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公开(公告)号：CN105324838A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201580000889.6
申请日：2015-03-31
申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 , 新日铁住金高新材料株式会社
CPC分类号： H01L24/45 , B21C1/00 , B21C1/003 , B23K35/0227 , B23K35/3006 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22F1/00 , C22F1/14 , H01L24/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45012 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2924/00011 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01046 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/013 , H01L2924/10253 , H01L2924/201 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/01049 , H01L2924/01045 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01016 , H01L2924/01017 , H01L2924/00015 , H01L2924/01201
摘要： 本发明为了同时抑制倾斜不良和弹回不良，提供一种半导体装置用接合线，其特征在于，(1)在包含线中心、并与线长度方向平行的截面(线中心截面)中，不存在长径a与短径b之比a/b为10以上且面积为15μm2以上的晶粒(纤维状组织)；(2)测定线中心截面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向 的存在比率以面积比率计为50％以上且90％以下；(3)测定线表面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向 的存在比率以面积比率计为50％以上且90％以下。在拉丝工序中进行至少1次减面率为15.5％以上的拉丝加工，将最终热处理温度和最终热处理之前的离最终热处理最近的那次热处理的温度设为规定范围。
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公开(公告)号：CN105247668B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580000862.7
申请日：2015-03-31
申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 , 新日铁住金高新材料株式会社
CPC分类号： H01L24/45 , B21C1/00 , B21C1/003 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22F1/00 , C22F1/14 , H01L24/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45012 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2924/00011 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01046 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/201 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/00 , H01L2924/01201 , H01L2924/01016 , H01L2924/01017 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/12044 , H01L2924/00015 , H01L2224/45664 , H01L2924/01049 , H01L2924/01045 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005
摘要： 本发明为了同时抑制倾斜不良和弹回不良，提供一种半导体装置用接合线，其特征在于，(1)在包含线中心、并与线长度方向平行的截面(线中心截面)中，不存在长径a与短径b之比a/b为10以上且面积为15μm2以上的晶粒(纤维状组织)；(2)测定线中心截面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向＜100＞的存在比率以面积比率计为10％以上且小于50％；(3)测定线表面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向＜100＞的存在比率以面积比率计为70％以上。在拉丝工序中进行至少1次减面率为15.5％以上的拉丝加工，将最终热处理温度和最终热处理之前的离最终热处理最近的那次热处理的温度设为规定范围。
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公开(公告)号：CN104867859B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510133063.9
申请日：2015-02-17
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/76251 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L24/02 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/97 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/0231 , H01L2224/04105 , H01L2224/24011 , H01L2224/24105 , H01L2224/24226 , H01L2224/245 , H01L2224/82106 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2924/06 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/201 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/00 , H01L2224/82 , H05K3/467 , H01L2224/03 , H01L2924/01029
摘要： 本发明涉及包括电介质材料的半导体器件。一种用于制造半导体器件的方法，包括提供载体及具有第一侧和与该第一侧相对的第二侧的半导体晶片。该方法包括向该载体或该半导体晶片施加电介质材料并通过该电介质材料将该半导体晶片接合至该载体。该方法包括处理半导体晶片并从该半导体晶片移除该载体，以使该电介质材料保留在该半导体晶片上以提供包括该电介质材料的半导体器件。
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公开(公告)号：CN104412360B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201380034211.0
申请日：2013-06-05
申请人： 索泰克公司
IPC分类号： H01L21/18
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/187 , H01L21/30604 , H01L21/30625 , H01L22/12 , H01L23/562 , H01L24/32 , H01L2224/29124 , H01L2224/29155 , H01L2224/2916 , H01L2224/29169 , H01L2224/29171 , H01L2224/29176 , H01L2224/2918 , H01L2224/29181 , H01L2224/29184 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/83895 , H01L2924/01014 , H01L2924/0504 , H01L2924/10253 , H01L2924/201 , Y10T428/12493 , Y10T428/12639 , Y10T428/12646 , Y10T428/12653 , Y10T428/12674
