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公开(公告)号:CN103915414A
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN201310749734.5
申请日:2013-12-31
申请人: 英特尔移动通信有限责任公司
发明人: T.迈尔
IPC分类号: H01L23/538 , H01L21/768 , H01L25/065
CPC分类号: H01L24/96 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/24225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32135 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/83005 , H01L2224/83862 , H01L2224/92225 , H01L2224/92244 , H01L2225/06517 , H01L2225/06524 , H01L2225/06558 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/0401
摘要: 本公开涉及倒装芯片晶片级封装及其方法,其中一种电子封装包括:倒装芯片部件,具有耦合到倒装芯片基底的第一管芯;第二管芯,堆叠在第一管芯上;密封化合物,形成在第一管芯和第二管芯周围;一组贯穿密封剂通孔TEV,提供贯穿密封化合物至倒装芯片基底的从电子封装的第一侧到电子封装的第二侧的一组电连接;和再分布层,在电子封装的第一侧上把第二管芯上的一组接触电连接到所述一组TEV。
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公开(公告)号:CN103725204A
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN201310471433.0
申请日:2013-10-10
申请人: 第一毛织株式会社
CPC分类号: H01B1/22 , C09J2201/602 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29364 , H01L2224/2939 , H01L2224/29393 , H01L2224/294 , H01L2224/29439 , H01L2224/29444 , H01L2224/29447 , H01L2224/29455 , H01L2224/29464 , H01L2224/32135 , H01L2224/32225 , H01L2224/81903 , H01L2224/83201 , H01L2224/8385 , H01L2224/9211 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/81 , H01L2224/83
摘要: 本文公开了各向异性导电粘合剂组合物和膜,包含:(甲基)丙烯酸四氢糠基酯或(甲基)丙烯酸糠基酯,和热固性聚合引发剂,其中,以固含量计,基于用于所述各向异性导电粘合剂膜的组合物的总量,所述(甲基)丙烯酸四氢糠基酯或(甲基)丙烯酸糠基酯的含量为1wt%至25wt%,本文还公开了半导体装置。
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公开(公告)号:CN104584212B
公开(公告)日:2018-05-15
申请号:CN201380045244.5
申请日:2013-06-26
申请人: 英特尔公司
发明人: C-P·秋
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L23/13 , H01L23/36 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/16 , H01L2224/13111 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/17051 , H01L2224/29109 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32135 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2225/06513 , H01L2924/1515 , H01L2924/15321 , H01L2924/171 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要: 本发明描述了包括封装衬底中的管芯的堆叠管芯封装。本文中所描述的一些实施例包括装置和形成这种装置的方法。在一个这种实施例中,装置可以包括衬底、第一管芯和耦合到所述第一管芯和所述衬底的第二管芯。所述衬底可以包括开口。所述管芯的至少一部分可以占据所述衬底中的所述开口的至少一部分。描述了包括附加装置和方法的其它实施例。
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公开(公告)号:CN103515251B
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201310136202.4
申请日:2013-04-18
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号: H01L24/81 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49833 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/13016 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13023 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13582 , H01L2224/13583 , H01L2224/13611 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/13664 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/16501 , H01L2224/16505 , H01L2224/32135 , H01L2224/32141 , H01L2224/32145 , H01L2224/81085 , H01L2224/811 , H01L2224/8112 , H01L2224/81121 , H01L2224/81193 , H01L2224/81232 , H01L2224/81355 , H01L2224/81359 , H01L2224/81801 , H01L2224/8192 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/1533 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01005 , H01L2924/01074 , H01L2924/01015 , H01L2924/06 , H01L2924/00
摘要: 一种方法包括将第一封装元件的第一电连接件与第二封装元件的第二电连接件对准。随着第一电连接件与第二电连接件对准,在第一电连接件和第二电连接件上镀金属层。该金属层将第一电连接件接合到第二电连接件。本发明公开了通过镀层接合封装元件。
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公开(公告)号:CN102832189A
公开(公告)日:2012-12-19
申请号:CN201210334500.X
申请日:2012-09-11
申请人: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
CPC分类号: H01L23/495 , H01L23/3107 , H01L23/49575 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/92 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/29006 , H01L2224/2919 , H01L2224/32135 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 依据本发明的实施例提供了一种多芯片封装结构及其封装方法。n个芯片依次堆叠排列于载片台之上;并且,每一芯片部分覆盖下层所述芯片,以使下层芯片的焊垫裸露;第二键合引线将其中一所述芯片上的焊垫连接至另一所述芯片上的焊垫;第一键合引线将所述焊垫连接至引脚,从而获得了最小的封装面积,并且可以使得第一键合引线和第二键合引线的长度最短,降低由于键合引线的自身电阻带来的功率损耗,提高引线键合的可靠性。
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公开(公告)号:CN108028246A
