公开(公告)号：US08334202B2

公开(公告)日：2012-12-18

申请号：US12611609

申请日：2009-11-03

申请人： Jens Pohl ,  Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Rainer Steiner ,  Werner Robl ,  Mathias Vaupel

发明人： Jens Pohl ,  Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Rainer Steiner ,  Werner Robl ,  Mathias Vaupel

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A method for fabricating a device includes providing a substrate including at least one contact and applying a dielectric layer over the substrate. The method includes applying a first seed layer over the dielectric layer, applying an inert layer over the seed layer, and structuring the inert layer, the first seed layer, and the dielectric layer to expose at least a portion of the contact. The method includes applying a second seed layer over exposed portions of the structured dielectric layer and the contact such that the second seed layer makes electrical contact with the structured first seed layer. The method includes electroplating a metal on the second seed layer.

摘要翻译： 一种用于制造器件的方法包括提供包括至少一个接触的衬底并在衬底上施加电介质层。 该方法包括在电介质层上施加第一种子层，在种子层上施加惰性层，以及构造惰性层，第一种子层和电介质层以暴露至少一部分接触。 该方法包括在结构化介电层和触点的暴露部分上施加第二种子层，使得第二籽晶层与结构化的第一籽晶层电接触。 该方法包括在第二种子层上电镀金属。

公开(公告)号：US08330274B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US12893009

申请日：2010-09-29

申请人： Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Joern Plagmann ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Rainer Steiner ,  Mathias Vaupel

发明人： Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Joern Plagmann ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Rainer Steiner ,  Mathias Vaupel

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L24/03 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

摘要： One or more embodiments relate to a method of forming a semiconductor structure, comprising: providing a workpiece; forming a barrier layer over the workpiece; forming a seed layer over the barrier layer; forming an inhibitor layer over the seed layer; removing a portion of said inhibitor layer to expose a portion of the seed layer; and selectively depositing a fill layer on the exposed seed layer.

摘要翻译： 一个或多个实施例涉及一种形成半导体结构的方法，包括：提供工件; 在工件上形成阻挡层; 在阻挡层上形成种子层; 在种子层上形成抑制层; 去除所述抑制剂层的一部分以暴露所述种子层的一部分; 并且在曝光的种子层上选择性地沉积填充层。

公开(公告)号：US08148257B1

公开(公告)日：2012-04-03

申请号：US12894190

申请日：2010-09-30

申请人： Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Joern Plagmann ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Rainer Steiner ,  Mathias Vaupel

发明人： Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Joern Plagmann ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Rainer Steiner ,  Mathias Vaupel

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： One or more embodiments relate to a method of forming an electronic device, comprising: providing a workpiece; forming a first barrier layer over the workpiece; forming an intermediate conductive layer over the first barrier layer; forming a second barrier layer over the intermediate conductive layer; forming a seed layer over the second barrier layer; removing a portion of the seed layer to leave a remaining portion of the seed layer and to expose a portion of the second barrier layer; and electroplating a fill layer on the remaining portion of the seed layer.

摘要翻译： 一个或多个实施例涉及一种形成电子设备的方法，包括：提供工件; 在工件上形成第一阻挡层; 在所述第一阻挡层上形成中间导电层; 在所述中间导电层上形成第二阻挡层; 在所述第二阻挡层上形成种子层; 去除种子层的一部分以留下种子层的剩余部分并暴露第二阻挡层的一部分; 并在种子层的剩余部分上电镀填充层。

公开(公告)号：US20110101532A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12611609

申请日：2009-11-03

申请人： Jens Pohl ,  Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Rainer Steiner ,  Werner Robl ,  Mathias Vaupel

发明人： Jens Pohl ,  Hans-Joachim Barth ,  Gottfried Beer ,  Rainer Steiner ,  Werner Robl ,  Mathias Vaupel

IPC分类号： H01L23/48 ,  H05K1/00 ,  C25D5/00 ,  C25D5/34

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A method for fabricating a device includes providing a substrate including at least one contact and applying a dielectric layer over the substrate. The method includes applying a first seed layer over the dielectric layer, applying an inert layer over the seed layer, and structuring the inert layer, the first seed layer, and the dielectric layer to expose at least a portion of the contact. The method includes applying a second seed layer over exposed portions of the structured dielectric layer and the contact such that the second seed layer makes electrical contact with the structured first seed layer. The method includes electroplating a metal on the second seed layer.

