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公开(公告)号:CN102216026A
公开(公告)日:2011-10-12
申请号:CN200980145543.X
申请日:2009-09-14
申请人: 西门子公司
CPC分类号: B23K35/34 , B23K1/0006 , B23K1/0016 , B23K1/203 , B23K35/0244 , B23K35/262 , B23K2101/40 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L2224/16 , H01L2224/81232 , H01L2224/81801 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01025 , H01L2924/01063 , H01L2924/01068 , H05K3/3484 , H05K3/3494 , H05K2203/1163
摘要: 本发明涉及焊接材料、具有进行焊接连接的接触面的载体元件或构件以及用于焊接的助熔剂。根据本发明,在构成焊接连接时,除了焊接材料外还使用含反应性成分的添加料。有利地,反应性成分由于发生放热反应而在焊接材料连接中输入热量。由此使要形成的焊接连接比其余要焊接的组件更快加热,这使得可以使用较少的外部热量进行加工。由此尤其无铅的焊接合金可以在传统的加工温度TO下加工。尤其是,焊接炉内的温度TO高于焊接材料堆熔点TS。优选地,反应性成分是可以与氧放热反应的金属羰基化合物。
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公开(公告)号:CN103515251B
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201310136202.4
申请日:2013-04-18
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号: H01L24/81 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49833 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/13016 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13023 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13582 , H01L2224/13583 , H01L2224/13611 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/13664 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/16501 , H01L2224/16505 , H01L2224/32135 , H01L2224/32141 , H01L2224/32145 , H01L2224/81085 , H01L2224/811 , H01L2224/8112 , H01L2224/81121 , H01L2224/81193 , H01L2224/81232 , H01L2224/81355 , H01L2224/81359 , H01L2224/81801 , H01L2224/8192 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/1533 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01005 , H01L2924/01074 , H01L2924/01015 , H01L2924/06 , H01L2924/00
摘要: 一种方法包括将第一封装元件的第一电连接件与第二封装元件的第二电连接件对准。随着第一电连接件与第二电连接件对准,在第一电连接件和第二电连接件上镀金属层。该金属层将第一电连接件接合到第二电连接件。本发明公开了通过镀层接合封装元件。
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公开(公告)号:CN102216026B
公开(公告)日:2014-12-03
申请号:CN200980145543.X
申请日:2009-09-14
申请人: 西门子公司
CPC分类号: B23K35/34 , B23K1/0006 , B23K1/0016 , B23K1/203 , B23K35/0244 , B23K35/262 , B23K2101/40 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L2224/16 , H01L2224/81232 , H01L2224/81801 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01025 , H01L2924/01063 , H01L2924/01068 , H05K3/3484 , H05K3/3494 , H05K2203/1163
摘要: 本发明涉及焊接材料、具有进行焊接连接的接触面的载体元件或构件以及用于焊接的助熔剂。根据本发明,在构成焊接连接时,除了焊接材料外还使用含反应性成分的添加料。有利地,反应性成分由于发生放热反应而在焊接材料连接中输入热量。由此使要形成的焊接连接比其余要焊接的组件更快加热,这使得可以使用较少的外部热量进行加工。由此尤其无铅的焊接合金可以在传统的加工温度TO下加工。尤其是,焊接炉内的温度TO高于焊接材料堆熔点TS。优选地,反应性成分是可以与氧放热反应的金属羰基化合物。
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公开(公告)号:CN1773687A
公开(公告)日:2006-05-17
申请号:CN200510059054.6
申请日:2005-03-21
申请人: 富士通株式会社
CPC分类号: H01L21/563 , H01L24/29 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/16225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/75 , H01L2224/75753 , H01L2224/81205 , H01L2224/81232 , H01L2224/81801 , H01L2224/83099 , H01L2224/83102 , H01L2224/83192 , H01L2224/83874 , H01L2224/92125 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01327 , H01L2924/07802 , H01L2924/19043 , Y10T156/10 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
摘要: 一种倒装式安装半导体芯片的方法,其能够在常温下进行接合,并能提高接合的位置精确度。该倒装式安装半导体芯片(52)的方法包括:在该半导体芯片(52)安装在基板(50)上之前或在接合过程中,提供不对绝缘粘合剂(51)加热的硬化触发的步骤;以及,在由于所提供的该硬化触发而致使该绝缘粘合剂进行硬化的同时,通过压力焊接或金属结合使该半导体芯片的凸块和该基板(50)的焊盘接合的步骤。
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公开(公告)号:CN103515251A
公开(公告)日:2014-01-15
申请号:CN201310136202.4
申请日:2013-04-18
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号: H01L24/81 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49833 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/13016 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13023 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13582 , H01L2224/13583 , H01L2224/13611 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/13664 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/16501 , H01L2224/16505 , H01L2224/32135 , H01L2224/32141 , H01L2224/32145 , H01L2224/81085 , H01L2224/811 , H01L2224/8112 , H01L2224/81121 , H01L2224/81193 , H01L2224/81232 , H01L2224/81355 , H01L2224/81359 , H01L2224/81801 , H01L2224/8192 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/1533 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01005 , H01L2924/01074 , H01L2924/01015 , H01L2924/06 , H01L2924/00
摘要: 一种方法包括将第一封装元件的第一电连接件与第二封装元件的第二电连接件对准。随着第一电连接件与第二电连接件对准,在第一电连接件和第二电连接件上镀金属层。该金属层将第一电连接件接合到第二电连接件。本发明公开了通过镀层接合封装元件。
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公开(公告)号:CN100452333C
公开(公告)日:2009-01-14
申请号:CN200510059054.6
申请日:2005-03-21
申请人: 富士通株式会社
CPC分类号: H01L21/563 , H01L24/29 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/16225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/75 , H01L2224/75753 , H01L2224/81205 , H01L2224/81232 , H01L2224/81801 , H01L2224/83099 , H01L2224/83102 , H01L2224/83192 , H01L2224/83874 , H01L2224/92125 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01327 , H01L2924/07802 , H01L2924/19043 , Y10T156/10 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
摘要: 一种倒装式安装半导体芯片的方法,其能够在常温下进行接合,并能提高接合的位置精确度。该倒装式安装半导体芯片(52)的方法包括:在该半导体芯片(52)安装在基板(50)上之前或在接合过程中,提供不对绝缘粘合剂(51)加热的硬化触发的步骤;以及,在由于所提供的该硬化触发而致使该绝缘粘合剂进行硬化的同时,通过压力焊接或金属结合使该半导体芯片的凸块和该基板(50)的焊盘接合的步骤。
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