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    Low-bias-deposited high-density-plasma chemical-vapor-deposition silicate glass layers
    14.
    发明授权
    Low-bias-deposited high-density-plasma chemical-vapor-deposition silicate glass layers 失效
    低偏压沉积高密度等离子体化学气相沉积硅酸盐玻璃层

    公开(公告)号：US06667248B2

    公开(公告)日：2003-12-23

    申请号：US09949414

    申请日：2001-09-05

    申请人： Hichem M'Saad ,  Chad Peterson ,  Zhuang Li ,  Anchuan Wang ,  Farhad Moghadam

    发明人： Hichem M'Saad ,  Chad Peterson ,  Zhuang Li ,  Anchuan Wang ,  Farhad Moghadam

    IPC分类号： H01L2131

    CPC分类号： H01L21/02131 ,  C23C16/401 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31629

    摘要： A method is provided for forming a fluorinated silicate glass layer with HDP-CVD having a lower dielectric constant without compromising the mechanical properties of hardness and compressive stress. A gaseous mixture comprising a silicon-containing gas, an oxygen-containing gas, and a fluorine-containing gas is provided to a process chamber. The ratio of the flow rate of the fluorine-containing gas to the flow rate of the silicon-containing gas is greater than 0.65. A high-density plasma is generated from the gaseous mixture by applying a source RF power having a power density less than 12 W/cm2. A bias is applied to a substrate in the process chamber at a bias power density greater than 0.8 W/cm2 and less than 2.4 W/cm2. The fluorinated silicate glass layer is deposited onto the substrate using the high-density plasma.

    摘要翻译： 提供了一种用于在不影响硬度和压缩应力的机械性能的情况下形成具有较低介电常数的HDP-CVD的氟化硅酸盐玻璃层的方法。 将包含含硅气体，含氧气体和含氟气体的气体混合物提供到处理室。 含氟气体的流量与含硅气体的流量比大于0.65。 通过施加功率密度小于12W / cm 2的源RF功率，从气体混合物产生高密度等离子体。 以大于0.8W / cm 2且小于2.4W / cm 2的偏置功率密度对处理室中的衬底施加偏压。 使用高密度等离子体将氟化硅酸盐玻璃层沉积在基板上。

    Methods of processing substrates having metal materials
    16.
    发明授权
    Methods of processing substrates having metal materials 有权
    处理具有金属材料的基板的方法

    公开(公告)号：US08435419B2

    公开(公告)日：2013-05-07

    申请号：US13014813

    申请日：2011-01-27

    申请人： Guowen Ding ,  Herrick Ng ,  Teh-Tien Sue ,  Benjamin Schwarz ,  Zhuang Li

    发明人： Guowen Ding ,  Herrick Ng ,  Teh-Tien Sue ,  Benjamin Schwarz ,  Zhuang Li

    IPC分类号： C23F1/00

    CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137

    摘要： Methods of processing substrates having metal layers are provided herein. In some embodiments, a method of processing a substrate comprising a metal layer having a patterned mask layer disposed above the metal layer, the method may include etching the metal layer through the patterned mask layer; and removing the patterned mask layer using a first plasma formed from a first process gas comprising oxygen (O2) and a carbohydrate. In some embodiments, a two step method with an additional second process gas comprising chlorine (Cl2) or a sulfur (S) containing gas, may provide an efficient way to remove patterned mask residue.

    摘要翻译： 本文提供了处理具有金属层的基板的方法。 在一些实施例中，一种处理包括具有设置在金属层上方的图案化掩模层的金属层的衬底的方法，所述方法可以包括通过图案化掩模层蚀刻金属层; 以及使用由包含氧（O 2）和碳水化合物的第一工艺气体形成的第一等离子体去除图案化掩模层。 在一些实施方案中，具有包含氯（Cl 2）或含硫（S））气体的另外的第二工艺气体的两步法可以提供去除图案化掩模残余物的有效方式。