公开(公告)号：US20090294775A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12474143

申请日：2009-05-28

申请人： Makoto Saito ,  Shin-Ichiro Kawabata ,  Derrick S. Kamber ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Makoto Saito ,  Shin-Ichiro Kawabata ,  Derrick S. Kamber ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/20 ,  C30B25/02 ,  C30B28/14 ,  C30B30/00

CPC分类号： C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

摘要： A method of obtaining a hexagonal würtzite type epitaxial layer with a low impurity concentration of alkali-metal by using a hexagonal würtzite substrate possessing a higher impurity concentration of alkali-metal, wherein a surface of the substrate upon which the epitaxial layer is grown has a crystal plane which is different from the c-plane.

摘要翻译： 一种通过使用具有较高杂质浓度的碱金属的六方晶系铁氧体基板来获得具有低杂质浓度的碱金属的六方晶系的外延层的方法，其中生长该外延层的基板的表面具有 与c平面不同的晶体平面。

公开(公告)号：US20090194761A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：US12364258

申请日：2009-02-02

申请人： Hisashi Masui ,  Hisashi Yamada ,  Kenji Iso ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars

发明人： Hisashi Masui ,  Hisashi Yamada ,  Kenji Iso ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L33/34 ,  H01L33/16

摘要： An increase in the Indium (In) content in light-emitting layers of light-emitting diode (LED) structures prepared on nonpolar III-nitride substrates result in higher polarization ratios for light emission than LED structures containing lesser In content. Polarization ratios should be higher than 0.7 at wavelengths longer than 470 nm.

摘要翻译： 在非极性III族氮化物衬底上制备的发光二极管（LED）结构的发光层中的铟（In）含量的增加导致与含有较少In含量的LED结构相比较高的发光极化比。 在470nm以上的波长下，极化率应高于0.7。

公开(公告)号：US20080198881A1

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：US12030124

申请日：2008-02-12

申请人： Robert M. Farrell ,  Mathew C. Schmidt ,  Kwang Choong Kim ,  Hisashi Masui ,  Daniel F. Feezell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Robert M. Farrell ,  Mathew C. Schmidt ,  Kwang Choong Kim ,  Hisashi Masui ,  Daniel F. Feezell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01S5/06

CPC分类号： H01S5/32341 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/10 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3404 ,  H01S5/34333

摘要： Optical gain of a nonpolar or semipolar Group-III nitride diode laser is controlled by orienting an axis of light propagation in relation to an optical polarization direction or crystallographic orientation of the diode laser. The axis of light propagation is substantially perpendicular to the mirror facets of the diode laser, and the optical polarization direction is determined by the crystallographic orientation of the diode laser. To maximize optical gain, the axis of light propagation is oriented substantially perpendicular to the optical polarization direction or crystallographic orientation.

摘要翻译： 非极性或半极性III族氮化物二极管激光器的光学增益通过相对于二极管激光器的光学偏振方向或晶体取向定向光传播的轴来控制。 光传播的轴线基本上垂直于二极管激光器的镜面，并且光学偏振方向由二极管激光器的晶体取向决定。 为了使光学增益最大化，光传播的轴线基本上垂直于光学偏振方向或结晶取向。

公开(公告)号：US20080191192A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US12030117

申请日：2008-02-12

申请人： Daniel F. Feezell ,  Matthew C. Schmidt ,  Kwang Choong Kim ,  Robert M. Farrell ,  Daniel A. Cohen ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Daniel F. Feezell ,  Matthew C. Schmidt ,  Kwang Choong Kim ,  Robert M. Farrell ,  Daniel A. Cohen ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333

摘要： A method for fabricating AlxGa1-xN-cladding-free nonpolar III-nitride based laser diodes or light emitting diodes. Due to the absence of polarization fields in the nonpolar crystal planes, these nonpolar devices have thick quantum wells that function as an optical waveguide to effectively confine the optical mode to the active region and eliminate the need for Al-containing waveguide cladding layers.

摘要翻译： 一种用于制造Al x Ga 1-x N不包覆非极性III族氮化物基激光二极管或发光二极管的方法。 由于在非极性晶面中没有极化场，这些非极性器件具有用作光波导的厚量子阱，以有效地将光学模式限制在有源区，并且不需要含Al波导覆层。

公开(公告)号：US07220658B2

公开(公告)日：2007-05-22

申请号：US10537644

申请日：2003-07-15

申请人： Benjamin A Haskell ,  Michael D. Craven ,  Paul T. Fini ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Benjamin A Haskell ,  Michael D. Craven ,  Paul T. Fini ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： Lateral epitaxial overgrowth (LEO) of non-polar a-plane gallium nitride (GaN) films by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) results in significantly reduced defect density.

