公开(公告)号：US20140042593A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：US13571455

申请日：2012-08-10

申请人： Anton Mauder ,  Reinhard Ploss ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Anton Mauder ,  Reinhard Ploss ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/225 ,  H01L29/36

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/743 ,  H01L23/36 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/167 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05078 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor substrate. A first trench extends into or through the semiconductor substrate from a first side. A semiconductor layer adjoins the semiconductor substrate at the first side. The semiconductor layer caps the first trench at the first side. The semiconductor device further includes a contact at a second side of the semiconductor substrate opposite to the first side.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体衬底。 第一沟槽从第一侧延伸进入或穿过半导体衬底。 半导体层在第一侧邻接半导体衬底。 半导体层在第一侧覆盖第一沟槽。 半导体器件还包括在与第一侧相对的半导体衬底的第二侧的接触。

公开(公告)号：US08643086B2

公开(公告)日：2014-02-04

申请号：US13367909

申请日：2012-02-07

申请人： Frank Dieter Pfirsch ,  Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Stefan Sedlmaier

发明人： Frank Dieter Pfirsch ,  Armin Willmeroth ,  Anton Mauder ,  Stefan Sedlmaier

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor component having a semiconductor body is disclosed. In one embodiment, the semiconductor component includes a drift zone of a first conductivity type, a drift control zone composed of a semiconductor material which is arranged adjacent to the drift zone at least in places, a dielectric which is arranged between the drift zone and the drift control zone at least in places. A quotient of the net dopant charge of the drift control zone, in an area adjacent to the accumulation dielectric and the drift zone, divided by the area of the dielectric arranged between the drift control zone and the drift zone is less than the breakdown charge of the semiconductor material in the drift control zone.

摘要翻译： 公开了一种具有半导体本体的半导体部件。 在一个实施例中，半导体部件包括第一导电类型的漂移区，由半导体材料构成的漂移控制区，该半导体材料至少位于与漂移区相邻的位置处，布置在漂移区和 漂移控制区至少在地方。 漂移控制区的净掺杂剂电荷在与积聚电介质和漂移区相邻的区域除以布置在漂移控制区和漂移区之间的介质的面积除以小于 漂移控制区中的半导体材料。

公开(公告)号：US20140002145A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US13534003

申请日：2012-06-27

申请人： Anton Mauder ,  Armin Willmeroth

发明人： Anton Mauder ,  Armin Willmeroth

IPC分类号： H03K3/015

CPC分类号： H03K17/06

摘要： In various embodiments, a driving circuit for a transistor is provided. The driving circuit may include a transistor including a control terminal; a capacitance; a first switch and a power source, wherein the first switch may be coupled between the power source and a first terminal of the capacitance; a second switch and an inductance which may be coupled in series between the first terminal of the capacitance and the control terminal of the transistor.

摘要翻译： 在各种实施例中，提供了一种用于晶体管的驱动电路。 驱动电路可以包括：包括控制端子的晶体管; 电容; 第一开关和电源，其中所述第一开关可以耦合在所述电源和所述电容的第一端之间; 可以串联耦合在电容的第一端和晶体管的控制端之间的第二开关和电感。

公开(公告)号：US08487307B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US13332505

申请日：2011-12-21

申请人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Paul Kuepper

发明人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Paul Kuepper

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/402 ,  H01L29/405 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648

摘要： A semiconductor arrangement is disclosed. One embodiment includes a first semiconductor layer including a first and second component zone that form a pn-junction or a Schottky-junction. A second semiconductor layer includes a drift control zone adjacent to the second component zone. A dielectric layer separates the first semiconductor layer from the second semiconductor layer. A rectifying element is coupled between the drift control zone and the second component zone.

摘要翻译： 公开了一种半导体装置。 一个实施例包括包括形成pn结或肖特基结的第一和第二组分区的第一半导体层。 第二半导体层包括与第二组分区相邻的漂移控制区。 电介质层将第一半导体层与第二半导体层分开。 整流元件耦合在漂移控制区和第二组分区之间。

公开(公告)号：US20130175529A1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：US13347749

申请日：2012-01-11

申请人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Philipp Seng

发明人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Philipp Seng

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/456 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/861

摘要： A semiconductor diode is provided. The semiconductor diode includes a monocrystalline silicon semiconductor body including a first semiconductor region of a first conductivity type extending to a first surface of the semiconductor body and having a first maximum doping concentration, and a second semiconductor region of a second conductivity type forming a pn-junction with the first semiconductor region. The semiconductor diode further includes a polycrystalline silicon semiconductor region of the first conductivity type having a second maximum doping concentration which is higher than the first maximum doping concentration and adjoining the first semiconductor region on the first surface, a first metallization arranged on the polycrystalline silicon semiconductor region and in electric contact with the polycrystalline semiconductor region, and an edge-termination structure arranged next to the first semiconductor region. Further, a method for producing a semiconductor diode is provided.

