公开(公告)号：CN103050458B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201210481197.6

申请日：2012-11-23

申请人： 香港应用科技研究院有限公司

发明人： 罗珮璁 ,  谢斌 ,  杨丹

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/562 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/244 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明披露了一种为具有图案化表面、图案化侧壁和局部隔离的硅通孔结构以及制作该结构的方法。在一个实施例中，TSV结构包括一个从所述第一侧表面延伸到所述第二侧表面穿透芯片的通孔，其在第一侧表面有第一端，在第二侧表面有第二端。一局部隔离层沉积在通孔侧壁上和第一端周围的部分第一侧表面上。TSV结构还包括多个密集的微结构，其被安排成非随机图案，并被制作在所述第一端周围的至少部分第一侧表面上，所述局部隔离层覆盖于所述微结构上，用于提高局部隔离层到芯片的粘附力。大部分微结构的深度至少为1μm。

公开(公告)号：CN102646655B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201210057891.5

申请日：2012-03-07

申请人： 香港应用科技研究院有限公司

发明人： 罗珮聪 ,  杨丹 ,  史训清

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L27/146 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L27/14618 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 多层微电子器件封装包括一个或多个垂直电触点。至少一个半导体材料层被设置有在其中制备的一个或多个电器件。电接触焊盘可以形成在半导体材料层上或半导体材料层中。另一材料层邻近半导体材料层布置并且包括包埋在该层中或者接合至该层的导电材料柱。通孔贯通半导体材料层的至少一部分和电接触焊盘并进入邻近层的导电材料柱。通孔被构造，使得通孔尖端终止于导电材料柱中。金属化层设置在通孔中，由此，通过位于导电材料柱中的金属化通孔尖端，使得金属化层同时接触电接触焊盘和导电材料柱。

公开(公告)号：CN103050458A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210481197.6

申请日：2012-11-23

申请人： 香港应用科技研究院有限公司

发明人： 罗珮璁 ,  谢斌 ,  杨丹

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/562 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/244 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明公开了一种为具有图案化表面、图案化侧壁和局部隔离的硅通孔结构以及制作该结构的方法。在一个实施例中，TSV结构包括一个从所述第一侧表面延伸到所述第二侧表面穿透芯片的通孔，其在第一侧表面有第一端，在第二侧表面有第二端。一局部隔离层沉积在通孔侧壁上和第一端周围的部分第一侧表面上。TSV结构还包括多个密集的微结构，其被安排成非随机图案，并被制作在所述第一端周围的的至少部分第一侧表面上，所述局部隔离层覆盖于所述微结构上，用于提高局部隔离层到芯片的粘附力。大部分微结构的深度至少为1μm。

公开(公告)号：CN102881666A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210295014.1

申请日：2012-08-17

申请人： 香港应用科技研究院有限公司

发明人： 徐逸杰 ,  杨丹 ,  罗佩璁

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L27/146 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L27/14618 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/1183 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16106 ,  H01L2224/16108 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16157 ,  H01L2224/16168 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92222 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/19 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种晶圆级封装的半导体器件，整个封装器件形成后才分离成单个器件。该半导体器件封装包括半导体芯片，有一个或多个焊盘与该芯片连接，还有一保护层连接在该半导体芯片之上。至少在半导体芯片的侧边缘和底表面上有一隔离层。有互连金属化凸点靠近该半导体芯片的一个或多个侧边缘，并电连接到至少一个焊盘上。一个小型化的图像传感器可以和数字信号处理器和存储器芯片以及透镜和保护盖垂直集成在一起。

公开(公告)号：CN102332457B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201110067793.5

申请日：2011-03-21

申请人： 香港应用科技研究院有限公司

发明人： 罗佩璁 ,  杨丹 ,  史训清

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14632 ,  H01L24/19 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H01L27/14692 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种高光效CMOS图像传感器。由于光电二极管的高填充率和高效的光隔离，可不需要集成微透镜。每个传感器包括多个成像像素，每个像素包括在半导体基板上的一个光电二极管结构，该光电二极管结构靠近图像传感器的光入射面。光隔离栅格围住每个光电二极管结构，并设定像素边界。光隔离栅格延伸的深度最少为光电二极管结构的厚度，避免入射光穿过入射像素而进入到相邻像素。一个正扩散柱塞垂直延伸穿过一部分光电二极管结构。一个负扩散柱塞垂直延伸到半导体基板内，使光电二极管里产生的电荷可转移到半导体基板内的一个电荷收集区域。位于光电二极管下方的像素电路控制到图像读取电路的电荷转移。