摘要翻译： 一种用于制造器件的方法包括提供包括至少一个接触的衬底并在衬底上施加电介质层。 该方法包括在电介质层上施加第一种子层，在种子层上施加惰性层，以及构造惰性层，第一籽晶层和电介质层以暴露至少一部分接触。 该方法包括在结构化介电层和触点的暴露部分上施加第二种子层，使得第二籽晶层与结构化的第一籽晶层电接触。 该方法包括在第二种子层上电镀金属。

公开(公告)号：US08072071B2

公开(公告)日：2011-12-06

申请号：US12389103

申请日：2009-02-19

申请人： Rainer Steiner ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Markus Brunnbauer ,  Gottfried Beer

发明人： Rainer Steiner ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Markus Brunnbauer ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a chip comprising a contact element, a structured dielectric layer over the chip, and a conductive element coupled to the contact element. The conductive element comprises a first portion embedded in the structured dielectric layer, a second portion at least partially spaced apart from the first portion and embedded in the structured dielectric layer, and a third portion contacting a top of the structured dielectric layer and extending at least vertically over the first portion and the second portion.

摘要翻译： 半导体器件包括芯片，其包括接触元件，芯片上方的结构化介电层以及耦合到接触元件的导电元件。 导电元件包括​​嵌入结构化电介质层中的第一部分，与第一部分至少部分间隔开并嵌入结构化介电层的第二部分，以及接触结构化介电层顶部并至少延伸的第三部分 垂直于第一部分和第二部分。

公开(公告)号：US20110291256A1

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：US12791443

申请日：2010-06-01

申请人： Rainer Steiner ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Gottfried Beer

发明人： Rainer Steiner ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/05 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor chip includes a contact pad on a main surface of the chip. An electrically conductive layer is applied onto the contact pad. The main surface of the semiconductor chip is covered with an insulating layer. An electrically conductive contact area is formed within the insulating layer such that the contact area and the insulating layer include coplanar exposed surfaces and the contact area is electrically connected with the electrically conductive layer and includes an extension which is greater than the extension of the electrically conductive layer along a direction parallel to the main surface of the semiconductor chip.

摘要翻译： 半导体芯片包括在芯片的主表面上的接触焊盘。 将导电层施加到接触垫上。 半导体芯片的主表面被绝缘层覆盖。 导电接触区域形成在绝缘层内，使得接触区域和绝缘层包括共面的暴露表面，并且接触区域与导电层电连接，并且包括延伸部，其延伸大于导电 层沿着与半导体芯片的主表面平行的方向。

公开(公告)号：US20100207272A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US12389103

申请日：2009-02-19

申请人： Rainer Steiner ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Markus Brunnbauer ,  Gottfried Beer

发明人： Rainer Steiner ,  Jens Pohl ,  Werner Robl ,  Markus Brunnbauer ,  Gottfried Beer

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03622 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a chip comprising a contact element, a structured dielectric layer over the chip, and a conductive element coupled to the contact element. The conductive element comprises a first portion embedded in the structured dielectric layer, a second portion at least partially spaced apart from the first portion and embedded in the structured dielectric layer, and a third portion contacting a top of the structured dielectric layer and extending at least vertically over the first portion and the second portion.

摘要翻译： 半导体器件包括芯片，其包括接触元件，芯片上方的结构化介电层以及耦合到接触元件的导电元件。 导电元件包括​​嵌入结构化电介质层中的第一部分，与第一部分至少部分间隔开并嵌入结构化介电层的第二部分，以及接触结构化介电层顶部并至少延伸的第三部分 垂直于第一部分和第二部分。

公开(公告)号：US07863088B2

公开(公告)日：2011-01-04

申请号：US11749293

申请日：2007-05-16

申请人： Markus Brunnbauer ,  Jens Pohl ,  Rainer Steiner

发明人： Markus Brunnbauer ,  Jens Pohl ,  Rainer Steiner

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05099

摘要： A semiconductor device and method is disclosed. In one embodiment, the method includes placing a first semiconductor over an electrically conductive carrier. The first semiconductor is covered with a molding compound. A through hole is formed in the molding compound. A first material is deposited in the through hole.

