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公开(公告)号：CN105047619B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201510187746.2
申请日：2015-04-20
申请人： 精材科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/98
CPC分类号： H01L23/49811 , B81B7/007 , B81B2207/093 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/13 , H01L23/49838 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L29/0657 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/02313 , H01L2224/0235 , H01L2224/02371 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/05569 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/06151 , H01L2224/06155 , H01L2224/06165 , H01L2224/1132 , H01L2224/1146 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16148 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/4801 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/81411 , H01L2224/81424 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81469 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2924/00014 , H01L2924/10155 , H01L2924/10156 , H01L2924/10157 , H01L2924/19107 , H01L2924/3512 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/81 , H01L2924/01029 , H01L2924/01013 , H01L2924/01079 , H01L2924/01078 , H01L2924/01028 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/85 , H01L2224/45099
摘要： 本发明揭露一种晶片堆叠封装体及其制造方法。该晶片堆叠封装体包括：至少一第一基底，其具有一第一侧及相对的一第二侧，且包括一凹口及多个重布线层，凹口位于第一基底内且邻接其一侧边，多个重布线层设置于第一基底上且延伸至凹口的一底部；至少一第二基底，设置于第一基底的第一侧；多个焊线，对应设置于凹口内的重布线层上，且延伸至第二基底上；以及至少一装置基底，设置于第一基底的第二侧。本发明可有效降低晶片堆叠封装体的整体尺寸。
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公开(公告)号：CN106129026A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610268753.X
申请日：2016-04-27
申请人： 精材科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/52 , H01L23/31 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/5283 , H01L21/0271 , H01L21/76804 , H01L21/76831 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/0345 , H01L2224/0557 , H01L23/48 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/52 , H01L24/26 , H01L24/27 , H01L24/31 , H01L2224/491
摘要： 一种半导体结构及其制作方法。半导体结构包含第一基底、第二基底、间隔层、光阻层与导电层。第一基底具有焊垫。第二基底具有通孔、壁面及相对的第一表面与第二表面，通孔贯穿第一表面与第二表面，壁面围绕通孔，且焊垫对齐通孔。间隔层位于第一基底与第二基底的第二表面之间，至少部分的间隔层往通孔的方向凸出。光阻层位于第二基底的第一表面与壁面上、凸出通孔的间隔层上、及焊垫与凸出通孔的间隔层之间。导电层位于光阻层上与焊垫上。本发明可使得导电层不易于间隔层与焊垫之间悬空，以避免断裂，且省略已知的氧化层，从而节省了有关氧化层的化学气相沉积制程及蚀刻制程的成本。
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公开(公告)号：CN103515334B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310247527.X
申请日：2013-06-20
申请人： 精材科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L25/00
CPC分类号： H01L31/0232 , H01L23/3114 , H01L27/14618 , H01L31/02 , H01L31/02327 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法、半导体结构的形成方法，该晶片封装体包括：一晶片，包括：一半导体基底，具有一第一表面；一元件区，形成于半导体基底之中；以及多个微透镜，设置于第一表面上，且位于元件区上；一覆盖基板，设置于晶片上，覆盖基板系为一透光基板；一间隔层，设置于晶片与覆盖基板之间，其中间隔层、晶片、及覆盖基板共同于元件区上围出一空腔；以及至少一主透镜，设置于覆盖基板上，且位于空腔中，主透镜的宽度大于各微透镜的宽度。本发明所提供的晶片封装技术可缩减晶片封装体的尺寸、可大量生产晶片封装体、可确保晶片封装体的品质、及/或可降低制程成本与时间。
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公开(公告)号：CN103515334A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310247527.X
申请日：2013-06-20
申请人： 精材科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L25/00
CPC分类号： H01L31/0232 , H01L23/3114 , H01L27/14618 , H01L31/02 , H01L31/02327 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法、半导体结构的形成方法，该晶片封装体包括：一晶片，包括：一半导体基底，具有一第一表面；一元件区，形成于半导体基底之中；以及多个微透镜，设置于第一表面上，且位于元件区上；一覆盖基板，设置于晶片上，覆盖基板系为一透光基板；一间隔层，设置于晶片与覆盖基板之间，其中间隔层、晶片、及覆盖基板共同于元件区上围出一空腔；以及至少一主透镜，设置于覆盖基板上，且位于空腔中，主透镜的宽度大于各微透镜的宽度。本发明所提供的晶片封装技术可缩减晶片封装体的尺寸、可大量生产晶片封装体、可确保晶片封装体的品质、及/或可降低制程成本与时间。
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公开(公告)号：CN103426832A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310190282.1
申请日：2013-05-21
申请人： 精材科技股份有限公司
CPC分类号： H01L23/498 , B81B7/0077 , H01L21/78 , H01L24/94 , H01L27/14618 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一晶片，包括：一半导体基底，具有一第一表面及一第二表面；一元件区，形成于该半导体基底之中；一介电层，设置于该第一表面上；以及一导电垫结构，设置于该介电层之中，且电性连接该元件区；一覆盖基板，设置于该晶片上；以及一间隔层，设置于该晶片与该覆盖基板之间，其中该间隔层、该晶片、及该覆盖基板共同于该元件区上围出一空腔，且该间隔层直接接触该晶片，而无任何粘着胶设置于该晶片与该间隔层之间。本发明所提供的晶片封装技术可缩减晶片封装体的尺寸、可大量生产晶片封装体、可确保晶片封装体的品质、及/或可降低制程成本与时间。
