公开(公告)号：US08330274B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US12893009

申请日：2010-09-29

申请人： Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Joern Plagmann ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Rainer Steiner ,  Mathias Vaupel

发明人： Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Joern Plagmann ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Rainer Steiner ,  Mathias Vaupel

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L24/03 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

摘要： One or more embodiments relate to a method of forming a semiconductor structure, comprising: providing a workpiece; forming a barrier layer over the workpiece; forming a seed layer over the barrier layer; forming an inhibitor layer over the seed layer; removing a portion of said inhibitor layer to expose a portion of the seed layer; and selectively depositing a fill layer on the exposed seed layer.

摘要翻译： 一个或多个实施例涉及一种形成半导体结构的方法，包括：提供工件; 在工件上形成阻挡层; 在阻挡层上形成种子层; 在种子层上形成抑制层; 去除所述抑制剂层的一部分以暴露所述种子层的一部分; 并且在曝光的种子层上选择性地沉积填充层。

公开(公告)号：US08148257B1

公开(公告)日：2012-04-03

申请号：US12894190

申请日：2010-09-30

申请人： Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Joern Plagmann ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Rainer Steiner ,  Mathias Vaupel

发明人： Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Joern Plagmann ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Rainer Steiner ,  Mathias Vaupel

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： One or more embodiments relate to a method of forming an electronic device, comprising: providing a workpiece; forming a first barrier layer over the workpiece; forming an intermediate conductive layer over the first barrier layer; forming a second barrier layer over the intermediate conductive layer; forming a seed layer over the second barrier layer; removing a portion of the seed layer to leave a remaining portion of the seed layer and to expose a portion of the second barrier layer; and electroplating a fill layer on the remaining portion of the seed layer.

摘要翻译： 一个或多个实施例涉及一种形成电子设备的方法，包括：提供工件; 在工件上形成第一阻挡层; 在所述第一阻挡层上形成中间导电层; 在所述中间导电层上形成第二阻挡层; 在所述第二阻挡层上形成种子层; 去除种子层的一部分以留下种子层的剩余部分并暴露第二阻挡层的一部分; 并在种子层的剩余部分上电镀填充层。

公开(公告)号：US20110101532A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12611609

申请日：2009-11-03

申请人： Jens Pohl ,  Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Rainer Steiner ,  Werner Robl ,  Mathias Vaupel

发明人： Jens Pohl ,  Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Rainer Steiner ,  Werner Robl ,  Mathias Vaupel

IPC分类号： H01L23/48 ,  H05K1/00 ,  C25D5/00 ,  C25D5/34

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A method for fabricating a device includes providing a substrate including at least one contact and applying a dielectric layer over the substrate. The method includes applying a first seed layer over the dielectric layer, applying an inert layer over the seed layer, and structuring the inert layer, the first seed layer, and the dielectric layer to expose at least a portion of the contact. The method includes applying a second seed layer over exposed portions of the structured dielectric layer and the contact such that the second seed layer makes electrical contact with the structured first seed layer. The method includes electroplating a metal on the second seed layer.

摘要翻译： 一种用于制造器件的方法包括提供包括至少一个接触的衬底并在衬底上施加电介质层。 该方法包括在电介质层上施加第一种子层，在种子层上施加惰性层，以及构造惰性层，第一籽晶层和电介质层以暴露至少一部分接触。 该方法包括在结构化介电层和触点的暴露部分上施加第二种子层，使得第二籽晶层与结构化的第一籽晶层电接触。 该方法包括在第二种子层上电镀金属。

公开(公告)号：US20100188905A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：US12358721

申请日：2009-01-23

申请人： Gerhard Poeppel ,  Hans-Joerg Timme ,  Werner Robl

发明人： Gerhard Poeppel ,  Hans-Joerg Timme ,  Werner Robl

IPC分类号： G11C15/02 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/66984 ,  B82Y25/00 ,  H01F10/3254

摘要： According to an embodiment of the present invention, a spin device includes an intermediate semiconductor region arranged between a first terminal and a second terminal, wherein the first terminal is adapted to provide a current having a first degree of spin polarization to the intermediate semiconductor region, and wherein the second terminal is adapted to output the current having a second degree of spin polarization. The spin device further includes a spin selective scattering structure abutting the intermediate semiconductor region, the spin selective scattering structure being adapted such that the first degree of spin polarization is altered to be the second degree, wherein the spin selective scattering structure comprises a control electrode being electrically insulated from the intermediate semiconductor region, and wherein the control electrode is adapted to apply an electrical field perpendicular to a direction of the current through the intermediate semiconductor region to control a magnitude of the current.

