利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

114 条记录 (耗时 0.034 秒)

    Plating method using an additive
    1.
    发明授权
    Plating method using an additive 失效
    使用添加剂的电镀方法

    公开(公告)号：US06511588B1

    公开(公告)日：2003-01-28

    申请号：US09545093

    申请日：2000-04-07

    申请人： Kinya Kobayashi ,  Akihiro Sano ,  Takeyuki Itabashi ,  Toshio Haba ,  Haruo Akahoshi ,  Shinichi Fukada

    发明人： Kinya Kobayashi ,  Akihiro Sano ,  Takeyuki Itabashi ,  Toshio Haba ,  Haruo Akahoshi ,  Shinichi Fukada

    IPC分类号： C25D302

    CPC分类号： H01L21/2885 ,  C25D3/38 ,  C25D7/123 ,  H01L21/76877

    摘要： A plating method comprising using a plating solution containing an additive satisfying the following conditions: 0.005×h2/w

    摘要翻译： 一种电镀方法，其特征在于，使用含有满足以下条件的添加剂的镀液：D为添加剂的扩散系数; kappa是添加剂的吸附或消耗的表面反应速率; h是沟槽或洞的高度; w是沟槽的宽度或孔的半径; 和THETA是（存在添加剂时的镀膜生长速度）/（不存在添加剂时的镀膜生长速度）的比例，适合于在宽度为1μm以下的沟槽或孔中形成电镀金属 （沟槽）或半径小于1μm的孔（孔）而不产生空隙，并且特别适合于制造半导体器件，其可以通过使用电镀条件具有形成在半导体衬底上的铜布线层的多层结构，其中至少 在与铜布线层的其余部分不同的条件下对一层铜布线层进行电镀。

    Electric copper plating liquid and process for manufacturing semiconductor integrated circuit device using same
    2.
    发明申请
    Electric copper plating liquid and process for manufacturing semiconductor integrated circuit device using same 审中-公开
    电镀铜液和制造半导体集成电路器件的工艺

    公开(公告)号：US20050087447A1

    公开(公告)日：2005-04-28

    申请号：US10996382

    申请日：2004-11-26

    申请人： Toshio Haba ,  Takeyuki Itabashi ,  Haruo Akahoshi ,  Shinichi Fukada

    发明人： Toshio Haba ,  Takeyuki Itabashi ,  Haruo Akahoshi ,  Shinichi Fukada

    IPC分类号： C25D3/38 ,  C25D7/12 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H05K3/42

    CPC分类号： C25D7/123 ,  C25D3/38 ,  H05K3/423

    摘要： An object of the present invention is to improve the reliability and the yield of production of semiconductor integrated circuit devices by filling copper in the inside of features having a high aspect ratio for forming multi-layer interconnections composed of a plurality of interconnection layers which are connected to one another and to a copper electroplating bath suitable therefor. In the present invention, when the features are filled with copper, the use of a copper electroplating bath with an addition of cyanine dyes, for example, indolium compounds allows the copper plating to proceed preferentially from the bottoms of the features.

    摘要翻译： 本发明的目的是通过在具有高纵横比的特征内部填充铜来提高半导体集成电路器件的可靠性和生产成本，以形成由连接的多个互连层组成的多层互连 彼此之间和适合于此的铜电镀浴。 在本发明中，当特征填充有铜时，使用带有花青染料的铜电镀浴，例如，吲哚鎓化合物，可使铜镀层优先从特征的底部进行。

    Electroless copper plating solution, electroless copper plating process and production process of circuit board
    9.
    发明授权
    Electroless copper plating solution, electroless copper plating process and production process of circuit board 失效
    化学镀铜液，化学镀铜工艺及电路板生产工艺

    公开(公告)号：US07169216B2

    公开(公告)日：2007-01-30

    申请号：US10898282

    申请日：2004-07-26

    申请人： Takeyuki Itabashi ,  Hiroshi Kanemoto ,  Haruo Akahoshi ,  Eiji Takai ,  Naoki Nishimura ,  Tadashi Iida ,  Yoshinori Ueda

    发明人： Takeyuki Itabashi ,  Hiroshi Kanemoto ,  Haruo Akahoshi ,  Eiji Takai ,  Naoki Nishimura ,  Tadashi Iida ,  Yoshinori Ueda

    IPC分类号： C23C18/40

    CPC分类号： C23C18/1803 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/40

    摘要： An electroless copper plating solution using glyoxylic acid as a reducing agent, which is small in the reacting quantity of Cannizzaro reaction, does not largely cause precipitation of the salt accumulated in the electroless copper plating solution by the plating reaction and Cannizzaro reaction, and can be used stably over a long period of time. The electroless copper plating solution comprises copper ion, a complexing agent for copper ion, a reducing agent for copper ion and a pH adjusting agent, wherein the reducing agent for copper ion is glyoxylic acid or a salt thereof, the pH adjusting agent is potassium hydroxide and the electroless copper plating solution contains at least one member selected from metasilicic acid, metasilicic acid salt, germanium dioxide, germanic acid salt, phosphoric acid, phosphoric acid salt, vanadic acid, vanadic acid salt, stannic acid and stannic acid salt in an amount of 0.0001 mol/L or more.

    摘要翻译： 使用乙醛酸作为还原剂的化学镀铜溶液，其在Cannizzaro反应的反应量较小时，不会通过电镀反应和Cannizzaro反应极大地引起积存在无电镀铜溶液中的盐的沉淀，并且可以 长时间稳定使用。 无电镀铜液包括铜离子，铜离子络合剂，铜离子还原剂和pH调节剂，其中铜离子还原剂为乙醛酸或其盐，pH调节剂为氢氧化钾 化学镀铜溶液含有选自硅酸，偏硅酸盐，二氧化锗，锗酸盐，磷酸，磷酸盐，钒酸，钒酸盐，锡酸和锡酸盐中的至少一种， 为0.0001mol / L以上。

    Semiconductor production method
    10.
    发明申请
    Semiconductor production method 审中-公开
    半导体生产方法

    公开(公告)号：US20050029662A1

    公开(公告)日：2005-02-10

    申请号：US10913336

    申请日：2004-08-09

    申请人： Hiroshi Nakano ,  Takeyuki Itabashi ,  Haruo Akahoshi

    发明人： Hiroshi Nakano ,  Takeyuki Itabashi ,  Haruo Akahoshi

    IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/44 ,  H01L29/40

    CPC分类号： H01L21/76849 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76874

    摘要： It is an object of the present invention to provide a semiconductor device production method in which an electroconductive capping (metal) layer is formed on a copper interconnect surface, wherein the capping (metal) layer is selectively formed to produce the semiconductor device of high reliability. In the semiconductor device production method, a capping (metal) layer is formed on a copper interconnect in a semiconductor integrated circuit, a first capping (metal) layer is formed by electroless plating with a plating solution containing a reducing agent active on a copper interconnect surface, and then a second capping (metal) layer is formed by another electroless plating.

    摘要翻译： 本发明的目的是提供一种半导体器件制造方法，其中在铜互连表面上形成导电封盖（金属）层，其中选择性地形成封盖（金属）层以制造具有高可靠性的半导体器件 。 在半导体器件制造方法中，在半导体集成电路的铜互连上形成有盖（金属）层，通过在铜互连上含有还原剂的电镀溶液进行化学镀而形成第一覆盖（金属）层 然后通过另一个无电镀形成第二封盖（金属）层。