摘要： 用于制造复合结构(200)的方法，所述方法包括将至少一个第一晶片(220)与第二晶片(230)直接结合，并且包括发起结合波的传播的步骤，其中在发起结合波的传播之后所述第一晶片(220)和所述第二晶片(230)之间的结合界面具有小于或等于0.7J/m2的结合能量。发起结合波的传播的步骤在如下条件中的一个或多个条件下进行：‑将所述晶片放置在压力小于20毫巴的环境中；‑向这两个晶片中的一个晶片施加0.1MPa至33.3MPa之间的机械压力。在发起结合波的传播的步骤之后，所述方法进一步包括：确定在这两个晶片的结合过程中引起的应力水平的步骤，所述应力水平是基于使用如下公式计算的应力参数Ct确定的：Ct＝Rc/Ep，其中：Rc对应于这两个晶片的组件的曲率半径，单位为km；Ep对应于这两个晶片的组件的厚度，单位为μm。该方法进一步包括当所述应力水平Ct大于或等于0.07时确认结合有效的步骤。
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公开(公告)号：CN104867859A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510133063.9
申请日：2015-02-17
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/76251 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L24/02 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/97 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/0231 , H01L2224/04105 , H01L2224/24011 , H01L2224/24105 , H01L2224/24226 , H01L2224/245 , H01L2224/82106 , H01L2224/96 , H01L2224/97 , H01L2924/06 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/201 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/00 , H01L2224/82 , H05K3/467 , H01L2224/03 , H01L2924/01029 , H01L2221/68372
摘要： 本发明涉及包括电介质材料的半导体器件。一种用于制造半导体器件的方法，包括提供载体及具有第一侧和与该第一侧相对的第二侧的半导体晶片。该方法包括向该载体或该半导体晶片施加电介质材料并通过该电介质材料将该半导体晶片接合至该载体。该方法包括处理半导体晶片并从该半导体晶片移除该载体，以使该电介质材料保留在该半导体晶片上以提供包括该电介质材料的半导体器件。
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公开(公告)号：CN102292802B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201080005228.X
申请日：2010-01-20
申请人： 日亚化学工业株式会社
CPC分类号： H01L33/44 , H01L23/08 , H01L23/293 , H01L23/49579 , H01L23/49582 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/83 , H01L33/62 , H01L2224/05568 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/2712 , H01L2224/2745 , H01L2224/275 , H01L2224/29023 , H01L2224/2908 , H01L2224/29083 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29187 , H01L2224/2919 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/73265 , H01L2224/83048 , H01L2224/83055 , H01L2224/83075 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/83205 , H01L2224/83207 , H01L2224/83439 , H01L2224/83487 , H01L2224/8383 , H01L2224/8384 , H01L2224/83894 , H01L2224/83895 , H01L2224/83896 , H01L2224/83907 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01063 , H01L2924/01064 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01105 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/0541 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/12035 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/1576 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/201 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/3025 , H01L2933/0066 , H01S5/0226 , H01L2924/00015 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2224/48 , H01L2224/05599
摘要： 本发明目的是提供一种制造产生较低的电阻值的导电性材料的方法，该导电性材料是使用不含有粘接剂的便宜且稳定的导电性材料用的组成物而得到的导电性材料。一种将对基体的表面设置的银或氧化银与对半导体元件的表面设置的银或氧化银接合的半导体装置的制造方法，经过以下的工序制造半导体装置：在对基体的表面设置的银或氧化银之上配置对半导体元件的表面设置的银或氧化银以使两者接触的工序；对半导体元件或基体施加压力或施加超声波振动、将半导体元件与基体临时接合的工序；对半导体元件及基体施加150℃～900℃的温度、将半导体元件与基体正式接合的工序。
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公开(公告)号：CN102292802A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201080005228.X
申请日：2010-01-20
申请人： 日亚化学工业株式会社
CPC分类号： H01L33/44 , H01L23/08 , H01L23/293 , H01L23/49579 , H01L23/49582 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/83 , H01L33/62 , H01L2224/05568 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/2712 , H01L2224/2745 , H01L2224/275 , H01L2224/29023 , H01L2224/2908 , H01L2224/29083 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29187 , H01L2224/2919 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/73265 , H01L2224/83048 , H01L2224/83055 , H01L2224/83075 , H01L2224/83201 , H01L2224/83203 , H01L2224/83205 , H01L2224/83207 , H01L2224/83439 , H01L2224/83487 , H01L2224/8383 , H01L2224/8384 , H01L2224/83894 , H01L2224/83895 , H01L2224/83896 , H01L2224/83907 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01063 , H01L2924/01064 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01105 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/0541 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/12035 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/1576 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/201 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/3025 , H01L2933/0066 , H01S5/0226 , H01L2924/00015 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2224/48 , H01L2224/05599