摘要翻译： 根据本发明的实施例，自旋装置包括布置在第一端子和第二端子之间的中间半导体区域，其中第一端子适于向中间半导体区域提供具有第一自旋极化度的电流， 并且其中所述第二端子适于输出具有第二自旋极化度的电流。 自旋装置还包括邻接中间半导体区域的自旋选择性散射结构，自旋选择性散射结构适于使第一自旋极化程度改变为第二程度，其中自旋选择性散射结构包括控制电极 与中间半导体区域电绝缘，并且其中控制电极适于施加垂直于通过中间半导体区域的电流的方向的电场以控制电流的大小。

公开(公告)号：US20080257744A1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：US11737530

申请日：2007-04-19

申请人： Johannes Lodermeyer ,  Edmund Riedl ,  Werner Robl

发明人： Johannes Lodermeyer ,  Edmund Riedl ,  Werner Robl

IPC分类号： C25D3/56

CPC分类号： C25D3/44 ,  C25D17/002 ,  C25D17/004 ,  C25D21/11

摘要： A method of making an integrated circuit including composition of matter for electrodepositing of aluminium is disclosed. One embodiment includes a bath having a solution of selected aluminium salts in a substantially anhydrous organic solvent, to uses of certain aluminium salts for electrodepositing and to processes for electrodepositing aluminium.

摘要翻译： 公开了一种制造集成电路的方法，该集成电路包括用于电沉积铝的物质的组成。 一个实施方案包括具有选定的铝盐在基本上无水的有机溶剂中的溶液的浴，使用某些铝盐进行电沉积和电沉积铝的方法。

公开(公告)号：US08338317B2

公开(公告)日：2012-12-25

申请号：US13080813

申请日：2011-04-06

申请人： Manfred Engelhardt ,  Hans-Joerg Timme ,  Ivan Nikitn ,  Manfred Frank ,  Thomas Kunstmann ,  Werner Robl ,  Guenther Ruhl

发明人： Manfred Engelhardt ,  Hans-Joerg Timme ,  Ivan Nikitn ,  Manfred Frank ,  Thomas Kunstmann ,  Werner Robl ,  Guenther Ruhl

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/405 ,  C23C4/08 ,  C23C4/134 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76885 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/074 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/27622 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/181 ,  H05H1/42 ,  H05K2203/1344 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/0105

摘要： According to various embodiments, a method for processing a semiconductor wafer or die is provided including supplying particles to a plasma such that the particles are activated by the plasma and spraying the activated particles on the semiconductor wafer or die to generate a particle layer on the semiconductor wafer or die.

摘要翻译： 根据各种实施例，提供了一种用于处理半导体晶片或裸片的方法，包括向等离子体供应颗粒，使得颗粒被等离子体激活并将活化的颗粒喷射在半导体晶片或裸片上，以在半导体上产生颗粒层 晶片或模具。

公开(公告)号：US20120256323A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：US13080813

申请日：2011-04-06

申请人： Manfred Engelhardt ,  Hans-Joerg Timme ,  Ivan Nikitn ,  Manfred Frank ,  Thomas Kunstmann ,  Werner Robl ,  Guenther Ruhl

发明人： Manfred Engelhardt ,  Hans-Joerg Timme ,  Ivan Nikitn ,  Manfred Frank ,  Thomas Kunstmann ,  Werner Robl ,  Guenther Ruhl

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/768 ,  B05B5/03

CPC分类号： H01L33/405 ,  C23C4/08 ,  C23C4/134 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76885 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/074 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/27622 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/181 ,  H05H1/42 ,  H05K2203/1344 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/0105

摘要： According to various embodiments, a method for processing a semiconductor wafer or die is provided including supplying particles to a plasma such that the particles are activated by the plasma and spraying the activated particles on the semiconductor wafer or die to generate a particle layer on the semiconductor wafer or die.

