公开(公告)号：US07838431B2

公开(公告)日：2010-11-23

申请号：US12143606

申请日：2008-06-20

申请人： Errol Sanchez

发明人： Errol Sanchez

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/268 ,  B23K26/1224 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/67115

摘要： Methods and apparatus for processing a substrate are provided herein. In some embodiments, a method of processing a substrate may include providing a substrate having at least one of a defect or a contaminant disposed on or near a surface of the substrate; and selectively annealing a portion of the substrate with a laser beam in the presence of a process gas comprising hydrogen. The laser beam may be moved over the substrate or continuously, or in a stepwise fashion. The laser beam may be applied in a continuous wave or pulsed mode. The process gas may further comprise an inert gas, such as, at least one of helium, argon, or nitrogen. A layer of material may be subsequently deposited atop the annealed substrate.

摘要翻译： 本文提供了用于处理衬底的方法和设备。 在一些实施例中，处理衬底的方法可以包括提供具有设置在衬底的表面上或附近的缺陷或污染物中的至少一种的衬底; 以及在包含氢气的工艺气体存在下用激光束选择性地退火所述衬底的一部分。 激光束可以在衬底上或连续地或以逐步的方式移动。 可以以连续波或脉冲模式施加激光束。 工艺气体还可包括惰性气体，例如氦气，氩气或氮气中的至少一种气体。 随后可以将一层材料沉积在退火的衬底上。

公开(公告)号：US20100120235A1

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：US12270630

申请日：2008-11-13

申请人： Yi-Chiau HUANG ,  Masato ISHII ,  Errol SANCHEZ

发明人： Yi-Chiau HUANG ,  Masato ISHII ,  Errol SANCHEZ

IPC分类号： H01L31/20 ,  G06F19/00

CPC分类号： H01L21/02532 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/22 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0262

摘要： Embodiments of methods for depositing silicon germanium (SiGe) layers on a substrate are disclosed herein. In some embodiments, the method includes depositing a silicon germanium seed layer atop the substrate using a first precursor comprising silicon and chlorine; and depositing a silicon germanium bulk layer atop the silicon germanium seed layer using a second precursor comprising silicon and hydrogen. In some embodiments, the first silicon precursor gas may comprise at least one of dichlorosilane (H2SiCl2), trichlorosilane (HSiCl3), or silicon tetrachloride (SiCl4). In some embodiments, the second silicon precursor gas may comprise at least one of silane (SiH4), or disilane (Si2H6).

摘要翻译： 本文公开了在衬底上沉积硅锗（SiGe）层的方法的实施例。 在一些实施方案中，该方法包括使用包含硅和氯的第一前体沉积衬底顶部的硅锗种子层; 以及使用包含硅和氢的第二前体在硅锗籽晶层顶上沉积硅锗体层。 在一些实施方案中，第一硅前体气体可以包含二氯硅烷（H 2 SiCl 2），三氯硅烷（HSiCl 3）或四氯化硅（SiCl 4）中的至少一种。 在一些实施例中，第二硅前体气体可以包括硅烷（SiH 4）或乙硅烷（Si 2 H 6）中的至少一种。

公开(公告)号：US20090211523A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US12394203

申请日：2009-02-27

申请人： Satheesh Kuppurao ,  David K. Carlson ,  Manish Hemkar ,  Andrew Lam ,  Errol Sanchez ,  Howard Beckford

发明人： Satheesh Kuppurao ,  David K. Carlson ,  Manish Hemkar ,  Andrew Lam ,  Errol Sanchez ,  Howard Beckford

IPC分类号： B05C11/00

CPC分类号： C23C16/46 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248

摘要： Systems and apparatus are disclosed for adjusting the temperature of at least a portion of the surface of a reaction chamber during a film formation process to control film properties. More than one portion of the chamber surface may be temperature-modulated.