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公开(公告)号：CN105047619A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510187746.2
申请日：2015-04-20
申请人： 精材科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/98
CPC分类号： H01L23/49811 , B81B7/007 , B81B2207/093 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/13 , H01L23/49838 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L29/0657 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/02313 , H01L2224/0235 , H01L2224/02371 , H01L2224/02375 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/0239 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/05569 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05669 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/06151 , H01L2224/06155 , H01L2224/06165 , H01L2224/1132 , H01L2224/1146 , H01L2224/11849 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16148 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/4801 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/81411 , H01L2224/81424 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81469 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2924/00014 , H01L2924/10155 , H01L2924/10156 , H01L2924/10157 , H01L2924/19107 , H01L2924/3512 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/81 , H01L2924/01029 , H01L2924/01013 , H01L2924/01079 , H01L2924/01078 , H01L2924/01028 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/85 , H01L2224/45099
摘要： 本发明揭露一种晶片堆叠封装体及其制造方法。该晶片堆叠封装体包括：至少一第一基底，其具有一第一侧及相对的一第二侧，且包括一凹口及多个重布线层，凹口位于第一基底内且邻接其一侧边，多个重布线层设置于第一基底上且延伸至凹口的一底部；至少一第二基底，设置于第一基底的第一侧；多个焊线，对应设置于凹口内的重布线层上，且延伸至第二基底上；以及至少一装置基底，设置于第一基底的第二侧。本发明可有效降低晶片堆叠封装体的整体尺寸。
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公开(公告)号：CN106129026B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201610268753.X
申请日：2016-04-27
申请人： 精材科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/52 , H01L23/31 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/5283 , H01L21/0271 , H01L21/76804 , H01L21/76831 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/0345 , H01L2224/0557
摘要： 一种半导体结构及其制作方法。半导体结构包含第一基底、第二基底、间隔层、光阻层与导电层。第一基底具有焊垫。第二基底具有通孔、壁面及相对的第一表面与第二表面，通孔贯穿第一表面与第二表面，壁面围绕通孔，且焊垫对齐通孔。间隔层位于第一基底与第二基底的第二表面之间，至少部分的间隔层往通孔的方向凸出。光阻层位于第二基底的第一表面与壁面上、凸出通孔的间隔层上、及焊垫与凸出通孔的间隔层之间。导电层位于光阻层上与焊垫上。本发明可使得导电层不易于间隔层与焊垫之间悬空，以避免断裂，且省略已知的氧化层，从而节省了有关氧化层的化学气相沉积制程及蚀刻制程的成本。
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公开(公告)号：CN103426832B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310190282.1
申请日：2013-05-21
申请人： 精材科技股份有限公司
CPC分类号： H01L23/498 , B81B7/0077 , H01L21/78 , H01L24/94 , H01L27/14618 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种芯片封装体及其形成方法，该芯片封装体包括：一芯片，包括：一半导体基底，具有一第一表面及一第二表面；一元件区，形成于该半导体基底之中；一介电层，设置于该第一表面上；以及一导电垫结构，设置于该介电层之中，且电性连接该元件区；一覆盖基板，设置于该芯片上；以及一间隔层，设置于该芯片与该覆盖基板之间，其中该间隔层、该芯片、及该覆盖基板共同于该元件区上围出一空腔，且该间隔层直接接触该芯片，而无任何粘着胶设置于该芯片与该间隔层之间。本发明所提供的芯片封装技术可缩减芯片封装体的尺寸、可大量生产芯片封装体、可确保芯片封装体的品质、及/或可降低制程成本与时间。
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公开(公告)号：CN104517864A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410519717.7
申请日：2014-09-30
申请人： 精材科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/56
CPC分类号： H01L24/03 , H01L21/32139 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68372 , H01L2224/02371 , H01L2224/02372 , H01L2224/03009 , H01L2224/0345 , H01L2224/0361 , H01L2224/0362 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05548 , H01L2224/05558 , H01L2224/05567 , H01L2224/05583 , H01L2224/056 , H01L2224/11821 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13024 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/94 , H01L2924/0105 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要： 本发明提供一种晶圆级晶片封装体的制造方法。首先，提供半导体晶圆，半导体晶圆包含至少二晶片相邻排列，且具有上表面及下表面，各晶片具有位于下表面的导电垫。形成自上表面朝下表面延伸的凹部，以暴露出导电垫。形成自上表面朝下表面延伸的绝缘层，部分的绝缘层位于凹部之中，其中绝缘层具有至少一开口，以暴露出各该导电垫。于绝缘层以及导电垫上全面形成导电层。于导电层上全面喷涂光阻层。曝光显影光阻层使一部分的导电层暴露出来。蚀刻该部分的导电层以形成重布局线路。拔除光阻层，最后于绝缘层以及重布局线路上全面形成防焊层。本发明能有效避免在制作过程中各晶片封装体之间产生金属残留的疑虑，使各晶片封装体具有更高的可靠度。
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