法提供了制造具有精确选定的物理尺度3D结构的方法，所述物理尺度包括从几十纳米到几千纳米的横向和竖向尺度。一方面，提供了采用这样的掩模元件的方法，所述掩模元件包括能够与被光加工的辐射敏感材料建立共形接触的适合的弹性体相位掩模。另一方面，对用于光加工的电磁辐射的时间和/或空间相干性进行选择，以制造具有纳米级部件的复杂结构，所述部件不遍布于所制造的结构的整个厚度延伸。

公开(公告)号：CN102097458A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010519400.5

申请日：2005-06-02

Applicant: 伊利诺伊大学评议会

Inventor： R·G·纳佐 ,  J·A·罗杰斯 ,  E·梅纳德 ,  李建宰 ,  姜达荣 ,  孙玉刚 ,  M·梅尔特 ,  朱正涛

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  B81C1/00 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/76 ,  B81C2201/0185 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/308 ,  H01L21/322 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1896 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80862 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15162 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S977/707 ,  Y10S977/724 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供用于制造可印刷半导体元件并将可印刷半导体元件组装至基片表面上的方法。本发明的方法和设备组件能在含有聚合物材料的基片上产生多种柔性电子和光电子器件以及器件阵列。本发明还提供能在拉伸状态下具有良好性能的可拉伸半导体元件及可拉伸电子器件。

公开(公告)号：CN101965588A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200980000494.0

申请日：2009-01-29

Applicant: 伊利诺伊大学评议会

Inventor： 马毅 ,  A·Y·杨 ,  J·N·赖特 ,  A·W·沃纳

IPC: G06T7/00

CPC classification number: G06K9/00275 ,  G06K9/6232 ,  G06K9/627

Abstract: 本文公开一种用于在存在遮挡时识别高维数据的方法，包括：接收包括遮挡且属于未知类的目标数据，其中，目标数据包括已知对象；采样多个训练数据文件，所述训练数据文件包括与目标数据的对象相同的对象的多个不同类；以及使用l1最小化，通过所采样的训练数据文件的线性叠加来标识目标数据的类，其中，具有最稀疏数量的系数的线性叠加用于标识目标数据的类。

公开(公告)号：CN101686960A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880020158.8

申请日：2008-04-10

Applicant: 光谱医药公司 ,  伊利诺伊大学评议会

Inventor： 阿尼尔·古拉蒂 ,  雷迪·古鲁 ,  路吉·莱纳兹

IPC: A61K31/337 ,  A61K31/513 ,  A61K31/704 ,  A61K38/03 ,  A61K38/10 ,  A61K38/16 ,  A61K38/20 ,  A61K45/06 ,  A61P35/00 ,  A61K31/675 ,  A61K33/24

CPC classification number: A61K31/337 ,  A61K31/513 ,  A61K31/675 ,  A61K31/704 ,  A61K33/24 ,  A61K38/03 ,  A61K38/1709 ,  A61K38/2013 ,  A61K38/21 ,  A61K38/2285 ,  A61K45/06 ,  A61K2300/00

Abstract: 本发明公开了有助于治疗癌症(特别是卵巢肿瘤)的方法和组合物。所述方法和组合物利用内皮素B激动剂(ET B )来增强化学治疗剂(例如顺铂和/或环磷酰胺)的递送以及产生的效力。

公开(公告)号：CN101679466A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880019104.X

申请日：2008-04-11

Applicant: 伊利诺伊大学评议会

Inventor： E·奥德菲尔德 ,  张永辉 ,  殷锋霖

IPC: C07F9/576 ,  C07F9/6503

CPC classification number: C07F9/3878 ,  C07F9/3839 ,  C07F9/3865 ,  C07F9/3873 ,  C07F9/5532 ,  C07F9/58 ,  C07F9/59 ,  C07F9/6506 ,  C07F9/6539 ,  C07F9/65517 ,  C07F9/655345 ,  C07F9/65583 ,  C07F9/6561 ,  C07F9/72 ,  C12Q1/48 ,  G01N2333/91171

Abstract: 本发明特别提供了新的二膦酸盐化合物以及制备和使用所述化合物的方法。在某些实施方案中，本发明的化合物包括能选择性地抑制法尼二磷酸合酶(FPPS)、忙牛儿基忙牛儿基二磷酸合酶(GGPPS)和十聚异戊二烯焦磷酸合酶(DPPS)中一种或多种的二膦酸盐。在优选实施方案中，本发明的化合物能选择性地抑制FPPS、GGPPS和DPPS中的两种或更多种。在实施方案中，本发明的化合物和方法显示出较高的活性水平，例如在抗癌症中、免疫刺激中以及其它情况，其在一些情况下超过了早期二膦酸盐药物的活性水平几个数量级。在实施方案中，本发明提供了有关研究和治疗应用的化合物和方法，用于例如肿瘤或癌细胞生长抑制、γδT细胞的激活、与甲羟戊酸代谢途径有关的某些酶的抑制、骨再吸收病、癌症、免疫病变、免疫疗法和传染性疾病。

公开(公告)号：CN101632156A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200680019640.0

申请日：2006-06-01

Applicant: 伊利诺伊大学评议会

Inventor： R·G·纳佐 ,  J·A·罗杰斯 ,  E·梅纳德 ,  李建宰 ,  姜达荣 ,  孙玉刚 ,  M·梅尔特 ,  朱正涛 ,  高興助 ,  S·麦克

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/62 ,  H05K3/36 ,  H01R12/00

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种高产率的用于加工、转移以及组装具有所选择的物理尺寸、形状、成分以及空间取向的高品质可印刷半导体元件的途径。本发明的成分以及方法提供了将微小尺寸和/或纳米尺寸的半导体结构阵列高精度配准转移和集成到基片上，所述基片包括大面积基片和/或柔性基片。此外，本发明提供了从诸如体硅晶片的低成本体材料以及智能材料处理策略来制备可印刷半导体元件的方法，该智能材料处理策略实现了一种用于制备宽范围功能半导体设备的多用途的、以及具有商业吸引力的基于印刷的制造平台。

公开(公告)号：CN101617406A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200780049982.1

申请日：2007-10-31

Applicant: 伊利诺伊大学评议会 ,  森普瑞斯公司

Inventor： J·罗杰斯 ,  R·纳佐 ,  M·梅尔特 ,  E·梅纳德 ,  A·J·巴卡 ,  M·穆塔拉 ,  J-H·安 ,  S-I·朴 ,  C-J·于 ,  H·C·高 ,  M·斯托伊克维奇 ,  J·尹

IPC: H01L27/15

CPC classification number: H01L25/50 ,  B81C2201/0185 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/00 ,  H01L25/042 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78681 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/043 ,  H01L31/0525 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/167 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/1876 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  H01L33/483 ,  H01L33/52 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0091 ,  H01S5/021 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/183 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/423 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了至少部分经由基于印刷的组装以及器件构件的集成来制造的光学器件和系统。本发明的光学系统包含经由印刷技术与其他器件构件组装、组织和/或集成的半导体元件，所述光学系统展现出与10个使用常规高温处理方法制造的基于单晶半导体的器件相当的性能特性和功能。本发明的光学系统具有通过印刷达到的、提供多种有用的器件功能性的器件几何形态和配置，诸如形状因素、构件密度和构件位置。