公开(公告)号：US6120846A

公开(公告)日：2000-09-19

申请号：US996575

申请日：1997-12-23

申请人： Frank Hintermaier ,  Bryan Hendrix ,  Jeff Roeder ,  Peter Van Buskirk ,  Thomas H. Baum

发明人： Frank Hintermaier ,  Bryan Hendrix ,  Jeff Roeder ,  Peter Van Buskirk ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/40 ,  H01B3/12 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  B05D5/00 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/04 ,  C23C16/40 ,  H01L21/31691

摘要： A method is described for the selective deposition of bismuth based ferroelectric films by selective chemical vapor deposition on a substrate. Selectivity in the deposition process is attained by selection of substrate-precursor combinations which assure high bismuth deposition efficiency in certain areas and low bismuth deposition efficiency in other areas in combination with specific process parameters.

摘要翻译： 描述了通过选择性化学气相沉积在基底上选择性沉积铋基铁电薄膜的方法。 沉积过程中的选择性通过选择确保某些区域中高铋沉积效率的底物 - 前体组合，并结合特定工艺参数在其它区域中具有低铋沉积效率来实现。

公开(公告)号：US5972743A

公开(公告)日：1999-10-26

申请号：US759761

申请日：1996-12-03

申请人： Timothy E. Glassman ,  Thomas H. Baum ,  James V. McManus ,  W. Karl Olander

发明人： Timothy E. Glassman ,  Thomas H. Baum ,  James V. McManus ,  W. Karl Olander

IPC分类号： C23C14/48 ,  C30B31/00 ,  C30B31/22 ,  H01L21/265 ,  H01L21/338 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L21/26513 ,  C23C14/48 ,  C30B31/00 ,  C30B31/22 ,  Y10S438/914

摘要： A method for n-doping a material layer with antimony, comprising ion implanting antimony from an antimony precursor composition including a compound of the formula SbX.sub.n ((CH.sub.2).sub.y SiR.sub.3).sub.n-3, wherein: n is an integer having a value of 1 or 2; y is an integer having a value of from 1 to 3 inclusive; each R is independently selected from C.sub.1 -C.sub.4 alkyl; and each X is independently selected from halo substituents. The antimony precursor composition may further include a fluorine-containing auxiliary gas, to effect in situ cleaning of the ionization chamber during ion implantation.

摘要翻译： 一种用锑掺杂材料层的方法，包括从包含式SbXn（（CH 2）y SiR 3）n-3的化合物的锑前体组合物离子注入锑，其中：n是具有值1的整数或 2; y为1〜3的整数， 每个R独立地选自C 1 -C 4烷基; 并且每个X独立地选自卤素取代基。 锑前体组合物还可以包括含氟辅助气体，以在离子注入期间实现电离室的原位清洁。

公开(公告)号：US5859274A

公开(公告)日：1999-01-12

申请号：US960915

申请日：1997-10-30

申请人： Thomas H. Baum ,  Gautam Bhandari ,  Margaret Chappuis

发明人： Thomas H. Baum ,  Gautam Bhandari ,  Margaret Chappuis

IPC分类号： C07F9/94

CPC分类号： C07F9/94

摘要： Anhydrous mononuclear tris(.beta.-diketonato)bismuth complexes, useful as precursors for chemical vapor deposition of bismuth, for producing Bi-containing films of significantly improved stoichiometry, morphology and functional character, as compared to films obtained from dinuclear tris(.beta.-diketonato)bismuth complexes of the prior art.

摘要翻译： 与从双核三（β-二酮）衍生的薄膜获得的薄膜相比，无水单核三（β-二酮）铋络合物可用作铋的化学气相沉积的前体，用于生产显着改善的化学计量，形态和功能特征的含Bi薄膜， 现有技术的铋络合物。

公开(公告)号：US5525392A

公开(公告)日：1996-06-11

申请号：US514476

申请日：1995-08-11

申请人： Thomas H. Baum ,  Paul B. Comita ,  Mark S. Crowder ,  George W. Tyndall, III

发明人： Thomas H. Baum ,  Paul B. Comita ,  Mark S. Crowder ,  George W. Tyndall, III

IPC分类号： G11B5/725 ,  G11B5/84 ,  G11B5/00

CPC分类号： G11B5/8408 ,  G11B5/725 ,  G11B5/84 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/30 ,  Y10T428/3154

摘要： The present invention relates to a process for coating a magnetic recording device with a lubricating polymeric film using an ion beam generator.

摘要翻译： 本发明涉及使用离子束发生器涂覆带有润滑聚合物膜的磁记录装置的方法。

公开(公告)号：US5407710A

公开(公告)日：1995-04-18

申请号：US101653

申请日：1993-08-04

申请人： Thomas H. Baum ,  Paul B. Comita ,  Carl E. Larson ,  George W. Tyndall, III

发明人： Thomas H. Baum ,  Paul B. Comita ,  Carl E. Larson ,  George W. Tyndall, III

IPC分类号： G02F1/1343 ,  C23C16/04 ,  G02F1/13 ,  H05K3/14 ,  H05K3/22 ,  H05K3/32 ,  B05D3/06

CPC分类号： H05K3/146 ,  C23C16/047 ,  G02F1/1309

摘要： The present invention relates to a method for the interconnection/repair of circuits on a transparent substrate at ambient temperature using laser induced chemical vapor deposition.

