公开(公告)号：CN111106012A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911327768.9

申请日：2019-12-20

申请人： 电子科技大学

发明人： 李泽宏 ,  柳雨真

IPC分类号： H01L21/38 ,  H01L21/324

摘要： 本发明涉及一种实现半导体器件局域寿命控制的方法，包括以下步骤：在未金属化的半导体器件的第一表面覆盖杂质源，杂质源为具有复合中心效应的元素或含有所述元素的物质；根据预设扩散深度、杂质源的扩散系数和固溶度随温度的变化曲线，获得补余误差函数的参数；根据补余误差函数的参数，获得扩散温度和时间；根据扩散温度和时间，将复合中心原子扩散至半导体器件中的目标扩散深度；去除杂质源；快速热退火处理半导体器件，完成复合中心原子的电激活。本发明不需要氦离子注入机等设备，仅通过铂、金等复合中心原子扩散实现局域寿命控制，比传统的全局寿命控制具有导通压降低的优点，具有更好的正向性能和切换性能折中优值。

公开(公告)号：CN106463412A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201480078921.8

申请日：2014-06-16

申请人： 英特尔公司

发明人： J·M·罗伯茨 ,  P·E·罗梅罗 ,  S·B·克伦德宁 ,  C·J·杰泽斯基 ,  R·V·舍比亚姆

IPC分类号： H01L21/38 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L24/17 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/10734 ,  H01L2924/00

摘要： 本公开内容的实施例描述了集成电路(IC)器件的金属之间的选择性扩散阻挡部以及相关联的技术和构造。在一个实施例中，一种装置包括电介质材料；第一互连结构，所述第一互连结构包括设置在电介质材料中的第一金属；第二互连结构，所述第二互连结构包括设置在电介质材料中并且与第一互连结构电耦合的第二金属；以及扩散阻挡部，所述扩散阻挡部设置在第一互连结构与第二互连结构之间的界面处，其中，第一金属和第二金属具有不同的化学成分，扩散阻挡部的材料和第二金属具有不同的化学成分，并且扩散阻挡部的材料并非直接设置在第二金属与电介质材料之间。可以描述和/或要求保护其它实施例。

公开(公告)号：CN103620774A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280030799.8

申请日：2012-03-21

申请人： 泰塞拉公司

发明人： 贝尔加桑·哈巴 ,  理查德·德威特·克里斯普 ,  韦勒·佐尼

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/10 ,  H01L23/31 ,  H01L21/38

CPC分类号： H01L25/071 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/73 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4826 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/32245

摘要： 一种微电子组件10可以包括具有在其第一表面34和第二表面32之间延伸的孔39、在第一表面处的衬底触点41和在第二表面处的端子36的衬底30。微电子组件10可以包括：具有面对第一表面34的前表面16的第一微电子元件12，具有面对第一微电子元件的前表面22的第二微电子元件14，以及将第二微电子元件的触点26与端子36电连接的引线50。第二微电子元件14的触点26可以暴露在前表面22处且暴露于第一微电子元件12的边缘29之外。第一微电子元件12可以用于再生在端子36处被微电子组件10接收的至少一些信号并且将所述信号传输到第二微电子元件14。

公开(公告)号：CN101443893B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200680047717.5

申请日：2006-12-20

申请人： 太阳能公司

发明人： D·德瑟斯特 ,  P·J·卡曾斯 ,  R·M·斯旺森 ,  J·E·曼宁

IPC分类号： H01L21/38 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 在一个实施例中，通过选择性沉积在晶片(100)背面的掺杂剂源(201，202，203，204)中的掺杂剂扩散来形成太阳能电池的有效扩散结(211，212，213，214)。例如，所述掺杂剂源(201，202，203，204)可使用印刷方法进行选择性沉积。可采用多个掺杂剂源形成具有不同掺杂浓度的有效扩散区。例如，可制成三个或四个有效扩散区来优化太阳能电池的硅/介电材料界面、硅/金属界面以及前述两界面。所述晶片的正面(103-1)在形成掺杂剂源(201，202，203，204)前采用织构工艺进行织构化，以将晶片材料的去除最小化。可以用自对准接触窗口刻蚀工艺形成使金属栅线能连接到有效扩散结的窗口，以将未对准的影响降到最小。

公开(公告)号：CN101681930A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880018195.5

申请日：2008-02-04

申请人： 香港科技大学

发明人： 郭海成 ,  王文 ,  孟志国 ,  赵淑云

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/38

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757

摘要： 一种低温多晶硅器件和使其具有优异性能的制造技术。采用我们称为搭桥晶粒结构(BG)的掺杂多晶硅线，本征或轻掺杂的沟道被分成多个区域。覆盖包括所述掺杂的线的整个有源沟道的单个栅仍旧被用来控制电流。将该BG多晶硅用作有源层并且确保所述TFT的设计使得电流垂直于所述晶粒的平行线流动，晶界影响可以减小。与常规低温多晶硅TFT相比，所述BG多晶硅TFT的可靠性、均匀性和电性能大大改善。