摘要翻译： 公开了用于在成膜过程中调节反应室表面的至少一部分的温度以控制膜性质的系统和装置。 腔表面的多于一个部分可以进行温度调制。

公开(公告)号：US20090011578A1

公开(公告)日：2009-01-08

申请号：US12201681

申请日：2008-08-29

申请人： ARKADII V. SAMOILOV ,  Yihwan Kim ,  Errol Sanchez ,  Nicholas C. Dalida

发明人： ARKADII V. SAMOILOV ,  Yihwan Kim ,  Errol Sanchez ,  Nicholas C. Dalida

IPC分类号： H01L21/203

CPC分类号： H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

摘要： In one embodiment, a method for forming a silicon-based material on a substrate having dielectric materials and source/drain regions thereon within a process chamber is provided which includes exposing the substrate to a first process gas comprising silane, methylsilane, a first etchant, and hydrogen gas to deposit a first silicon-containing layer thereon. The first silicon-containing layer may be selectively deposited on the source/drain regions of the substrate while the first silicon-containing layer may be etched away on the surface of the dielectric materials of the substrate. Subsequently, the process further provides exposing the substrate to a second process gas comprising dichlorosilane and a second etchant to deposit a second silicon-containing layer selectively over the surface of the first silicon-containing layer on the substrate.

摘要翻译： 在一个实施例中，提供了一种在处理室内具有电介质材料和源极/漏极区的衬底上形成硅基材料的方法，其包括将衬底暴露于包含硅烷，甲基硅烷，第一蚀刻剂的第一工艺气体， 和氢气以在其上沉积第一含硅层。 第一含硅层可以选择性地沉积在衬底的源极/漏极区上，同时第一含硅层可被​​蚀刻掉在衬底的电介质材料的表面上。 随后，该方法进一步提供将衬底暴露于包含二氯硅烷和第二蚀刻剂的第二工艺气体，以在衬底上的第一含硅层的表面上选择性地沉积第二含硅层。

公开(公告)号：US20070256627A1

公开(公告)日：2007-11-08

申请号：US11742932

申请日：2007-05-01

申请人： YIHWAN KIM ,  Majeed Foad ,  Yonah Cho ,  Zhiyuan Ye ,  Ali Zojaji ,  Errol Sanchez

发明人： YIHWAN KIM ,  Majeed Foad ,  Yonah Cho ,  Zhiyuan Ye ,  Ali Zojaji ,  Errol Sanchez

IPC分类号： C30B23/00 ,  C23C16/00 ,  B05D3/02 ,  C30B25/00

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/2233 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66287 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636

摘要： A method for forming an ultra shallow junction on a substrate is provided. In certain embodiments a method of forming an ultra shallow junction on a substrate is provided. The substrate is placed into a process chamber. A silicon carbon layer is deposited on the substrate. The silicon carbon layer is exposed to a dopant. The substrate is heated to a temperature greater than 950° C. so as to cause substantial annealing of the dopant within the silicon carbon layer. In certain embodiments the substrate is heated to a temperature between about 1000° C. and about 1100°. In certain embodiments the substrate is heated to a temperature between about 1030° C. and 1050° C. In certain embodiments, a structure having an abrupt p-n junction is provided.

摘要翻译： 提供了一种在基板上形成超浅结的方法。 在某些实施例中，提供了在衬底上形成超浅结的方法。 将基底放置在处理室中。 硅基层沉积在基底上。 硅碳层暴露于掺杂剂。 将基板加热至大于950℃的温度，以使硅碳层内的掺杂剂发生实际退火。 在某些实施方案中，将基材加热至约1000℃至约1100℃之间的温度。 在某些实施方案中，将衬底加热至约1030℃至1050℃之间的温度。在某些实施方案中，提供具有突变p-n结的结构。

公开(公告)号：US20070042117A1

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：US11205647

申请日：2005-08-17

申请人： Satheesh Kuppurao ,  David Carlson ,  Manish Hemkar ,  Andrew Lam ,  Errol Sanchez ,  Howard Beckford

发明人： Satheesh Kuppurao ,  David Carlson ,  Manish Hemkar ,  Andrew Lam ,  Errol Sanchez ,  Howard Beckford

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/46 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248

摘要： Methods, systems and apparatus are disclosed for adjusting the temperature of at least a portion of the surface of a reaction chamber during a film formation process to control film properties. More than one portion of the chamber surface may be temperature-modulated.