摘要： 本发明目的是提供一种制造产生较低的电阻值的导电性材料的方法，该导电性材料是使用不含有粘接剂的便宜且稳定的导电性材料用的组成物而得到的导电性材料。一种将对基体的表面设置的银或氧化银与对半导体元件的表面设置的银或氧化银接合的半导体装置的制造方法，经过以下的工序制造半导体装置：在对基体的表面设置的银或氧化银之上配置对半导体元件的表面设置的银或氧化银以使两者接触的工序；对半导体元件或基体施加压力或施加超声波振动、将半导体元件与基体临时接合的工序；对半导体元件及基体施加150℃～900℃的温度、将半导体元件与基体正式接合的工序。
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公开(公告)号：CN105324838B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201580000889.6
申请日：2015-03-31
申请人： 日铁住金新材料股份有限公司 , 新日铁住金高新材料株式会社
CPC分类号： H01L24/45 , B21C1/00 , B21C1/003 , B23K35/0227 , B23K35/3006 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22F1/00 , C22F1/14 , H01L24/43 , H01L2224/4321 , H01L2224/43848 , H01L2224/45012 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2924/00011 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01046 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/013 , H01L2924/10253 , H01L2924/201 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/01049 , H01L2924/01045 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01016 , H01L2924/01017 , H01L2924/00015 , H01L2924/01201
摘要： 本发明为了同时抑制倾斜不良和弹回不良，提供一种半导体装置用接合线，其特征在于，(1)在包含线中心、并与线长度方向平行的截面(线中心截面)中，不存在长径a与短径b之比a/b为10以上且面积为15μm2以上的晶粒(纤维状组织)；(2)测定线中心截面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向 的存在比率以面积比率计为50％以上且90％以下；(3)测定线表面中的线长度方向的晶体取向的结果，相对于所述线长度方向角度差为15°以下的晶体取向 的存在比率以面积比率计为50％以上且90％以下。在拉丝工序中进行至少1次减面率为15.5％以上的拉丝加工，将最终热处理温度和最终热处理之前的离最终热处理最近的那次热处理的温度设为规定范围。
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公开(公告)号：CN105632954A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510690155.7
申请日：2015-10-22
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/603
CPC分类号： H01L21/4825 , H01L21/4842 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/27003 , H01L2224/27005 , H01L2224/2732 , H01L2224/2744 , H01L2224/27442 , H01L2224/27848 , H01L2224/29294 , H01L2224/29295 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29364 , H01L2224/29369 , H01L2224/29373 , H01L2224/2939 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/75252 , H01L2224/75315 , H01L2224/75343 , H01L2224/75745 , H01L2224/83048 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/832 , H01L2224/83203 , H01L2224/83207 , H01L2224/83208 , H01L2224/8322 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/8384 , H01L2224/83986 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/27505 , H01L2924/201 , H01L2924/3701
摘要： 本发明涉及一种用于制造半导体芯片(1)和金属层(21)之间的材料配合的连接的方法。对此提供半导体芯片(1)、具有芯片装配部段(21c)的金属层(21)以及包含金属粉的连接剂(3)。金属粉在烧结过程中进行烧结。在此，在预定的烧结持续时间期间不间断地满足的要求是，连接剂(3)布置在半导体芯片(1)和金属层(21)之间并且连续地从半导体芯片(1)延伸直到金属化层(21)，半导体芯片(1)和金属层(21)在处在高于最小压力的压力区域中相互挤压，连接剂(3)保持在处在高于最小温度的温度区域中，并且声学信号(SUS)耦合到连接剂(3)。
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公开(公告)号：CN105609432A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510530833.3
申请日：2015-08-26
申请人： 现代自动车株式会社
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/83 , B23K20/026 , B23K20/16 , B23K20/233 , B23K35/025 , B23K35/264 , B23K35/3006 , B23K2101/42 , B23K2103/166 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L2224/13294 , H01L2224/13313 , H01L2224/13339 , H01L2224/16227 , H01L2224/16505 , H01L2224/29294 , H01L2224/29313 , H01L2224/29339 , H01L2224/32227 , H01L2224/32505 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81825 , H01L2224/8184 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83825 , H01L2224/8384 , H01L2924/00015 , H01L2924/10272 , H01L2924/201 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H05K3/341 , H05K3/3463 , H05K2201/10166 , H05K2203/1131 , H01L2224/29388 , H01L2924/00014 , H01L2224/13388 , H01L2924/00012 , H01L2224/29113 , H01L2224/29139
摘要： 本申请公开一种使用银浆料进行结合的方法，该方法包括使用银浆料涂覆半导体器件或基板。该银浆料包含多个银颗粒和多个铋颗粒。该方法还包括将半导体器件布置在基板上以及通过加热银浆料来形成结合层，其中半导体器件和基板通过结合层相互结合。
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