公开(公告)号：CN114639596A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202210223599.X

申请日：2020-09-22

申请人： 南方科技大学

发明人： 罗光富 ,  刘凯

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/38 ,  C30B7/10 ,  C30B29/16 ,  C30B30/02 ,  C30B31/22

摘要： 为克服现有宽禁带半导体材料存在大量自发缺陷，难以获得本征半导体以及难以实现反型掺杂的问题，本发明公开了一种通过外加电压，可控地提高自发缺陷的形成能，同时降低反型掺杂缺陷的形成能，实现本征宽禁带半导体材料制备与反型掺杂的方法。该方法包括以下操作步骤：在生长本征宽禁带半导体材料以及反型掺杂过程中，给自发形成N型导电的宽禁带半导体材料施加正偏压，给自发形成P型导电的宽禁带半导体材料施加负偏压。本发明同时公开了上述方法在制备本征氧化锌以及P型掺杂氧化锌中的应用。

公开(公告)号：CN106935513A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201710105242.0

申请日：2017-02-26

申请人： 桂林理工大学

发明人： 潘宏程 ,  汤红园

IPC分类号： H01L21/368 ,  H01L21/38 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L21/34 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/38 ,  H01L22/14

摘要： 本发明公开了一种Te/PbTe异质结纳米薄膜的制备方法。利用电沉积的方法将PbTe沉积在电极表面，形成一种载体薄膜，把电极浸入0.1mol/L的NaNO3溶液中，再利用电化学方法氧化电极，最后取出电极，电极上就氧化出Te/PbTe异质结纳米薄膜。本发明方法制备过程非常高效简单，且所制得的Te/PbTe异质结纳米薄膜相比PbTe纳米薄膜具有更高的光电转换效率，成本低廉，易于大规模推广生产。

公开(公告)号：CN1581429B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN200410056427.X

申请日：2004-08-07

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 肥塚纯一 ,  山出直人

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/38 ,  H01L21/40 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L22/24 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  Y10S438/914

摘要： 掺杂装置和掺杂方法以及薄膜晶体管的制作方法。本发明的目的是提供一种能够以最合适的载流子浓度执行掺杂，非破坏性且简便地获取所希望的电特性的掺杂装置、掺杂方法、以及使用该掺杂装置和掺杂方法的薄膜晶体管的制作方法。在本发明中，使用接触角正确且精密地监测半导体元件的电特性(薄膜晶体管中的阈值电压等)，通过控制掺杂方法从而控制特性。此外，根据本发明，借助用原地监测特性，可以随时获取信息，并在没有时间延迟的情况下执行反馈。

公开(公告)号：CN1310285C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200410038016.8

申请日：2004-05-12

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 西本伸也 ,  樋熊政一 ,  武藤慎司 ,  藤原尚 ,  中山博之 ,  岛贯义纪

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/38 ,  H01L21/30 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/68 ,  H02N13/00

CPC分类号： H01L21/67248 ,  H01L21/6833

摘要： 本发明提供一种处理装置，通过提高使静电夹头层和支承部粘接的接合层的热传导率，缩短基板稳定至规定温度所需的时间，还可抑制由等离子体产生的活性种引起的所述接合层的劣化。在利用由氧化铝制成的绝缘层覆盖钨制的夹头电极构成的烧结体形成的静电夹头层和用于支承所述静电夹头层的铝制支承部之间，设置用于使所述支承部和静电夹头层接合的接合层。通过将硅系粘接性树脂浸含至多孔陶瓷中，构成该接合层。另外，设置柔软的覆盖部件例如由PFA等氟树脂制成的热收缩管或橡胶等，以覆盖所述接合层的侧周面，使静电夹头层和支承部的侧周面与该覆盖部件密接。

公开(公告)号：CN1094848A

公开(公告)日：1994-11-09

申请号：CN94102046.0

申请日：1994-02-24

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 吉田善一 ,  伊东克通 ,  水口信一 ,  三露常男 ,  大川和宏

IPC分类号： H01L21/363 ,  H01L21/38 ,  C23C14/00

摘要： 本发明目的在于向Ⅱ-Ⅵ族半导体添加高浓度的P型杂质。通过使脉冲喷嘴喷出的激发氮气向基板的照射与对Ⅱ-Ⅵ族半导体构成元素靶的脉冲激光照射交替地进行，形成添加氮的化合物。