公开(公告)号：CN102881666B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201210295014.1

申请日：2012-08-17

申请人： 香港应用科技研究院有限公司

发明人： 徐逸杰 ,  杨丹 ,  罗佩璁

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L27/146 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L27/14618 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/1183 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16106 ,  H01L2224/16108 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16157 ,  H01L2224/16168 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92222 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/19 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种晶圆级封装的半导体器件，整个封装器件形成后才分离成单个器件。该半导体器件封装包括半导体芯片，有一个或多个焊盘与该芯片连接，还有一保护层连接在该半导体芯片之上。至少在半导体芯片的侧边缘和底表面上有一隔离层。有互连金属化凸点靠近该半导体芯片的一个或多个侧边缘，并电连接到至少一个焊盘上。一个小型化的图像传感器可以和数字信号处理器和存储器芯片以及透镜和保护盖垂直集成在一起。

公开(公告)号：CN101847664B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201010170164.0

申请日：2010-04-30

申请人： 香港应用科技研究院有限公司

发明人： 史训清 ,  杨丹 ,  罗珮璁

IPC分类号： H01L27/146 ,  B81B7/00

CPC分类号： H01L27/14683 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/096 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本申请案涉及一种电子器件封装和制造电子器件封装的方法。所述电子器件封装包括基底110，基底110具有第一表面110a和与所述第一表面相对的第二表面110b。电子器件120、130形成于所述第一表面110a上。隔离层140延伸至所述电子器件的至少一部分的顶部表面。具有一个或一个以上I/O线的再分布层145延伸至所述隔离层和所述电子器件的所述顶部表面。所述RDL层将所述电子器件连接到穿过所述基底110到达其所述第二表面110b的一个或一个以上第一通孔160。所述电子器件可以是图像传感器。微透镜220和保护性聚对二甲苯层230可制造在所述图像传感器上。还揭示一种制造所述电子器件封装的方法。

公开(公告)号：CN103367269A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310295847.2

申请日：2013-07-15

申请人： 香港应用科技研究院有限公司

发明人： 杨丹 ,  何松 ,  任宇行 ,  史训清

IPC分类号： H01L23/14 ,  H01L23/552 ,  H01L25/16 ,  H01L21/48 ,  H01L21/58 ,  H01Q1/22

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L21/568 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种用于小型RF信号系统的封装以及形成封装的方法，以使封装尺寸小型化，提高信号完整性，并降低制造成本。封装包括具有夹层结构的混合基板，其中混合基板包括由插板分离的具有不同介电性能的上层和下层，以提高电隔离和机械刚度。金属层形成在孔的侧壁上以包围有源元件，使得金属侧壁与上层和下层中的两个接地板一起构成封装中的自屏蔽外壳，以保护有源元件。

公开(公告)号：CN102751299A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210169718.4

申请日：2012-05-28

申请人： 香港应用科技研究院有限公司

发明人： 杨丹 ,  徐逸杰 ,  丘树坚 ,  罗珮璁

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/1464 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明披露了背照式图像传感器及其制作方法，其在制作过程中不需要涉及机械研磨过程或化学机械平面化过程。在一个实施例中，图像传感器包括一半导体衬底、在半导体衬底内的多个光感应元件、和一形成在半导体衬底内的空腔。光感应元件以平面方式排列。空腔有一基面在光感应元件之上。空腔的出现允许图像经过空腔基面而到达光感应元件。空腔可以通过蚀刻半导体衬底而制作。当进行蚀刻时，还可以使用搅动。

公开(公告)号：CN101916754B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201010222721.9

申请日：2010-06-29

申请人： 香港应用科技研究院有限公司

发明人： 徐逸杰 ,  杨丹 ,  史训清

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/485 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  B81C1/00

CPC分类号： H01L2224/13 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00

摘要： 一种电子或微机械器件有第一表面(11)和第二表面(12)以及一个通孔，其从第一表面延伸穿过该器件到第二表面。通孔包括整体成形的第一部分(84，86)、第二部分(82)和第三部分(88)。第一部分(84，86)从第一表面(11)延伸到第二表面(12)。第二部分(82)延伸覆盖在器件的一部分第一表面(11)上。第三部分(88)延伸覆盖在器件的一部分第二表面(12)上。优选地，第一部分包括第一和第二部件，第二部件延伸穿过器件的活性区，并且其宽度比第一部件更窄。同时，本发明也披露了一种形成和填充该通孔的方法。