摘要翻译： 本发明涉及使用激光诱导化学气相沉积在环境温度下在透明基板上互连/修复电路的方法。

公开(公告)号：US4880959A

公开(公告)日：1989-11-14

申请号：US263103

申请日：1988-10-26

申请人： Thomas H. Baum ,  Paul B. Comita ,  Robert L. Jackson

发明人： Thomas H. Baum ,  Paul B. Comita ,  Robert L. Jackson

IPC分类号： H05K3/40 ,  H01L21/70 ,  H05K3/02 ,  H05K3/22 ,  H05K3/46

CPC分类号： H05K3/225 ,  H01L21/707 ,  H05K3/467 ,  H05K2201/0317 ,  H05K2203/0361 ,  H05K2203/107 ,  H05K2203/1338 ,  H05K2203/173 ,  H05K3/027

摘要： Thin-film electrical circuits are interconnected by a process comprising the steps of partially ablating the existing thin-film conductor at the connection point(s) by means of a pulsed laser and depositing a thin-film metal interconnection over the desired area, which includes the area(s) of the existing thin-film circuit that were exposed the pulsed laser.

公开(公告)号：US09522773B2

公开(公告)日：2016-12-20

申请号：US13382743

申请日：2010-07-09

申请人： Glenn Tom ,  Thomas H. Baum ,  Matthew Kusz ,  Joseph Menning ,  Greg Nelson ,  Dongyun Lee ,  Wei Liu ,  Kanghyun Kim ,  Karl Boggs ,  Richard Chism

发明人： Glenn Tom ,  Thomas H. Baum ,  Matthew Kusz ,  Joseph Menning ,  Greg Nelson ,  Dongyun Lee ,  Wei Liu ,  Kanghyun Kim ,  Karl Boggs ,  Richard Chism

IPC分类号： B65D35/28 ,  B65D35/56 ,  B65D1/40 ,  B65D83/00 ,  B05B7/24 ,  B65D35/02 ,  B65D83/60 ,  B65D77/06 ,  B05B11/00 ,  B65D83/62 ,  B29C49/04 ,  B29C49/06 ,  B29L23/00

CPC分类号： B65D83/0055 ,  B05B7/241 ,  B05B11/00412 ,  B05B11/30 ,  B29C49/04 ,  B29C49/06 ,  B29L2023/006 ,  B65D35/02 ,  B65D77/06 ,  B65D77/065 ,  B65D83/60 ,  B65D83/62 ,  B65D2231/001 ,  B65D2231/004 ,  B65D2231/008

摘要： The present disclosure relates to a blow-molded, rigid collapsible liner that can be suitable particularly for smaller storage and dispensing systems. The rigid collapsible liner may be a stand-alone liner, e.g., used without an outer container, and may be dispensed from a fixed pressure dispensing can. Folds in the rigid collapsible liner may be substantially eliminated, thereby substantially reducing or eliminating the problems associated with pinholes, weld tears, and overflow. The present disclosure also relates to flexible gusseted or non-gusseted liners, which is scalable in size and may be used for storage of up to 200 L or more. The flexible gusseted liner may be foldable, such that the liner can be introduced into a dispensing can. The liner can be made of thicker materials, substantially reducing or eliminating the problems associated pinholes, and may include more robust welds, substantially reducing or eliminating the problems associated weld tears.

摘要翻译： 本发明涉及吹塑成型的刚性可折叠衬里，其特别适用于较小的储存和分配系统。 刚性可折叠内衬可以是独立的衬垫，例如在没有外部容器的情况下使用，并且可以从固定的压力分配罐分配。 可以基本上消除刚性可折叠衬里中的折叠，从而基本上减少或消除与针孔，焊缝和溢流相关的问题。 本公开还涉及柔性角撑板或非角撑板衬垫，其可尺寸可缩放并且可以用于高达200L或更高的存储。 柔性角撑板衬垫可以是可折叠的，使得衬里可以被引入到分配罐中。 衬里可以由更厚的材料制成，大大减少或消除与针孔相关的问题，并且可以包括更坚固的焊缝，大大减少或消除与焊缝相关的问题。

公开(公告)号：US09340878B2

公开(公告)日：2016-05-17

申请号：US13375053

申请日：2010-05-28

申请人： Jose I. Arno ,  Joseph R. Despres ,  Shkelqim Letaj ,  Steven M. Lurcott ,  Thomas H. Baum ,  Peng Zou

