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公开(公告)号：CN1753966A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200480005111.6
申请日：2004-02-25
Applicant: 株式会社钟化 , 日亚化学工业株式会社
IPC: C09K3/00 , C08L101/00 , C09D4/00 , C09D183/05 , C09D201/00 , B05D5/06 , H01L23/29 , H01L33/00
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是含有特定成分以及无机材料的遮光糊，以及在LED用管壳上仅在管壳的侧壁流延上述遮光糊的遮光用树脂层的形成方法。本发明的遮光用糊由于具有低流动性，可以仅在LED用管壳的侧壁上形成固化物。再有，按照本发明的遮光用树脂层的形成方法，可以高效地仅在LED用管壳的侧壁上形成遮光用树脂层，大幅度提高生产率。
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公开(公告)号：CN101197408B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710161804.X
申请日：2004-02-25
Applicant: 株式会社钟化 , 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及遮光用树脂及形成方法、发光二极管用管壳及半导体装置。本发明是含有特定成分以及无机材料的遮光糊，以及在LED用管壳上仅在管壳的侧壁流延上述遮光糊的遮光用树脂层的形成方法。本发明的遮光用糊由于具有低流动性，可以仅在LED用管壳的侧壁上形成固化物。再有，按照本发明的遮光用树脂层的形成方法，可以高效地仅在LED用管壳的侧壁上形成遮光用树脂层，大幅度提高生产率。
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公开(公告)号：CN101197408A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710161804.X
申请日：2004-02-25
Applicant: 株式会社钟化 , 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及遮光用树脂及形成方法、发光二极管用管壳及半导体装置。本发明是含有特定成分以及无机材料的遮光糊，以及在LED用管壳上仅在管壳的侧壁流延上述遮光糊的遮光用树脂层的形成方法。本发明的遮光用糊由于具有低流动性，可以仅在LED用管壳的侧壁上形成固化物。再有，按照本发明的遮光用树脂层的形成方法，可以高效地仅在LED用管壳的侧壁上形成遮光用树脂层，大幅度提高生产率。
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公开(公告)号：CN100366700C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200480005111.6
申请日：2004-02-25
Applicant: 株式会社钟化 , 日亚化学工业株式会社
IPC: C09K3/00 , C08L101/00 , C09D4/00 , C09D183/05 , C09D201/00 , B05D5/06 , H01L23/29 , H01L33/00
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是含有特定成分以及无机材料的遮光糊，以及在LED用管壳上仅在管壳的侧壁流延上述遮光糊的遮光用树脂层的形成方法。本发明的遮光用糊由于具有低流动性，可以仅在LED用管壳的侧壁上形成固化物。再有，按照本发明的遮光用树脂层的形成方法，可以高效地仅在LED用管壳的侧壁上形成遮光用树脂层，大幅度提高生产率。
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公开(公告)号：CN104701441B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201410734249.5
申请日：2014-12-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/56
Abstract: 本发明的实施方式的发光装置(100)具备：上表面(11)具有凹部(15)的基体(10)、设置于所述凹部(15)的发光元件(20)和设置于所述凹部(15)的密封部件(30)，所述密封部件(30)含有进行了表面处理的粒子(40)或与分散剂共存的粒子(40)，所述密封部件(30)的边缘部的至少一部分，是处于所述凹部的边缘(17)附近且所述粒子(40)或所述粒子的凝聚体(41)中的至少任一种集中分布的区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104821357A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201410831010.X
申请日：2014-12-24
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/46
CPC classification number: H01L33/60 , H01L23/15 , H01L29/41 , H01L33/46 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/49113 , H01L2933/0058 , H01L2924/00
Abstract: 为了提供可获得氧化物等的基板与金属膜的高密合性的半导体元件，该半导体元件具备氧化物的基板、在上述基板的上表面设置的半导体元件结构和在上述基板的下表面设置的金属膜，上述金属膜包含氧化物的纳米粒子。
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公开(公告)号：CN102292802B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201080005228.X
申请日：2010-01-20
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/44 , H01L23/08 , H01L23/293 , H01L23/49579 , H01L23/49582 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/83 , H01L33/62 , H01L2224/05568 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/2712 , H01L2224/2745 , H01L2224/275 , H01L2224/29023 , H01L2224/2908 , H01L2224/29083 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29187 , H01L2224/2919 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/73265 , H01L2224/83048 , H01L2224/83055 , H01L2224/83075 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/83205 , H01L2224/83207 , H01L2224/83439 , H01L2224/83487 , H01L2224/8383 , H01L2224/8384 , H01L2224/83894 , H01L2224/83895 , H01L2224/83896 , H01L2224/83907 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01063 , H01L2924/01064 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01105 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/0541 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/12035 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/1576 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/201 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/3025 , H01L2933/0066 , H01S5/0226 , H01L2924/00015 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2224/48 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明目的是提供一种制造产生较低的电阻值的导电性材料的方法，该导电性材料是使用不含有粘接剂的便宜且稳定的导电性材料用的组成物而得到的导电性材料。一种将对基体的表面设置的银或氧化银与对半导体元件的表面设置的银或氧化银接合的半导体装置的制造方法，经过以下的工序制造半导体装置：在对基体的表面设置的银或氧化银之上配置对半导体元件的表面设置的银或氧化银以使两者接触的工序；对半导体元件或基体施加压力或施加超声波振动、将半导体元件与基体临时接合的工序；对半导体元件及基体施加150℃～900℃的温度、将半导体元件与基体正式接合的工序。
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公开(公告)号：CN102292802A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201080005228.X
申请日：2010-01-20
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/44 , H01L23/08 , H01L23/293 , H01L23/49579 , H01L23/49582 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/83 , H01L33/62 , H01L2224/05568 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/2712 , H01L2224/2745 , H01L2224/275 , H01L2224/29023 , H01L2224/2908 , H01L2224/29083 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29187 , H01L2224/2919 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/73265 , H01L2224/83048 , H01L2224/83055 , H01L2224/83075 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/83205 , H01L2224/83207 , H01L2224/83439 , H01L2224/83487 , H01L2224/8383 , H01L2224/8384 , H01L2224/83894 , H01L2224/83895 , H01L2224/83896 , H01L2224/83907 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01063 , H01L2924/01064 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01105 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/0541 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/12035 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/1576 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/201 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/3025 , H01L2933/0066 , H01S5/0226 , H01L2924/00015 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2224/48 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明目的是提供一种制造产生较低的电阻值的导电性材料的方法，该导电性材料是使用不含有粘接剂的便宜且稳定的导电性材料用的组成物而得到的导电性材料。一种将对基体的表面设置的银或氧化银与对半导体元件的表面设置的银或氧化银接合的半导体装置的制造方法，经过以下的工序制造半导体装置：在对基体的表面设置的银或氧化银之上配置对半导体元件的表面设置的银或氧化银以使两者接触的工序；对半导体元件或基体施加压力或施加超声波振动、将半导体元件与基体临时接合的工序；对半导体元件及基体施加150℃～900℃的温度、将半导体元件与基体正式接合的工序。
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公开(公告)号：CN101278416A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200680036478.3
申请日：2006-09-29
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/486 , H01L33/56 , H01L2224/48091 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种密封部件与封装体部件之间的密接性良好的发光装置。本发明的发光装置(100)具备：具有形成有底面(20a)和侧壁(20b)的凹部的封装体(20)、载置于封装体(20)的凹部(60)的底面(20a)的发光元件(10)、配置于封装体(20)的凹部(60)内且覆盖发光元件(10)的密封部件(40)，其中，封装体(20)含有占全部单体成分的5重量～70重量％的钛酸钾纤维和/或硅灰石、10重量％～50重量％的氧化钛、15重量％～85重量％的芳香族单体的比例在20mol％以上的半芳香族聚酰胺，封装体(20)的凹部(60)的侧壁(20b)的厚度具有100μm以下的部分，密封部件(40)为硅酮。
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公开(公告)号：CN108788164B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201810385257.1
申请日：2018-04-26
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: B22F7/06 , B22F1/00 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种提高了对热应力的耐久性的金属粉烧结浆料。本发明提供一种金属粉烧结浆料，其作为主成分包含平均粒径(中值粒径)为0.3μm～5μm的银粒子，还包含CV值(标准偏差/平均值)小于5％的无机间隔件粒子，实质上不包含树脂。
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