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    Electric copper plating liquid and process for manufacturing semiconductor integrated circuit device using same
    2.
    发明申请
    Electric copper plating liquid and process for manufacturing semiconductor integrated circuit device using same 审中-公开
    电镀铜液和制造半导体集成电路器件的工艺

    公开(公告)号：US20050087447A1

    公开(公告)日：2005-04-28

    申请号：US10996382

    申请日：2004-11-26

    申请人： Toshio Haba ,  Takeyuki Itabashi ,  Haruo Akahoshi ,  Shinichi Fukada

    发明人： Toshio Haba ,  Takeyuki Itabashi ,  Haruo Akahoshi ,  Shinichi Fukada

    IPC分类号： C25D3/38 ,  C25D7/12 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H05K3/42

    CPC分类号： C25D7/123 ,  C25D3/38 ,  H05K3/423

    摘要： An object of the present invention is to improve the reliability and the yield of production of semiconductor integrated circuit devices by filling copper in the inside of features having a high aspect ratio for forming multi-layer interconnections composed of a plurality of interconnection layers which are connected to one another and to a copper electroplating bath suitable therefor. In the present invention, when the features are filled with copper, the use of a copper electroplating bath with an addition of cyanine dyes, for example, indolium compounds allows the copper plating to proceed preferentially from the bottoms of the features.

    摘要翻译： 本发明的目的是通过在具有高纵横比的特征内部填充铜来提高半导体集成电路器件的可靠性和生产成本，以形成由连接的多个互连层组成的多层互连 彼此之间和适合于此的铜电镀浴。 在本发明中，当特征填充有铜时，使用带有花青染料的铜电镀浴，例如，吲哚鎓化合物，可使铜镀层优先从特征的底部进行。

    Plating method using an additive
    3.
    发明授权
    Plating method using an additive 失效
    使用添加剂的电镀方法

    公开(公告)号：US06511588B1

    公开(公告)日：2003-01-28

    申请号：US09545093

    申请日：2000-04-07

    申请人： Kinya Kobayashi ,  Akihiro Sano ,  Takeyuki Itabashi ,  Toshio Haba ,  Haruo Akahoshi ,  Shinichi Fukada

    发明人： Kinya Kobayashi ,  Akihiro Sano ,  Takeyuki Itabashi ,  Toshio Haba ,  Haruo Akahoshi ,  Shinichi Fukada

    IPC分类号： C25D302

    CPC分类号： H01L21/2885 ,  C25D3/38 ,  C25D7/123 ,  H01L21/76877

    摘要： A plating method comprising using a plating solution containing an additive satisfying the following conditions: 0.005×h2/w

    摘要翻译： 一种电镀方法，其特征在于，使用含有满足以下条件的添加剂的镀液：D为添加剂的扩散系数; kappa是添加剂的吸附或消耗的表面反应速率; h是沟槽或洞的高度; w是沟槽的宽度或孔的半径; 和THETA是（存在添加剂时的镀膜生长速度）/（不存在添加剂时的镀膜生长速度）的比例，适合于在宽度为1μm以下的沟槽或孔中形成电镀金属 （沟槽）或半径小于1μm的孔（孔）而不产生空隙，并且特别适合于制造半导体器件，其可以通过使用电镀条件具有形成在半导体衬底上的铜布线层的多层结构，其中至少 在与铜布线层的其余部分不同的条件下对一层铜布线层进行电镀。

    Wiring board and production method thereof, and semiconductor apparatus
    9.
    发明申请
    Wiring board and production method thereof, and semiconductor apparatus 审中-公开
    接线板及其制造方法以及半导体装置

    公开(公告)号：US20050271828A1

    公开(公告)日：2005-12-08

    申请号：US11185897

    申请日：2005-07-21

    申请人： Toshiro Saito ,  Haruo Akahoshi ,  Takeyuki Itabashi

    发明人： Toshiro Saito ,  Haruo Akahoshi ,  Takeyuki Itabashi

    IPC分类号： H05K3/18 ,  H01L21/48 ,  H05H1/00 ,  H05K1/03 ,  H05K3/38 ,  H05K3/46

    CPC分类号： H01L21/4846 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00014 ,  H05K3/381 ,  H05K3/389 ,  H05K3/4623 ,  H05K3/4661 ,  H05K2201/0344 ,  H05K2203/0315 ,  H05K2203/0793 ,  H05K2203/095 ,  Y10T29/49126 ,  H01L2224/0401