摘要翻译： 提供半导体二极管。 半导体二极管包括单晶硅半导体本体，其包括延伸到半导体本体的第一表面并具有第一最大掺杂浓度的第一导电类型的第一半导体区域和形成第二导电类型的第二导电类型的第二半导体区域， 与第一半导体区域的连接。 半导体二极管还包括第一导电类型的多晶硅半导体区域，其具有高于第一最大掺杂浓度的第二最大掺杂浓度并与第一表面上的第一半导体区相邻，布置在多晶硅半导体上的第一金属化层 区域并与多晶半导体区域电接触，以及边缘端接结构，其布置在第一半导体区域的旁边。 此外，提供了一种用于制造半导体二极管的方法。

公开(公告)号：US20130153916A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：US13328371

申请日：2011-12-16

申请人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Andreas Meiser ,  Ulrich Glaser

发明人： Joachim Weyers ,  Anton Mauder ,  Franz Hirler ,  Andreas Meiser ,  Ulrich Glaser

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L27/06 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/407 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8725

摘要： One embodiment of an integrated circuit includes a semiconductor body. In the semiconductor body a first trench region extends into the semiconductor body from a first surface. The integrated circuit further includes a diode including an anode region and a cathode region. One of the anode region and the cathode region is at least partly arranged in the first trench region. The other one of the anode region and the cathode region includes a first semiconductor region adjoining the one of the anode region and the cathode region from outside of the first trench region.

摘要翻译： 集成电路的一个实施例包括半导体本体。 在半导体本体中，第一沟槽区域从第一表面延伸到半导体本体中。 集成电路还包括包括阳极区域和阴极区域的二极管。 阳极区域和阴极区域中的一个至少部分地布置在第一沟槽区域中。 阳极区域和阴极区域中的另一个包括从第一沟槽区域的外部邻接阳极区域和阴极区域中的一个的第一半导体区域。

公开(公告)号：US08466046B2

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：US13407728

申请日：2012-02-28

申请人： Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Francisco Javier Santos Rodriguez

发明人： Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Francisco Javier Santos Rodriguez

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/02658 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/8611 ,  Y10T428/218

摘要： A method may include producing at least one trench in a semiconductor body, starting from a surface of the semiconductor body, then producing at least one porous semiconductor body region in the semiconductor body starting from the at least one trench at least along a portion of the side walls of the trench, and then filling the trench with a semiconductor material of the semiconductor body.

摘要翻译： 一种方法可以包括从半导体本体的表面开始产生半导体本体中的至少一个沟槽，然后至少沿着半导体本体的一部分从至少一个沟槽起始在半导体本体中产生至少一个多孔半导体本体区域 沟槽的侧壁，然后用半导体本体的半导体材料填充沟槽。

公开(公告)号：US20130065379A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：US13229861

申请日：2011-09-12

申请人： Hans-Joachim Schulze ,  Francisco Javier Santos Rodriguez ,  Anton Mauder ,  Johannes Baumgartl ,  Carsten Ahrens

发明人： Hans-Joachim Schulze ,  Francisco Javier Santos Rodriguez ,  Anton Mauder ,  Johannes Baumgartl ,  Carsten Ahrens

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/3223 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/1608

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes forming a porous area of a semiconductor body. The semiconductor body includes a porous structure in the porous area. A semiconductor layer is formed on the porous area. Semiconductor regions are formed in the semiconductor layer. Then, the semiconductor layer is separated from the semiconductor body along the porous area, including introducing hydrogen into the porous area by a thermal treatment.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括形成半导体本体的多孔区域。 半导体本体在多孔区域中包括多孔结构。 在多孔区域上形成半导体层。 在半导体层中形成半导体区域。 然后，半导体层沿着多孔区域与半导体本体分离，包括通过热处理将氢引入多孔区域。

公开(公告)号：US08319261B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US12984934

申请日：2011-01-05

申请人： Anton Mauder ,  Stefan Sedlmaier ,  Ralf Erichsen ,  Hans Weber ,  Oliver Haeberlen ,  Franz Hirler

发明人： Anton Mauder ,  Stefan Sedlmaier ,  Ralf Erichsen ,  Hans Weber ,  Oliver Haeberlen ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7804

摘要： A semiconductor component having a semiconductor body having a first and a second side, an edge and an edge region adjacent to the edge in a lateral direction is described.

摘要翻译： 描述了具有半导体本体的半导体部件，该半导体本体具有第一和第二侧面，边缘和与横向方向上的边缘相邻的边缘区域。

公开(公告)号：US08269270B2

公开(公告)日：2012-09-18

申请号：US11016963

申请日：2004-12-20

申请人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze

发明人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/402 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/861

摘要： A vertical semiconductor component having a semiconductor body, which has an inner region and an edge region that is arranged between the inner region and an edge of the semiconductor body. At least one semiconductor junction between a first semiconductor zone of a first conduction type, said first semiconductor zone being arranged in the region of a first side of the semiconductor body in the inner region, and a second semiconductor zone of the second conduction type, said second semiconductor zone adjoining the first semiconductor zone in the vertical direction. A contiguous third semiconductor zone of the second conduction type, said third semiconductor zone being arranged at a distance from the first semiconductor zone in the second semiconductor zone in the vertical direction of the semiconductor body and extending as far as the edge region in the lateral direction of the semiconductor body, and the doping of the third semiconductor zone being selected in such a manner that it is completely depleted of charge carriers when a reverse voltage is applied to the pn junction.

摘要翻译： 一种具有半导体本体的垂直半导体部件，其具有布置在半导体本体的内部区域和边缘之间的内部区域和边缘区域。 在第一导电类型的第一半导体区域之间的至少一个半导体结，所述第一半导体区域布置在所述内部区域中的所述半导体本体的第一侧的区域中，以及所述第二导电类型的第二半导体区域， 第二半导体区在垂直方向上邻接第一半导体区。 第二导电类型的连续的第三半导体区域，所述第三半导体区域在半导体本体的垂直方向上与所述第二半导体区域中的所述第一半导体区域一定距离设置，并且在横向方向上延伸至所述边缘区域 并且以这样的方式选择第三半导体区域的掺杂，使得当向pn结施加反向电压时，其完全耗尽电荷载流子。