摘要翻译： 根据各种实施例，提供了一种用于处理半导体晶片或裸片的方法，包括向等离子体供应颗粒，使得颗粒被等离子体激活并将活化的颗粒喷射在半导体晶片或裸片上，以在半导体上产生颗粒层 晶片或模具。

公开(公告)号：US07974120B2

公开(公告)日：2011-07-05

申请号：US12358721

申请日：2009-01-23

申请人： Gerhard Poeppel ,  Hans-Joerg Timme ,  Werner Robl

发明人： Gerhard Poeppel ,  Hans-Joerg Timme ,  Werner Robl

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L29/66984 ,  B82Y25/00 ,  H01F10/3254

摘要： According to an embodiment of the present invention, a spin device includes an intermediate semiconductor region arranged between a first terminal and a second terminal, wherein the first terminal is adapted to provide a current having a first degree of spin polarization to the intermediate semiconductor region, and wherein the second terminal is adapted to output the current having a second degree of spin polarization. The spin device further includes a spin selective scattering structure abutting the intermediate semiconductor region, the spin selective scattering structure being adapted such that the first degree of spin polarization is altered to be the second degree, wherein the spin selective scattering structure comprises a control electrode being electrically insulated from the intermediate semiconductor region, and wherein the control electrode is adapted to apply an electrical field perpendicular to a direction of the current through the intermediate semiconductor region to control a magnitude of the current.

摘要翻译： 根据本发明的实施例，自旋装置包括布置在第一端子和第二端子之间的中间半导体区域，其中第一端子适于向中间半导体区域提供具有第一自旋极化度的电流， 并且其中所述第二端子适于输出具有第二自旋极化度的电流。 自旋装置还包括邻接中间半导体区域的自旋选择性散射结构，自旋选择性散射结构适于使第一自旋极化程度改变为第二程度，其中自旋选择性散射结构包括控制电极 与中间半导体区域电绝缘，并且其中控制电极适于施加垂直于通过中间半导体区域的电流的方向的电场以控制电流的大小。

公开(公告)号：US20080257743A1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：US11737536

申请日：2007-04-19

申请人： Johannes Lodermeyer ,  Edmund Riedl ,  Werner Robl

发明人： Johannes Lodermeyer ,  Edmund Riedl ,  Werner Robl

IPC分类号： C09D5/00 ,  C25C7/00 ,  C25D7/12

CPC分类号： C25D7/12 ,  C25D3/06 ,  C25D3/10 ,  C25D21/04

摘要： A method of making an integrated circuit including a composition of matter for electrodepositing of chromium is disclosed. One embodiment provides a bath having a solution of a chromium salt in a substantially anhydrous organic solvent, to uses of certain chromium salts for electrodepositing and to processes for electrodepositing chromium.

摘要翻译： 公开了一种制造集成电路的方法，该集成电路包括用于电沉积铬的物质组合物。 一个实施方案提供了一种具有铬盐在基本上无水的有机溶剂中的溶液的浴，用于某些铬盐的电沉积和电沉积铬的方法。

公开(公告)号：US09425146B2

公开(公告)日：2016-08-23

申请号：US12891865

申请日：2010-09-28

申请人： Thomas Fischer ,  Juergen Foerster ,  Werner Robl ,  Andreas Stueckjuergen

发明人： Thomas Fischer ,  Juergen Foerster ,  Werner Robl ,  Andreas Stueckjuergen

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L23/535 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2221/1078 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05193 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： One or more embodiments relate to a method for making a semiconductor structure, comprising: providing a workpiece; forming a barrier layer over the workpiece; forming a separation layer over the barrier layer; forming a conductive layer over the separation layer; and wet etching the conductive layer.

摘要翻译： 一个或多个实施例涉及制造半导体结构的方法，包括：提供工件; 在工件上形成阻挡层; 在阻挡层上形成分离层; 在分离层上形成导电层; 并湿式蚀刻导电层。