摘要翻译： 公开了半导体器件和方法。 在一个实施例中，该方法包括将第一半导体放置在导电载体上。 第一半导体被模塑料覆盖。 在模塑料中形成通孔。 第一种材料沉积在通孔中。

公开(公告)号：US07772105B2

公开(公告)日：2010-08-10

申请号：US11925117

申请日：2007-10-26

申请人： Ulrich Bachmaier ,  Michael Bauer ,  Robert Christian Hagen ,  Jens Pohl ,  Rainer Steiner ,  Peter Strobel ,  Hermann Vilsmeier ,  Holger Woerner ,  Bernhard Zuhr

发明人： Ulrich Bachmaier ,  Michael Bauer ,  Robert Christian Hagen ,  Jens Pohl ,  Rainer Steiner ,  Peter Strobel ,  Hermann Vilsmeier ,  Holger Woerner ,  Bernhard Zuhr

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/48 ,  H01L25/105 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor component includes a plastic housing including: plastic outer surfaces; lower outer contact surfaces arranged on an underside of the housing; upper outer contact surfaces arranged on a top side of the housing that is opposite the underside; and outer interconnects electrically connecting the lower outer contact surfaces to the upper outer contact surfaces, the outer interconnects including a layer of solder arranged on conduction paths along an outer contour of the housing.

摘要翻译： 半导体部件包括塑料外壳，包括塑料外表面; 布置在壳体的下侧上的下外接触表面; 布置在壳体的与底侧相对的顶侧上的上外接触表面; 以及外部互连件，其将所述下部外部接触表面电连接到所述上部外部接触表面，所述外部互连件包括布置在沿着所述壳体的外部轮廓的导电路径上的焊料层。

公开(公告)号：US08659135B2

公开(公告)日：2014-02-25

申请号：US11572873

申请日：2005-07-21

申请人： Michael Bauer ,  Ulrich Bachmaier ,  Robert-Christian Hagen ,  Jens Pohl ,  Rainer Steiner ,  Hermann Vllsmeler ,  Holger Woerner ,  Bernhard Zuhr

发明人： Michael Bauer ,  Ulrich Bachmaier ,  Robert-Christian Hagen ,  Jens Pohl ,  Rainer Steiner ,  Hermann Vllsmeler ,  Holger Woerner ,  Bernhard Zuhr

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/1053 ,  H05K2201/10734 ,  H05K2201/10924 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： A semiconductor stack and a semiconductor base device with a wiring substrate and an intermediate wiring board for a semiconductor device stack is disclosed. In one embodiment, a semiconductor chip is arranged between the intermediate wiring board and the wiring substrate, which is electrically connected by way of the wiring substrate on the one hand to external contacts on the underside of the wiring substrate and on the other hand to contact terminal areas in the edge regions of the wiring substrate. The intermediate wiring board has angled-away external flat conductors, which are electrically connected in the contact terminal areas of the wiring board. Furthermore, on the upper side of the intermediate wiring board, arranged on the free ends of the internal flat conductors are external contact terminal areas, which correspond in size and arrangement to external contacts of a semiconductor device to be stacked.

摘要翻译： 公开了一种具有布线基板和半导体器件堆叠的中间布线板的半导体堆叠和半导体基底器件。 在一个实施例中，半导体芯片布置在中间布线板和布线基板之间，其一方面通过布线基板与布线基板的下侧上的外部触点电连接，另一方面与布线基板 接线基板的边缘区域的端子区域。 中间布线板具有成角度的外部扁平导体，其电连接在布线板的接触端子区域中。 此外，在中间布线板的上侧，布置在内部扁平导体的自由端上的是外部接触端子区域，其尺寸和布置对应于要堆叠的半导体器件的外部触点。