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公开(公告)号：JP6307252B2
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：JP2013237767
申请日：2013-11-18
申请人： ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシー , Rohm and Haas Electronic Materials LLC , ザ・テキサス・エー・アンド・エム・ユニバーシテイ・システム
发明人： ジェームズ・ダブリュー.サッカレー , ピーター・トレフォナス,ザ・サード , サンホ・チョー , グオロン・サン , カレン・ウーリー
IPC分类号： H01L21/027 , C08F2/44 , C08F297/00 , G03F7/038
CPC分类号： G03F7/2004 , C08F2438/03 , C08G2261/126 , C08G2261/136 , C08G2261/146 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/40
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公开(公告)号：JP2018049090A
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：JP2016183516
申请日：2016-09-20
申请人： 東京応化工業株式会社
CPC分类号： G03F7/039 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0397 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2006 , G03F7/2041 , G03F7/32 , G03F7/40
摘要： 【課題】リソグラフィー特性が良好なレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。 【解決手段】式(a0−1)で表される構成単位(a0)を有する高分子化合物と、式(b1−1)で表される化合物からなる酸発生剤と、を含有するレジスト組成物(式中、Ra 00 は、式(a0−r1−1)で表される酸解離性基;Ra 01 、Ra 02 、Ra 031 、Ra 032 及びRa 033 は、炭化水素基;Ya 0 は、第4級炭素原子;R 101 は、置換基として少なくとも1つのヒドロキシ基を有する炭化水素基;Y 101 は単結合または酸素原子を含む2価の連結基;V 101 は、単結合、アルキレン基、またはフッ素化アルキレン基)。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2018039796A
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：JP2017163202
申请日：2017-08-28
申请人： 住友化学株式会社
IPC分类号： C07C309/12 , C07C381/12 , G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/038 , G03F7/20 , C07C309/17
CPC分类号： C07C309/17 , C07C309/07 , C07C309/12 , C07C381/12 , C07C2601/14 , C07C2602/42 , C07C2603/74 , C07C2603/98 , C07D307/33 , C07D307/77 , C07D317/72 , C07D319/08 , C07D321/10 , C07D327/06 , C07D327/08 , C07D333/46 , C07D335/02 , C07F7/08 , C07F7/0805 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/322 , G03F7/38
摘要： 【課題】レジストパターンのフォーカスマージン(DOF)を改善する。 【解決手段】式(I)で表される塩、該塩を含有する酸発生剤、該酸発生剤と酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂とを含有するレジスト組成物及び該レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法が提供される。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2018035096A
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：JP2016169793
申请日：2016-08-31
申请人： 信越化学工業株式会社
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C309/02 , C07C309/20 , C07C381/12 , C07C2602/42 , C07C2603/68 , C07C2603/74 , C07D327/08 , C07D333/76 , C07D339/08 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/2004 , G03F7/2041 , G03F7/2053 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/38
摘要： 【課題】各種リソグラフィーにおいて、LWR、解像性に優れたスルホニウム化合物、該スルホニウム化合物を光酸発生剤として含むレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。 【解決手段】例えば下記反応式中に示されるスルホニウム化合物Aで代表されるスルホニウム化合物。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2018025778A
公开(公告)日：2018-02-15
申请号：JP2017142413
申请日：2017-07-24
申请人： 信越化学工業株式会社
IPC分类号： G03F7/039 , C07D333/76 , C07D335/12 , C07D327/08 , C07D335/18 , C07D339/08 , C07D333/02 , C07D327/06 , C07D335/02 , C07D279/36 , C08F20/30 , C08F220/30 , C08F12/24 , C08F212/14 , G03F7/20 , G03F1/20 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0392 , C07C381/12 , G03F1/76 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2037 , G03F7/322 , G03F7/38
摘要： 【課題】パターン形成時の解像性を向上し、かつ、ラインエッジラフネスの低減されたパターンを得ることができるポジ型レジスト組成物を提供する。 【解決手段】(A)式(A)で表されるスルホニウム化合物、及び(B)側鎖にフェノール性ヒドロキシ基を有する特定構造の繰り返し単位を含み、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大するポリマーを含むベースポリマーを含むポジ型レジスト組成物。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2018016554A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：JP2016145802