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201680056319.3
申请日:2016-08-26
申请人: 英帆萨斯公司
发明人: 亚卡尔古德·R·西塔朗 , 贝尔格森·哈巴
IPC分类号: H01L23/522 , H01L23/50
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/0228 , H01L21/31111 , H01L23/642 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/27452 , H01L2224/27614 , H01L2224/29187 , H01L2224/32135 , H01L2224/83896 , H01L2225/06531 , H01L2924/01072 , H01L2924/0534 , H01L2924/05442 , H01L2924/30105
摘要: 本发明提供了集成电路晶粒构件与其他导电区域的电容性耦合。待耦合的每一个构件具有一表面,其包括至少一个导电区域,例如一金属衬垫或金属平板。一超薄介电质层形成于待耦合的至少一个表面上。当两个构件(例如,来自每一个晶粒的一个构件)被永久地接触在一起时,该超薄介电质层维持在两个表面之间,以形成在每一个相应构件的导电区域之间的电容器或电容性介面。该超薄介电质层可以由各种介电质的多个层所组成,但是在一个实施方式中,整体厚度为小于约50纳米。所形成的该电容性介面的每单位面积电容值取决于在超薄介电质层中所使用的介电材料的特定介电常数κ以及该介电材料各自的厚度。可以在经耦合堆叠件的边缘处制作电气连结和接地连结。
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公开(公告)号:CN103915414B
公开(公告)日:2017-10-24
申请号:CN201310749734.5
申请日:2013-12-31
申请人: 英特尔德国有限责任公司
发明人: T.迈尔
IPC分类号: H01L23/538 , H01L21/768 , H01L25/065
CPC分类号: H01L24/96 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/24225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32135 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/83005 , H01L2224/83862 , H01L2224/92225 , H01L2224/92244 , H01L2225/06517 , H01L2225/06524 , H01L2225/06558 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/0401
摘要: 本公开涉及倒装芯片晶片级封装及其方法,其中一种电子封装包括:倒装芯片部件,具有耦合到倒装芯片基底的第一管芯;第二管芯,堆叠在第一管芯上;密封化合物,形成在第一管芯和第二管芯周围;一组贯穿密封剂通孔TEV,提供贯穿密封化合物至倒装芯片基底的从电子封装的第一侧到电子封装的第二侧的一组电连接;和再分布层,在电子封装的第一侧上把第二管芯上的一组接触电连接到所述一组TEV。
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公开(公告)号:CN102832189B
公开(公告)日:2014-07-16
申请号:CN201210334500.X
申请日:2012-09-11
申请人: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
CPC分类号: H01L23/495 , H01L23/3107 , H01L23/49575 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/92 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/29006 , H01L2224/2919 , H01L2224/32135 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 依据本发明的实施例提供了一种多芯片封装结构及其封装方法。n个芯片依次堆叠排列于载片台之上;并且,每一芯片部分覆盖下层所述芯片,以使下层芯片的焊垫裸露;第二键合引线将其中一所述芯片上的焊垫连接至另一所述芯片上的焊垫;第一键合引线将所述焊垫连接至引脚,从而获得了最小的封装面积,并且可以使得第一键合引线和第二键合引线的长度最短,降低由于键合引线的自身电阻带来的功率损耗,提高引线键合的可靠性。
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公开(公告)号:CN103650114A
公开(公告)日:2014-03-19
申请号:CN201280033146.5
申请日:2012-07-06
申请人: 住友电木株式会社
发明人: 前岛研三
IPC分类号: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J11/06 , C09J161/06 , C09J163/00 , C09J171/12 , H01L21/60
CPC分类号: C09J7/02 , C08L61/06 , C08L63/00 , C09J7/35 , C09J161/06 , C09J163/00 , C09J2203/326 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , H01L21/67144 , H01L21/6836 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2221/68336 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/13111 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/32135 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/75745 , H01L2224/81815 , H01L2224/83191 , H01L2224/83862 , H01L2224/92125 , Y10T428/24843 , Y10T428/2809 , Y10T428/2848 , H01L2924/01047 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , C08G59/4223 , H01L2224/9211
摘要: 根据本发明,提供一种切割胶带一体化型粘接片,其能够同时进行对置的部件的端子间的连接和部件间的空隙的密封,作业性优异。本发明的切割胶带一体化型粘接片具有包含由粘接膜和切割胶带构成的层叠结构,所述粘接膜使用焊料将支撑体的第一端子与被粘体的第二端子电连接,粘接上述支撑体和上述被粘体,其中,将上述粘接膜粘附于上述支撑体的形成有第一端子的面时的粘附温度设为T[℃],将施加于上述粘接膜的压力设为P[MPa],将上述粘附温度下的粘接膜的熔融粘度设为η[Pa·s]时,满足1.2×103≤(T×P)/η≤1.5×109的关系。
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公开(公告)号:CN105723508B
公开(公告)日:2018-06-12
申请号:CN201480022408.7
申请日:2014-10-16
申请人: 新电元工业株式会社
IPC分类号: H01L23/367
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L23/3735 , H01L23/492 , H01L23/49531 , H01L23/49833 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L25/065 , H01L25/074 , H01L2224/32135 , H01L2224/32141 , H01L2224/32145 , H01L2224/32151 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2225/06506 , H01L2225/06562 , H01L2225/06572 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014
摘要: 本发明的一实施方式涉及的半导体模块包含:具有热传导性的第一电路基板;与第一电路基板对向设置的具有热传导性的第二电路基板;被接合在与第二电路基板对向的第一电路基板的对向面的第一半导体元件;被接合在与第一电路基板对向的第二电路基板的对向面的第二半导体元件;以及将第一半导体元件和第二半导体元件电连接的连接单元,其中连接单元具有:不经由第二半导体元件而是被夹入在第一半导体元件和第二电路基板之间从而与第一半导体元件和第二电路基板连接的部分。
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