摘要翻译： 公开了用于在成膜过程中调节反应室表面的至少一部分的温度以控制膜性质的方法，系统和装置。 腔表面的多于一个部分可以进行温度调制。

公开(公告)号：US20050079692A1

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：US10845984

申请日：2004-05-14

申请人： Arkadii Samoilov ,  Yihwan Kim ,  Errol Sanchez ,  Nicholas Dalida

发明人： Arkadii Samoilov ,  Yihwan Kim ,  Errol Sanchez ,  Nicholas Dalida

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： In one embodiment, a method for fabricating a silicon-based device on a substrate surface is provided which includes depositing a first silicon-containing layer by exposing the substrate surface to a first process gas comprising Cl2SiH2, a germanium source, a first etchant and a carrier gas and depositing a second silicon-containing layer by exposing the first silicon-containing layer to a second process gas comprising SiH4 and a second etchant. In another embodiment, a method for depositing a silicon-containing material on a substrate surface is provided which includes depositing a first silicon-containing layer on the substrate surface with a first germanium concentration of about 15 at % or more. The method further provides depositing on the first silicon-containing layer a second silicon-containing layer wherein a second germanium concentration of about 15 at % or less, exposing the substrate surface to air to form a native oxide layer, removing the native oxide layer to expose the second silicon-containing layer, and depositing a third silicon-containing layer on the second silicon-containing layer. In another embodiment, a method for depositing a silicon-containing material on a substrate surface is provided which includes depositing epitaxially a first silicon-containing layer on the substrate surface with a first lattice strain, and depositing epitaxially on the first silicon-containing layer a second silicon-containing layer with a second lattice strain greater than the first lattice strain.

摘要翻译： 在一个实施例中，提供了一种在衬底表面上制造硅基器件的方法，其包括通过将衬底表面暴露于包括Cl 2 SiH 2，锗源，第一蚀刻剂和第二蚀刻剂的第一工艺气体来沉积第一含硅层 载气并通过将第一含硅层暴露于包含SiH 4和第二蚀刻剂的第二工艺气体而沉积第二含硅层。 在另一个实施例中，提供了一种用于在衬底表面上沉积含硅材料的方法，其包括以约15at％或更多的第一锗浓度在衬底表面上沉积第一含硅层。 该方法进一步提供了在第一含硅层上沉积第二含硅层，其中第二锗浓度为约15原子％或更低，将基底表面暴露于空气中以形成天然氧化物层，将天然氧化物层去除 暴露第二含硅层，并在第二含硅层上沉积第三含硅层。 在另一个实施例中，提供了一种用于在衬底表面上沉积含硅材料的方法，其包括以第一晶格应变在衬底表面上外延沉积第一含硅层，并且在第一含硅层上外延沉积 第二含硅层具有大于第一晶格应变的第二晶格应变。

公开(公告)号：US06559039B2

公开(公告)日：2003-05-06

申请号：US09858821

申请日：2001-05-15

申请人： Shulin Wang ,  Lee Luo ,  Steven A. Chen ,  Errol Sanchez ,  Xianzhi Tao ,  Zoran Dragojlovic ,  Li Fu

发明人： Shulin Wang ,  Lee Luo ,  Steven A. Chen ,  Errol Sanchez ,  Xianzhi Tao ,  Zoran Dragojlovic ,  Li Fu

IPC分类号： H01L2124

CPC分类号： H01L21/67103 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877

摘要： A method for depositing doped polycrystalline or amorphous silicon film. The method includes placing a substrate onto a susceptor. The susceptor includes a body having a resistive heater therein and a thermocouple in physical contact with the resistive heater. The susceptor is located in the process chamber such that the process chamber has a top portion above the susceptor and a bottom portion below the susceptor. The method further includes heating the susceptor. The method further includes providing a process gas mix into the process chamber through a shower head located on the susceptor. The process gas mix includes a silicon source gas, a dopant gas, and a carrier gas. The carrier gas includes nitrogen. The method further includes forming the doped silicon film from the silicon source gas.