    摘要： Provided is a wiring board and production method thereof, wherein production of wiring by a full additive method is achieved. This is extremely useful in forming fine copper wiring featuring a high adhesion on an insulating resin substrate. A resin having an excellent alkali resistance is used as the insulating resin substrate, and the copper wiring is formed on the insulating resin substrate through a degenerated layer containing amide group and a metallic oxide layer of a metal having a reduction potential more base than that of copper. The degenerated layer can be provided by, e.g., introduction of amide group into the surface of the insulating resin substrate. The copper can be formed by processes including electroless plating. The insulating resin substrate has superb heat resistance and dimensional stability, and the formed structure can provide a highly packed wiring board.

    摘要翻译： 本发明提供一种布线基板及其制造方法，其特征在于，通过全加法制造布线。 这对于在绝缘树脂基板上形成具有高粘附性的细铜布线非常有用。 使用耐碱性优异的树脂作为绝缘树脂基板，并且通过包含酰胺基的退化层和金属氧化物层，在绝缘树脂基板上形成铜布线，该金属氧化物层的还原电位比 铜。 退化层可以通过例如将酰胺基引入绝缘树脂基材的表面来提供。 铜可以通过包括无电镀的工艺形成。 绝缘树脂基板具有极好的耐热性和尺寸稳定性，并且所形成的结构可以提供高度封装的布线板。

    Wiring substrate and an electroless copper plating solution for providing interlayer connections
    10.
    发明授权
    Wiring substrate and an electroless copper plating solution for providing interlayer connections 失效
    接线基板和用于提供层间连接的化学镀铜溶液

    公开(公告)号：US06831009B2

    公开(公告)日：2004-12-14

    申请号：US09962249

    申请日：2001-09-26

    申请人： Takeyuki Itabashi ,  Haruo Akahoshi ,  Eiji Takai ,  Naoki Nishimura ,  Tadashi Iida ,  Yoshinori Ueda

    发明人： Takeyuki Itabashi ,  Haruo Akahoshi ,  Eiji Takai ,  Naoki Nishimura ,  Tadashi Iida ,  Yoshinori Ueda

    IPC分类号： H01L214763

    CPC分类号： C23C18/40 ,  H05K3/421 ,  H05K3/422 ,  H05K3/426 ,  H05K3/429 ,  H05K2201/09518

    摘要： A multilayer wiring substrate which is high in connection reliability is provided through process steps of forming more than one opening, such as a via-hole in a dielectric layer laminated on a substrate, and then applying uniform copper plating to a surface portion of the dielectric layer including the opening to thereby form a wiring layer. An electroless copper plating solution with at least one of mandelonitrile and triethyltetramine mixed therein is used to perform the intended electroless copper plating. An alternative process makes use of a electroless copper plating solution with chosen additive agents or “admixtures” containing at least one of mandelonitrile and triethyltetramine plus eriochrome black T along with at least one of 2,2′-bipyridyl, 1,10-phenanthroline, and 2,9-dimethyl-1,10-phenanthroline.

    摘要翻译： 通过在层叠在基板上的电介质层中形成多个开口（例如通孔），然后对电介质的表面部分施加均匀的镀铜，通过工艺步骤提供连接可靠性高的多层布线基板 层，从而形成布线层。 使用其中混合有扁桃腈和三乙基四胺中的至少一种的无电镀铜溶液进行预期的无电镀铜。 一种替代方法利用具有选择的添加剂的无电镀铜溶液或含有扁桃腈和三乙基四胺加上色素黑T中的至少一种的“混合物”以及2,2'-联吡啶，1,10-菲咯啉， 和2,9-二甲基-1,10-菲咯啉。