摘要翻译： 通过氢化物气相外延（HVPE）的非极性a面平面氮化镓（GaN）膜的横向外延生长（LEO）导致显着降低的缺陷密度。

公开(公告)号：US08795430B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US12716176

申请日：2010-03-02

申请人： Robert M. Farrell ,  Michael Iza ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Robert M. Farrell ,  Michael Iza ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： B32B27/32 ,  B32B17/10 ,  B32B9/00 ,  B32B19/00 ,  C30B23/00 ,  C30B25/00 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14

CPC分类号： H01L21/02609 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/005 ,  H01L33/007 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343 ,  Y10T428/31

摘要： A method for improving the growth morphology of (Ga,Al,In,B)N thin films on nonpolar or semipolar (Ga,Al,In,B)N substrates, wherein a (Ga,Al,In,B)N thin film is grown directly on a nonpolar or semipolar (Ga,Al,In,B)N substrate or template and a portion of the carrier gas used during growth is comprised of an inert gas. Nonpolar or semipolar nitride LEDs and diode lasers may be grown on the smooth (Ga,Al,In,B)N thin films grown by the present invention.

摘要翻译： （Ga，Al，In，B）N薄膜中的（Ga，Al，In，B）N薄膜的生长形态的改进方法，其中，（Ga，Al，In，B） 直接在非极性或半极性（Ga，Al，In，B）N底物或模板上生长，并且在生长期间使用的载体气体的一部分由惰性气体组成。 可以在由本发明生长的光滑（Ga，Al，In，B）N薄膜上生长非极性或半极性氮化物LED和二极管激光器。

公开(公告)号：US08691671B2

公开(公告)日：2014-04-08

申请号：US13427590

申请日：2012-03-22

申请人： Asako Hirai ,  Zhongyuan Jia ,  Makoto Saito ,  Hisashi Yamada ,  Kenji Iso ,  Steven P. Denbaars ,  Shuji Nakamura ,  James S. Speck

发明人： Asako Hirai ,  Zhongyuan Jia ,  Makoto Saito ,  Hisashi Yamada ,  Kenji Iso ,  Steven P. Denbaars ,  Shuji Nakamura ,  James S. Speck

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B23/025 ,  C30B23/066 ,  C30B25/18 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/403 ,  C30B29/60 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/26 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/036 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333 ,  Y10T428/24612

摘要： A nonpolar III-nitride film grown on a miscut angle of a substrate, in order to suppress the surface undulations, is provided. The surface morphology of the film is improved with a miscut angle towards an α-axis direction comprising a 0.15° or greater miscut angle towards the α-axis direction and a less than 30° miscut angle towards the α-axis direction.

摘要翻译： 提供了为了抑制表面波动而在衬底的错误角度上生长的非极性III族氮化物膜。 膜的表面形态通过朝向朝向α轴方向具有0.15°以上的误差角和朝向α轴方向的小于30°的倾斜角度的朝向α轴方向的误差角度而改善。

公开(公告)号：US08647967B2

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：US12474143

申请日：2009-05-28

申请人： Makoto Saito ,  Shin-Ichiro Kawabata ,  Derrick S. Kamber ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Makoto Saito ,  Shin-Ichiro Kawabata ,  Derrick S. Kamber ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

摘要： A method of obtaining a hexagonal würtzite type epitaxial layer with a low impurity concentration of alkali-metal by using a hexagonal würtzite substrate possessing a higher impurity concentration of alkali-metal, wherein a surface of the substrate upon which the epitaxial layer is grown has a crystal plane which is different from the c-plane.

摘要翻译： 一种通过使用具有较高杂质浓度的碱金属的六方晶系铁氧体基板来获得具有低杂质浓度的碱金属的六方晶系的外延层的方法，其中生长该外延层的基板的表面具有 与c平面不同的晶体平面。

公开(公告)号：US08368179B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US13311986

申请日：2011-12-06

申请人： John F. Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： John F. Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy J. Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin A. Haskell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L29/20

CPC分类号： H01L21/02433 ,  C30B23/025 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for improved growth of a semipolar (Al,In,Ga,B)N semiconductor thin film using an intentionally miscut substrate. Specifically, the method comprises intentionally miscutting a substrate, loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1-xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1-xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.

摘要翻译： 使用有意识的基板改善半极性（Al，In，Ga，B）N半导体薄膜生长的方法。 具体地说，该方法包括有意地将基板，基板加载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热基板，在加热的基板上沉积In x Ga 1-x N成核层，沉积半极性氮化物 半导体薄膜在InxGa1-xN成核层上，并在氮气过压下冷却衬底。

公开(公告)号：US20120273796A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：US13459963

申请日：2012-04-30

申请人： Yuji Zhao ,  Shinichi Tanaka ,  Chia-Yen Huang ,  Daniel F. Feezell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Yuji Zhao ,  Shinichi Tanaka ,  Chia-Yen Huang ,  Daniel F. Feezell ,  James S. Speck ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/16 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32

摘要： A Group-III nitride optoelectronic device fabricated on a semipolar (20-2-1) plane of a Gallium Nitride (GaN) substrate is characterized by a high Indium uptake and a high polarization ratio.

摘要翻译： 在氮化镓（GaN）衬底的半极（20-2-1）平面上制造的III族氮化物光电子器件的特征在于高的铟吸收和高的偏振比。