摘要翻译： 一种沉积掺杂多晶或非晶硅膜的方法。 该方法包括将基底放置在基座上。 感受体包括其中具有电阻加热器的主体和与电阻加热器物理接触的热电偶。 感受体位于处理室中，使得处理室具有在基座上方的顶部部分和基座下方的底部部分。 该方法还包括加热基座。 该方法还包括通过位于基座上的喷淋头将工艺气体混合物提供到处理室中。 处理气体混合物包括硅源气体，掺杂剂气体和载气。 载气包括氮气。 该方法还包括从硅源气体形成掺杂硅膜。

公开(公告)号：US09570328B2

公开(公告)日：2017-02-14

申请号：US13155943

申请日：2011-06-08

申请人： Kailash Patalay ,  Errol Sanchez

发明人： Kailash Patalay ,  Errol Sanchez

IPC分类号： F24J3/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/67115 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

摘要： Apparatus for use with multi-zonal heating sources are provided. In some embodiments, a substrate support may have a pocket disposed in a surface of the substrate support and a lip disposed about the pocket to receive an edge of a substrate and to support the substrate over the pocket such that a gap is defined between a pocket surface and a backside surface of the substrate when the substrate is disposed on the lip; a plurality of features to operate in combination with a plurality of heating zones provided by a multi-zonal heating source to provide a desired temperature profile on a frontside surface of a substrate when the substrate is disposed on the lip, and wherein the plurality of features are alternatingly disposed above and below a baseline surface profile of the pocket surface in a radial direction from a central axis of the substrate support.

摘要翻译： 提供了用于多区域加热源的设备。 在一些实施例中，衬底支撑件可以具有设置在衬底支撑件的表面中的口袋和设置在口袋周围的唇缘，以容纳衬底的边缘并且将衬底支撑在口袋上，使得在口袋 当衬底设置在唇缘上时，衬底的表面和背面; 多个特征，其与由多区域加热源提供的多个加热区组合操作，以在基板设置在唇缘上时在基板的前侧表面上提供期望的温度分布，并且其中多个特征 交替地设置在从衬底支撑件的中心轴线的径向方向上的袋表面的基线表面轮廓之上和之下。

公开(公告)号：US20120282714A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：US13530238

申请日：2012-06-22

申请人： Errol Sanchez ,  David K. Carlson ,  Craig Metzner

发明人： Errol Sanchez ,  David K. Carlson ,  Craig Metzner

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L21/68757 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52

摘要： Methods and apparatus for providing constant emissivity of the backside of susceptors are described. Provided is a method comprising: providing a susceptor in a deposition chamber, the susceptor comprising a susceptor plate and a layer comprising an oxide, a nitride, an oxynitride, or combinations thereof, the layer being stable in the presence of the reactive process gases; and locating the wafer on a support surface of the susceptor plate. The method can further comprise selectively depositing an epitaxial layer or a non-epitaxial layer on a surface of the wafer. The method can also further comprise selectively etching to maintain the oxide, nitride, oxynitride, or combinations thereof layer.

摘要翻译： 描述了用于提供感受器背面恒定发射率的方法和装置。 提供了一种方法，包括：在沉积室中提供感受器，所述基座包括基座板和包括氧化物，氮化物，氮氧化物或其组合的层，所述层在反应性工艺气体存在下是稳定的; 以及将所述晶片定位在所述基座板的支撑表面上。 该方法还可以包括在晶片的表面上选择性地沉积外延层或非外延层。 该方法还可以进一步包括选择性蚀刻以维持氧化物，氮化物，氧氮化物或其组合层。