申请日：2016-07-25
申请人： 信越化学工業株式会社
CPC分类号： G03F7/0387 , C07C69/76 , C07C69/80 , C08G73/1007 , C08G73/1042 , C08G73/121 , C08G73/123 , C08G73/127 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/031 , G03F7/037 , G03F7/038 , G03F7/0385 , G03F7/0388 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/325 , G03F7/38 , G03F7/40
摘要： 【課題】汎用的で安全な有機溶媒に可溶であり、ネガ型感光性樹脂組成物のポリイミドベース樹脂の構造単位として有用なテトラカルボン酸ジエステル化合物を提供。 【解決手段】式(1)で示されるテトラカルボン酸ジエステル化合物。 (X 1 は4価の有機基;R 1 は式(2)で示される基;点線は結合を表し、Y 1 は(k+1)価の有機基;RfはHの一部又は全部がFで置換されたC1〜20の直鎖、分枝もしくは環状のアルキル基又は芳香族基;kは1、2、又は3;nは0又は1) 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP6271498B2
公开(公告)日：2018-01-31
申请号：JP2015244037
申请日：2015-12-15
申请人： ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシー , Rohm and Haas Electronic Materials LLC , ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー
发明人： ダヤン・ワン , コン・リュウ , ミンキ・リー , ジュン・ソク・オー , チェン−バイ・スー , ドリス・エイチ.カン , クラーク・エイチ.カミンズ , マティアス・エス.オーバー
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397
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公开(公告)号：JP2018005224A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2017116491
申请日：2017-06-14
申请人： 信越化学工業株式会社
CPC分类号： C08F220/30 , C08F220/38 , C09D133/14 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , H01S3/0007
摘要： 【課題】ポジ型レジスト材料においてもネガ型レジスト材料においても、高感度かつLWRやCDUが小さいレジスト材料、及びこれを用いるパターン形成方法を提供する。 【解決手段】ベースポリマー、及び下記式(A−1)で表されるスルホニウム塩又は下記式(A−2)で表されるヨードニウム塩を含む酸発生剤を含むレジスト材料。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2018004812A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2016128886
申请日：2016-06-29
申请人： 信越化学工業株式会社
IPC分类号： G03F7/004 , C08F220/22 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/322 , G03F7/38
摘要： 【課題】従来のポジ型レジスト材料を上回る高感度で、かつ高解像度でエッジラフネスが小さく、露光後のパターン形状が良好であるポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適なポリマーを用いたポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。 【解決手段】下記式(a)で表される繰り返し単位aと、カルボキシル基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位b1及び/又はフェノール性ヒドロキシ基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位b2とを含む、重量平均分子量が1,000〜500,000であるポリマーを含むベース樹脂を含むポジ型レジスト材料。 (式中、R A は、水素原子又はメチル基である。R 1 は、水素原子、又は直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜4のアルキル基である。R 2 は、単結合又はメチレン基である。) 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2018004778A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2016128162
申请日：2016-06-28
申请人： 東京応化工業株式会社
IPC分类号： G03F7/039 , C07C309/12 , C07C381/12 , C07C211/63 , C07D333/76 , C07D327/02 , G03F7/20 , G03F7/004
CPC分类号： C08L51/08 , C07C381/12 , C08F12/24 , C08F212/14 , C08F220/18 , C08F220/20 , C08F220/22 , C08F220/26 , C08F220/30 , C08F220/38 , C08F220/40 , C08F220/58 , C08F2220/281 , C08F2220/282 , C08F2220/283 , C08F2220/301 , C08F2220/302 , C08F2220/303 , C08L53/005 , C08L67/04 , C08L87/005 , C09D125/18 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/38 , H01L21/0274
摘要： 【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用である新規な化合物、当該化合物を用いた酸発生剤、当該酸発生剤を含有するレジスト組成物及び当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。 【解決手段】露光により酸を発生し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、一般式(b1)で表される酸発生剤と、を含有することを特徴とする。式(b1)中、R b1 は、置換基として炭素数3以上のアルキル基を少なくとも1つ有する芳香族炭化水素基を表す。Y b1 は、エステル結合(−C(=O)−O−又は−O−C(=O)−)を含む2価の連結基を表す。V b1 は、アルキレン基、フッ素化アルキレン基又は単結合を表す。mは1以上の整数であって、M m+ はm価の有機カチオンを表す。 [化1] 【選択図】なし
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