发明人： Jose I. Arno ,  Joseph R. Despres ,  Shkelqim Letaj ,  Steven M. Lurcott ,  Thomas H. Baum ,  Peng Zou

IPC分类号： G01N31/00 ,  C23C16/52 ,  G01N21/3504 ,  C23C16/14

CPC分类号： C23C16/52 ,  C23C16/14 ,  C23C16/455 ,  G01N21/3504

摘要： Apparatus and method for monitoring a vapor deposition installation in which a gas mixture can undergo gas phase nucleation (GPN) and/or chemically attack the product device, under process conditions supportive of such behavior. The apparatus includes a radiation source arranged to transmit source radiation through a sample of the gas mixture, and a thermopile detector assembly arranged to receive output radiation resulting from interaction of the source radiation with the gas mixture sample, and to responsively generate an output indicative of onset of the gas phase nucleation and/or chemical attack when such onset occurs. Such monitoring apparatus and methodology is useful in tungsten CVD processing to achieve high rate tungsten film growth without GPN or chemical attack.

摘要翻译： 用于监测气相沉积装置的装置和方法，其中气体混合物可以在支持这种行为的工艺条件下经历气相成核（GPN）和/或化学侵蚀产品装置。 该装置包括被布置成通过气体混合物的样本传送源辐射的辐射源，以及布置成接收由源辐射与气体混合物样品的相互作用产生的输出辐射的热电堆检测器组件，并且响应地产生指示 发生这种发生时气相成核和/或化学侵蚀的发生。 这种监测装置和方法在钨CVD处理中可用于实现无GPN或化学侵蚀的高速钨膜生长。

公开(公告)号：US09134146B2

公开(公告)日：2015-09-15

申请号：US13381332

申请日：2010-06-23

申请人： Thomas H. Baum ,  Ing-Shin Barry Chen ,  Richard D. Chism

发明人： Thomas H. Baum ,  Ing-Shin Barry Chen ,  Richard D. Chism

IPC分类号： G01D11/24

CPC分类号： G01D11/245

摘要： A fluid monitoring apparatus, including a circuitry housing containing circuitry for processing fluid sensing signals and responsively transmitting an output, with a sensor assembly adapted for mechanical and electrical coupling to the circuitry housing. The sensor assembly includes at least one sensing member arranged to respond to a fluid species of interest in the monitored fluid, for generation of an output. The apparatus includes at least one of (A) a printed circuit board adapted to engage the circuitry housing and to mechanically couple to the sensor assembly, (B) the sensor assembly including a base and sensing element removably connected to the base by press-fit coupling elements, and (C) the sensor assembly including a base and a sensing filament connected thereto, and a filament guard to protectively circumscribe the sensing filament.

摘要翻译： 一种流体监测装置，包括用于处理流体感测信号并且响应地传输输出的电路壳体，其具有适于机械和电耦合到电路壳体的传感器组件。 传感器组件包括至少一个感测构件，其被布置成响应被监视流体中感兴趣的流体种类，以产生输出。 该装置包括以下中的至少一个：（A）适于接合电路外壳并机械地耦合到传感器组件的印刷电路板中的至少一个;（B）传感器组件，包括基座和感测元件，该基座和感测元件通过压配合可移除地连接到基座 耦合元件，和（C）传感器组件，其包括基座和连接到其上的感测灯丝，以及灯丝防护罩，用于保护地围绕感测灯丝。

公开(公告)号：US08679734B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13568790

申请日：2012-08-07

申请人： David W. Minsek ,  Melissa K. Rath ,  David D. Bernhard ,  Thomas H. Baum

发明人： David W. Minsek ,  Melissa K. Rath ,  David D. Bernhard ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： G03F7/42 ,  B08B3/04

CPC分类号： C11D3/30 ,  C11D1/72 ,  C11D3/044 ,  C11D3/3947 ,  C11D3/3955 ,  C11D3/3956 ,  C11D3/43 ,  C11D7/06 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D7/50 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/20 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31133 ,  Y10S438/906

摘要： Disclosed herein is a composition and method for semiconductor processing. In one embodiment, a wet-cleaning composition for removal of photoresist is provided. The composition comprises a strong base; an oxidant; and a polar solvent. In another embodiment, a method for removing photoresist is provided. The method comprises the steps of applying a wet-cleaning composition comprising about 0.1 to about 30 weight percent strong base; about one to about 30 weight percent oxidant; about 20 to about 95 weight percent polar solvent; and removing the photoresist.

摘要翻译： 本文公开了一种用于半导体处理的组合物和方法。 在一个实施方案中，提供了用于去除光致抗蚀剂的湿清洁组合物。 组合物包含强碱; 氧化剂 和极性溶剂。 在另一个实施例中，提供了一种去除光刻胶的方法。 该方法包括以下步骤：施加包含约0.1至约30重量％的强碱的湿清洁组合物; 约1到约30重量％的氧化剂; 约20至约95重量％的极性溶剂; 并去除光致抗蚀剂。